專利名稱：壓電式噴墨頭及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種壓電式噴墨頭及其制作方法，特別是關(guān)于一種改良壓電層形成方式的壓電式噴墨頭及其制作方法。
背景技術(shù)：
噴墨打印技術(shù)的主要運(yùn)作原理分為熱泡式(Thermal bubble)及壓電式(Piezoelectric)兩類。熱泡式是利用加熱器將墨水瞬間氣化，產(chǎn)生高壓氣泡推動墨水從噴嘴射出。壓電式是利用施加電壓方式使壓電陶瓷產(chǎn)生形變，使其擠壓墨水而產(chǎn)生高壓，進(jìn)而將墨水噴出。相比之下，壓電式噴墨頭具有下列優(yōu)點(diǎn)(1)壓電式不會因?yàn)楦邷貧饣a(chǎn)生化學(xué)變化，因此具有極佳的耐久性。(2)壓電陶瓷反應(yīng)速度快，不會受限于熱傳導(dǎo)速度，因此可提升打印速度。(3)壓電式容易控制液滴的大小，可提高打印品質(zhì)。
然而，已知的壓電噴墨頭技術(shù)大多采用積層陶瓷共燒法形成壓電層，其成型方式包含粉末原料PZT(例如ZrO2、PbO、TiO2、其它適當(dāng)添加物)的合成、混合、干燥、煅燒、粉碎、造粒、成型、燒結(jié)以及極化作用等步驟，且需精密對位才能成型，其制作過程繁瑣復(fù)雜、困難度及投資設(shè)備都很高。
因此，現(xiàn)在逐漸開發(fā)以硅為基底的壓電噴墨頭制作方法。例如，壓電層的制作方式主要可分為兩類方式厚膜成形法以及薄膜成形法。厚膜成形法是通過網(wǎng)印法或積層陶瓷堆疊方式，一次達(dá)到20～30μm厚度的壓電層。其缺點(diǎn)在于無法達(dá)到均勻性良好的表面，在其后續(xù)上電極的制作上會在接口產(chǎn)生問題，影響壓電特性及降低制作的優(yōu)良率。另一方面，薄膜成形法是利用物理氣相沉積法(PVD)、化學(xué)氣相沉積法(CVD)或溶液-凝膠(sol-gel)旋涂法，其缺點(diǎn)在于無法快速達(dá)到壓電震動層所需的厚度，例如溶液-凝膠(sol-gel)制作方法必須經(jīng)過多次旋涂過程才能達(dá)到所需的厚度。這樣的制作方法不但浪費(fèi)時(shí)間，且制作優(yōu)良率低，并不適用于大量生產(chǎn)上。
圖1A至圖1C所顯示為已知的以硅為基底的壓電式噴墨頭制作方法的剖面示意圖。如圖1A所示，提供一基底10，例如單晶硅基底10，具有相對的一第一表面11和一第二表面12。在該第一表面11上形成一圖案化第一導(dǎo)電層20，例如Ag-Pd合金、Pt或Au，以做為下電極。接著，在該第一表面11上以刮刀成型法或網(wǎng)印法形成一壓電層30，例如鋯-鈦酸鉛(PZT)，并覆蓋該第一導(dǎo)電層20。
如圖1B所示，在壓電層30上形成一圖案化第二導(dǎo)電層40，例如Ag-Pd合金、Pt或Au，并且與第一導(dǎo)電層20相對應(yīng)，以做為一上電極。接著，以微影及蝕刻制作方法定義壓電層30，使成為一金屬、壓電、金屬的堆疊層結(jié)構(gòu)。
如圖1C所示，對基底10的第二表面12上進(jìn)行微影及蝕刻步驟，使其形成一凹槽60，并對應(yīng)于金屬、壓電、金屬堆疊層結(jié)構(gòu)，其中該凹槽做為一墨水腔60。最后，在基底10的第二表面12上接合一噴孔片70，以形成一壓電式噴墨頭。
然而，上述在硅基底上制作壓電組件時(shí)，由于必須經(jīng)過一燒結(jié)步驟，而壓電組件多以鉛鋯酸鹽-鈦酸鹽(PZT)為主要材料，PZT在經(jīng)過燒結(jié)后會釋放出含氧化鉛的氣體，此氧化鉛氣體會與硅基底作用形成鉛硅玻璃，且由于硅基板具有大面積，在與氧化鉛氣體不斷作用后，使氧化鉛氣體不足而導(dǎo)致壓電組件的燒結(jié)無法完成。
因此，如何改良壓電噴墨頭的成型法以提高制作優(yōu)良率，成為當(dāng)前急需研究的重要課題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一壓電式噴墨頭及其制作方法，結(jié)合厚膜成形法以及薄膜成形法制作壓電層，可改善上述制作方法的缺點(diǎn)，提高優(yōu)良率。
本發(fā)明的另一目的在于提供一壓電式噴墨頭及其制作方法，利用一低溫?zé)Y(jié)的薄膜形成于需高溫?zé)Y(jié)厚膜上，在PZT燒結(jié)過程中，抑制含氧化鉛的氣體的揮發(fā)，改善壓電特性及提升制作優(yōu)良率。
根據(jù)上述目的，本發(fā)明提供一種壓電式噴墨頭的制作方法，包括提供一基底，具有相對的一第一表面及一第二表面；在該第一表面上形成一圖案化第一導(dǎo)電層，以做為一下電極；在該第一表面上形成一壓電層并覆蓋該第一導(dǎo)電層；在該壓電層上形成一保護(hù)層；在該保護(hù)層上形成一圖案化第二導(dǎo)電層并且與該第一導(dǎo)電層相對應(yīng)，以做為一上電極；定義該保護(hù)層及該壓電層，使成為一金屬、壓電、保護(hù)、金屬堆疊層結(jié)構(gòu)；蝕刻該基底的第二表面，形成一凹槽對應(yīng)于該金屬、壓電、保護(hù)、金屬堆疊層結(jié)構(gòu)，其中該凹槽做為一墨水腔；以及接合一噴孔片在該基底的第二表面上，以形成一壓電式噴墨頭。
根據(jù)上述目的，本發(fā)明還提供一種壓電式噴墨頭，包括一基底，具有相對的一第一表面和一第二表面；一金屬、壓電、保護(hù)、金屬堆疊層結(jié)構(gòu)，位于該基底的第一表面上，做為該噴墨頭的致動結(jié)構(gòu)；一凹槽，形成于該基底的第二表面，對應(yīng)于該金屬、壓電、保護(hù)、金屬堆疊層結(jié)構(gòu)，做為一墨水腔；以及一噴孔片，接合于該基底和第二表面。
根據(jù)本發(fā)明，上述金屬、壓電、保護(hù)、金屬堆疊層結(jié)構(gòu)，還包括一圖案化第一導(dǎo)電層，形成于該第一表面上，做為一下電極；一壓電層，形成于該第一表面上并覆蓋該導(dǎo)電層；一保護(hù)層，形成于該壓電層上；以及一圖案化第二導(dǎo)電層，形成于該保護(hù)層上且與該第一導(dǎo)電層相對應(yīng)，以做為一上電極。


圖1A至圖1C為已知的以硅為基底的壓電式噴墨頭制作方法的剖面示意圖；圖2A至圖2D為本發(fā)明實(shí)施例一的壓電式噴墨頭制作方法的剖面示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例一的溶液-凝膠(sol-gel)旋涂法中，PZT溶液的配制流程圖；圖4A至圖4D為本發(fā)明實(shí)施例二的壓電式噴墨頭制作方法的剖面示意圖；
圖5為本發(fā)明實(shí)施例二的溶液-凝膠(sol-gel)旋涂法中，含微粉的PZT溶液的配制流程圖。
具體實(shí)施例方式
為了讓本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)更明顯易懂，下文特舉出較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下實(shí)施例一圖2A至圖2D所示為本發(fā)明實(shí)施例一的壓電式噴墨頭制作方法的剖面示意圖。如圖2A所示，首先提供一基底100，例如一單晶硅，本實(shí)施例選用一般規(guī)格的硅晶圓，厚度介于500～550μm之間。上述單晶硅基底100具有相對的一第一表面101及一第二表面102。接著，利用蒸鍍法、濺鍍法或物理氣相沉積法(PVD)在第一表面101上形成一導(dǎo)電層120，例如Ag-Pd合金、Pt或Au。然后以微影及蝕刻步驟定義導(dǎo)電層120，以做為致動結(jié)構(gòu)的下電極120。接著，以刮刀成型法或網(wǎng)印法，并在850～950℃中燒結(jié)，以形成一壓電層130，例如鋯-鈦酸鉛(PZT)，厚度范圍20～30微米，在該第一表面101上并覆蓋導(dǎo)電層120。
如圖2B所示，利用溶液-凝膠(sol-gel)旋涂法，在300～450℃中焦化(pyrolyze)并在850～950℃中燒結(jié)，在壓電層130上順應(yīng)性形成一保護(hù)層132，例如鋯-鈦酸鉛(PZT)、氧化鋯、氧化鈦、氧化鈣及氧化鎳，厚度范圍為0.2～1微米。上電極140的制作步驟與下電極120相同，利用蒸鍍法、濺鍍法或物理氣相沉積法(PVD)形成一導(dǎo)電層140，例如Ag-Pd合金、Pt或Au，在保護(hù)層132上。然后以微影和蝕刻步驟定義導(dǎo)電層140，來做為致動結(jié)構(gòu)的上電極140。
保護(hù)層132具有表面均勻度佳的特性，覆蓋在壓電層130上具有表面平坦化的功能。且上述壓電層130與保護(hù)層132可在相同溫度條件下，共同燒結(jié)而成。在燒結(jié)過程中，保護(hù)層132先發(fā)生致密并做為壓電層130的保護(hù)層，且保護(hù)層132含過量氧化鉛，能抑制并且補(bǔ)償氧化鉛的氣體的揮發(fā)，改善壓電特性及提升制作優(yōu)良率。
根據(jù)本發(fā)明的較佳實(shí)施方式，上述溶液-凝膠(sol-gel)旋涂法的溶液配制流程圖如圖3所示。首先將三水醋酸鉛(Pb acetate trihydrate)溶入2-甲基乙醇(2-methoxy-ethanol)，然后在110℃中脫水。接著將丙氧基鋯(Zr-propoxide)以及異丙氧基鈦(Ti-propoxide)溶入2-甲基乙醇(2-methoxy-ethanol)。接著，將上述兩溶液混合之后，在120℃中回流(reflux)2小時(shí)，再在同溫度下蒸餾，最后配成0.75 M含20％ Pb過量的鋯-鈦酸鉛(PZT(52、48))溶液。
如圖2C所示，以微影及蝕刻步驟依次蝕刻保護(hù)層132與壓電層130，使成為島狀的金屬、保護(hù)、壓電、金屬的堆疊層結(jié)構(gòu)，做為薄膜致動器。
如圖2D所示，最后進(jìn)行墨水腔的制作，利用濕蝕刻法，以KOH為蝕刻液，在單晶硅基底100第二表面102，蝕刻一凹槽160，以做為墨水腔160之用。凹槽160的位置對應(yīng)于島狀的金屬、保護(hù)、壓電、金屬的堆疊層結(jié)構(gòu)，蝕刻直到基底100厚度剩下5～20微米為止。接著，接合一噴孔片170，在基底100的第二表面102，完成壓電式噴墨頭。
如圖2D所示，本發(fā)明的壓電式噴墨頭包括一基底100，具有相對的一第一表面101及一第二表面102；一金屬、壓電、保護(hù)、金屬堆疊層結(jié)構(gòu)，位于基底100的第一表面101上，做為該噴墨頭的致動結(jié)構(gòu)；一凹槽160，形成于基底100的第二表面102，對應(yīng)于該金屬、壓電、保護(hù)、金屬堆疊層結(jié)構(gòu)，做為一墨水腔160；以及一噴孔片170，接合于該基底100的第二表面102。
上述金屬、壓電、保護(hù)、金屬堆疊層結(jié)構(gòu)，還包括一圖案化第一導(dǎo)電層120，形成于該第一表面101上，做為一下電極120；一壓電層130，形成于該第一表面101上并覆蓋導(dǎo)電層120；一保護(hù)層132，形成于該壓電層130上；以及一圖案化第二導(dǎo)電層140，形成于保護(hù)層132上且與第一導(dǎo)電層120相對應(yīng)，以做為一上電極140。
實(shí)施例二圖4A至圖4D所示為本發(fā)明實(shí)施例二的壓電式噴墨頭制作方法的剖面示意圖。如圖4A所示，首先提供一基底100，例如一單晶硅，本實(shí)施例選用一般規(guī)格的硅晶圓，厚度介于500～550μm之間。上述單晶硅基底100具有相對的一第一表面101及一第二表面102。接著，利用蒸鍍法、濺鍍法或物理氣相沉積法(PVD)在第一表面101上形成一導(dǎo)電層120，例如Ag-Pd合金、Pt或Au。然后以微影及蝕刻步驟定義導(dǎo)電層120，以做為致動結(jié)構(gòu)的下電極120。接著，以刮刀成型法或網(wǎng)印法，并在850～950℃中燒結(jié)，以形成一壓電層130，例如鋯-鈦酸鉛(PZT)，厚度范圍20～30微米，在該第一表面101上并覆蓋導(dǎo)電層120。
如圖4B所示，利用含微粉的溶液-凝膠(sol-gel)旋涂法，在壓電層130上順應(yīng)性形成一含微粉的保護(hù)層134，例如鋯-鈦酸鉛(PZT)，厚度范圍0.2～1微米，在300～450℃中焦化(pyrolyze)并在700℃中燒結(jié)。上述微粉的材料較好的為鋯-鈦酸鉛(PZT)、、氧化鋯、氧化鈦、氧化鈣及氧化鎳等可低溫?zé)Y(jié)的材料，粒徑小于1微米，可降低保護(hù)層134的燒結(jié)溫度。上電極140的制作步驟與下電極120相同，利用蒸鍍法、濺鍍法或物理氣相沉積法(PVD)在含微粉的保護(hù)層134上形成一導(dǎo)電層140，例如Ag-Pd合金、Pt或Au。然后以微影及蝕刻步驟定義導(dǎo)電層140，以做為致動結(jié)構(gòu)的上電極140。
含微粉的保護(hù)層134具有表面均勻性佳的特性，覆蓋在壓電層130上具有表面平坦化的功能。且上述壓電層130與含微粉的保護(hù)層134可在相同溫度條件下，共同燒結(jié)而成。由于含微粉的保護(hù)層134因含鋯-鈦酸鉛(PZT)、氧化鋅或氧化鋯等可低溫?zé)Y(jié)的材料，所需的燒結(jié)溫度較低，在燒結(jié)過程中，先發(fā)生致密并做為壓電層130的保護(hù)層，且含微粉的保護(hù)層134含過量氧化鉛，能抑制并且補(bǔ)償氧化鉛的氣體的揮發(fā)，改善壓電特性及提升制作優(yōu)良率。
根據(jù)本發(fā)明的較佳實(shí)施方式，上述含微粉的溶液-凝膠(sol-gel)旋涂法的溶液配制流程圖如圖5所示。首先將三水醋酸鉛(Pb acetate trihydrate)溶入2-甲基乙醇(2-methoxy-ethanol)，然后在110℃中脫水。接著將丙氧基鋯(Zr-propoxide)以及異丙氧基鈦(Ti-propoxide)溶入2-甲基乙醇(2-methoxy-ethanol)。接著，將上述兩溶液混合之后，在120℃中回流(reflux)2小時(shí)，再在同溫度下蒸餾，然后在混合溶液中添加乙醯丙酮并在25℃中攪拌，最后配成0.75M含20％Pb過量的鋯-鈦酸鉛(PZT(52、48))溶液，此時(shí)加入微粉及分散劑(dispersant)，充分混合形成含微粉的鋯-鈦酸鉛(PZT(52、48))溶液。
如圖4C所示，以微影及蝕刻步驟依次蝕刻含微粉的保護(hù)層134與壓電層130，使成為島狀的金屬、保護(hù)、壓電、金屬的堆疊層結(jié)構(gòu)，做為薄膜致動器。
如圖4D所示，最后進(jìn)行墨水腔的制作，利用濕蝕刻法，以KOH為蝕刻液，在單晶硅基底100的第二表面102，蝕刻一凹槽160，以做為墨水腔160之用。凹槽160的位置對應(yīng)于島狀的金屬、保護(hù)、壓電、金屬的堆疊層結(jié)構(gòu)，蝕刻直到基底100厚度剩下5～20微米為止。接著，接合一噴孔片170，在基底100的第二表面102，完成壓電式噴墨頭。
如圖2D所示，本發(fā)明壓電式噴墨頭包括一基底100，具有相對的一第一表面101及一第二表面102；一金屬、壓電、保護(hù)、金屬堆疊層結(jié)構(gòu)，位于基底100的第一表面101上，做為該噴墨頭的致動結(jié)構(gòu)；一凹槽160，形成在基底100的第二表面102，對應(yīng)于該金屬、壓電、保護(hù)、金屬堆疊層結(jié)構(gòu)，做為一墨水腔160；以及一噴孔片170，接合在該基底100的第二表面102。
上述金屬、壓電、保護(hù)、金屬堆疊層結(jié)構(gòu)，還包括一圖案化第一導(dǎo)電層120，形成于該第一表面101上，做為一下電極120；一壓電層130，形成于該第一表面101上并覆蓋導(dǎo)電層120；一含微粉的保護(hù)層134，形成于該壓電層130上；以及一圖案化第二導(dǎo)電層140，形成于含微粉的保護(hù)層134上且與第一導(dǎo)電層120相對應(yīng)，以做為一上電極140。
本發(fā)明特征與效果在于結(jié)合厚膜成形法以及薄膜成形法制作壓電層，先利用刮刀成型法或網(wǎng)印法快速形成一壓電厚膜，在壓電厚膜上，以溶液-凝膠(sol-gel)旋涂法形成一表面平整的壓電薄膜，可改善上述制作的缺點(diǎn)，提高優(yōu)良率。
此外，由于本發(fā)明利用一低溫?zé)Y(jié)的薄膜形成于需高溫?zé)Y(jié)的厚膜上，PZT在燒結(jié)過程中，抑制含氧化鉛的氣體的揮發(fā)，改善壓電特性及提升制作優(yōu)良率。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而其并非用來限定本發(fā)明，任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些更動與修飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以后附的權(quán)利要求書中所要求的范圍為準(zhǔn)。
附圖標(biāo)號說明已知部分(圖1A～圖1C)10～基底；11～第一表面；12～第二表面；20～第一導(dǎo)電層；30～壓電層；40～第二導(dǎo)電層；60～墨水腔；70～噴孔片。
本發(fā)明部分(圖2～圖5)100～基底；101～第一表面；102～第二表面；120～第一導(dǎo)電層；130～壓電層；132～保護(hù)層；134～含微粉的保護(hù)層；140～第二導(dǎo)電層；160～墨水腔；170～噴孔片。
權(quán)利要求
1.一種壓電式噴墨頭的制作方法，其特征在于，包括提供一基底，具有相對的一第一表面及一第二表面；在所述第一表面上形成一圖案化第一導(dǎo)電層，以做為一下電極；在所述第一表面上形成一壓電層并覆蓋所述第一導(dǎo)電層；在所述壓電層上形成一保護(hù)層；在所述保護(hù)層上形成一圖案化第二導(dǎo)電層且與所述第一導(dǎo)電層相對應(yīng)，以做為一上電極；以及定義所述保護(hù)層及所述壓電層，使成為一金屬、壓電、保護(hù)、金屬堆疊層結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的壓電式噴墨頭的制作方法，其特征在于，所述基底是一單晶硅基底。
3.如權(quán)利要求1所述的壓電式噴墨頭的制作方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層是Ag-Pd合金、Pt或Au。
4.如權(quán)利要求1所述的壓電式噴墨頭的制作方法，其特征在于，所述壓電層是高溫?zé)Y(jié)材料以及所述保護(hù)層是低溫?zé)Y(jié)材料。
5.如權(quán)利要求1所述的壓電式噴墨頭的制作方法，其特征在于，形成所述壓電層是用厚膜制作以及形成所述保護(hù)層是用薄膜制作。
6.如權(quán)利要求1所述的壓電式噴墨頭的制作方法，其特征在于，所述壓電層是用鋯-鈦酸鉛(PZT)材料所制成。
7.如權(quán)利要求6所述的壓電式噴墨頭的制作方法，其特征在于，所述鋯-鈦酸鉛(PZT)材料是以刮刀成型法、網(wǎng)印法或轉(zhuǎn)印法所制成。
8.如權(quán)利要求1所述的壓電式噴墨頭的制作方法，其特征在于，所述保護(hù)層是以鋯-鈦酸鉛(PZT)材料或含低溫?zé)Y(jié)材料的鋯-鈦酸鉛(PZT)所制成。
9.如權(quán)利要求8所述的壓電式噴墨頭的制作方法，其特征在于，所述低溫?zé)Y(jié)材料是氧化鋅或氧化鋯。
10.如權(quán)利要求1所述的壓電式噴墨頭的制作方法，其特征在于，所述保護(hù)層是用溶液-凝膠(sol-gel)法所制成。
11.如權(quán)利要求1所述的壓電式噴墨頭的制作方法，其特征在于，所述保護(hù)層是用含微粉的溶液-凝膠(sol-gel)法所制成。
12.如權(quán)利要求11所述的壓電式噴墨頭的制作方法，其特征在于，所述微粉的材料是鋯-鈦酸鉛(PZT)、氧化鋅或氧化鋯微粉。
13.如權(quán)利要求11所述的壓電式噴墨頭的制作方法，其特征在于，所述微粉粒徑小于1微米。
14.如權(quán)利要求1所述的壓電式噴墨頭的制作方法，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層是Ag-Pd合金、Pt或Au。
15.如權(quán)利要求1所述的壓電式噴墨頭的制作方法，其特征在于，定義所述保護(hù)層及所述壓電層步驟是利用激光切割、干式蝕刻或濕式蝕刻技術(shù)。
16.如權(quán)利要求1所述的壓電式噴墨頭的制作方法，其特征在于，還包括下列步驟蝕刻所述基底的第二表面，形成一凹槽對應(yīng)于所述金屬、壓電、保護(hù)、金屬堆疊層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹槽做為一墨水腔；以及接合一噴孔片于所述基底的第二表面上，以形成一壓電式噴墨頭。
17.如權(quán)利要求16所述的壓電式噴墨頭的制作方法，其特征在于，所述噴孔片的材質(zhì)是高分子、金屬或陶瓷材料所構(gòu)成。
18.一種壓電式噴墨頭，其特征在于，包括一基底，具有相對的一第一表面及一第二表面；一金屬、壓電、保護(hù)、金屬堆疊層結(jié)構(gòu)，位于所述基底的第一表面上，做為所述噴墨頭的致動結(jié)構(gòu)；一凹槽，形成于所述基底的第二表面，對應(yīng)于所述金屬、壓電、保護(hù)、金屬堆疊層結(jié)構(gòu)，做為一墨水腔；以及一噴孔片，接合于所述基底的第二表面。
19.如權(quán)利要求18所述的壓電式噴墨頭，其特征在于，所述基底是一單晶硅基底。
20.如權(quán)利要求18所述的壓電式噴墨頭，其特征在于，所述金屬、壓電、保護(hù)、金屬堆疊層結(jié)構(gòu)，還包括一圖案化第一導(dǎo)電層，形成于所述第一表面上，做為一下電極；一壓電層，形成于所述第一表面上并覆蓋所述導(dǎo)電層；一保護(hù)層，形成于所述壓電層上；以及一圖案化第二導(dǎo)電層，形成于所述保護(hù)層上且與所述第一導(dǎo)電層相對應(yīng)，以做為一上電極。
21.如權(quán)利要求20所述的壓電式噴墨頭，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層是Ag-Pd合金、Pt或Au。
22.如權(quán)利要求20所述的壓電式噴墨頭的制作方法，其特征在于，所述壓電層是高溫?zé)Y(jié)材料以及所述保護(hù)層是低溫?zé)Y(jié)材料。
23.如權(quán)利要求20所述的壓電式噴墨頭的制作方法，其特征在于，形成所述壓電層是以厚膜制作以及形成所述保護(hù)層是以薄膜制作。
24.如權(quán)利要求20所述的壓電式噴墨頭，其特征在于，所述壓電層是以鋯-鈦酸鉛(PZT)材料所制成。
25.如權(quán)利要求20所述的壓電式噴墨頭，其特征在于，所述保護(hù)層是以溶液-凝膠(sol-gel)法所制成的鋯-鈦酸鉛(PZT)材料。
26.如權(quán)利要求20所述的壓電式噴墨頭，其特征在于，所述保護(hù)層是以含微粉的溶液-凝膠(sol-gel)法所制成的鋯-鈦酸鉛(PZT)材料或含低溫?zé)Y(jié)材料的鋯-鈦酸鉛(PZT)。
27.如權(quán)利要求26所述的壓電式噴墨頭，其特征在于，所述低溫?zé)Y(jié)材料是氧化鋅或氧化鋯。
28.如權(quán)利要求26所述的壓電式噴墨頭的制作方法，其特征在于，所述微粉的材料系鋯-鈦酸鉛(PZT)、氧化鋅或氧化鋯微粉。
29.如權(quán)利要求26所述的壓電式噴墨頭的制作方法，其特征在于，所述微粉粒徑小于1微米。
30.如權(quán)利要求20所述的壓電式噴墨頭，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層是Ag-Pd合金、Pt或Au。
31.如權(quán)利要求18所述的壓電式噴墨頭，其特征在于，所述噴孔片的材質(zhì)是高分子、金屬或陶瓷材料所構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種壓電式噴墨頭及其制作方法，其制作方法包括提供一具有相對的一第一表面和一第二表面的基底。接著，在該第一表面上形成一圖案化第一導(dǎo)電層，以做為一下電極。在該第一表面上形成一壓電層并覆蓋該第一導(dǎo)電層。在該壓電層上形成一保護(hù)層。在該保護(hù)層上形成一圖案化第二導(dǎo)電層且與該第一導(dǎo)電層相對應(yīng)，以做為一上電極。定義該保護(hù)層及該壓電層，使成為一金屬、壓電、保護(hù)、金屬堆疊層結(jié)構(gòu)。
文檔編號B41J2/16GK1611362SQ200310103
公開日2005年5月4日 申請日期2003年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月31日
發(fā)明者陳志明, 蔡志昌 申請人:飛赫科技股份有限公司