一種具有高透過率的低輻射玻璃及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種具有高透過率的低輻射玻璃及其制備方法，該低輻射玻璃，包括玻璃基片和功能膜層，所述功能膜層包括YZO膜層和Ag層，其中，YZO膜層指的是氧化鋅摻釔膜層。本發(fā)明提供的高透過率的低輻射玻璃的反射率較低，能有效的解決光污染的現(xiàn)象；能夠提高玻璃的整體透過率，而且通用性強(qiáng)，可以在80%的主流膜系中使用。
【專利說明】一種具有高透過率的低輻射玻璃及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于鍍膜玻璃【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種具有高透過率的低輻射玻璃及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]玻璃是重要的建筑材料，隨著對建筑物裝飾性要求的不斷提高，玻璃在建筑行業(yè)中的使用量也不斷增大。然而，當(dāng)今人們在選擇建筑物的玻璃門窗時(shí)，除了考慮其美學(xué)和外觀特征外，更注重其熱量控制、制冷成本和內(nèi)部陽光投射舒適平衡等問題。這就使得鍍膜玻璃家族中的新貴——low-e玻璃即低輻射玻璃脫穎而出，成為人們關(guān)注的焦點(diǎn)。Low-e玻璃兩大關(guān)鍵點(diǎn)是透過和隔熱性能，如何在保證隔熱性能的情況下，提高透過是本領(lǐng)域的主要技術(shù)突破點(diǎn)。可見光透射比(Tvis)是在可見光譜(380nm至780nm)范圍內(nèi)，透過玻璃的光強(qiáng)度與入射光強(qiáng)度的百分比(又叫可見光透過率、透光率)。
[0003]目前市場上最高單片low-e透過率是80%，而且基本上是單銀low-e居多。目前市場上常見的單銀結(jié)構(gòu)是SiNx/NiCr/Ag/NiCr/SiNx，目前該結(jié)構(gòu)的鍍膜玻璃可以通過降低前后阻擋層NiCr的厚度來提高可見光透過率。但是此方法有較大的局限性，如果一味降低NiCr厚度帶來的隱患是導(dǎo)致Ag層被氧化，或者是與底層SiNx連接不好導(dǎo)致脫膜，所以一味降低抵擋層厚度的做法是不可取的。
[0004]目前市場上提供了一種透過率接近80%雙銀low-e,其結(jié)構(gòu)是:SiNx/ZnA10x/Ag/NiCr/SiNx/ZnA10x/Ag/NiCr/AZ0/SiNx,本結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是1.使用雙銀結(jié)構(gòu)，有效的提高了玻璃的隔熱系數(shù)U值。2.將Ag層前面的NiCr層去除，有效的提高透過率。3.使用了有良好的導(dǎo)電性能的AZO膜層，使得當(dāng)減薄NiCr層時(shí)可以阻隔SiAl靶氮化氣體串?dāng)_，防止Ag被氮?dú)飧蓴_，更好的保護(hù)Ag層。摻鋁氧化鋅(ΑΖ0)，作為一種新的濺射材料，因其性能優(yōu)異而得到廣泛使用，如導(dǎo)電性、高透過性、高紅外反射性能等，這種材料已經(jīng)廣泛投入到各個(gè)領(lǐng)域，發(fā)揮其優(yōu)越性能。相關(guān)實(shí)驗(yàn)證明:在潮濕惡劣的環(huán)境下，它表現(xiàn)出很好的耐久性，其膜層之間穩(wěn)定性、粘結(jié)性很好，內(nèi)應(yīng)力較低，膜層分布均勻，與Ag之間的相互刻蝕現(xiàn)象較少，減少了功能層Ag的損失，而且在低功率下，有較快的濺射速率。除隔熱系數(shù)外，鍍膜產(chǎn)品整體性能主要關(guān)注其選擇系數(shù)，即T (透過)/S。(遮陽)的比值。而AZO的優(yōu)點(diǎn)在于它可以增大透過，同時(shí)減小遮陽系數(shù)，從而增大選擇系數(shù)。AZO材料除了在光學(xué)性能方面有著很優(yōu)越的性能之外，在耐熱性，抗氧化性方面同樣具備優(yōu)勢。
[0005]但是在實(shí)際生產(chǎn)中，AZO也有很多弊端，主要缺點(diǎn)如下:
[0006]1、不能直接作為Ag層的打底層與Ag直接相連，容易脫膜；
[0007]2、AZ0陶瓷靶容易放電。
[0008]3、AZO靶材在使用中容易出現(xiàn)表面結(jié)瘤，容易掉渣，影響玻璃成品率，且無法長時(shí)間高功率使用。
[0009]4、容易產(chǎn)生飛灰，影響成膜質(zhì)量。
[0010]還有一種方法是使用新的膜層結(jié)構(gòu)如:S i Nx/ZnA 10x/Ag/Ni Cr/ZnSn0x/S i Nx，此膜層結(jié)構(gòu)是將底層的NiCr去除，從而提高透過，但是此方法只能將單片提高到80%，很難突破80%。在市場多元化的今天，上述幾種技術(shù)已經(jīng)不能滿足市場需要。一種透過極高、隔熱性能良好的low-e已經(jīng)是市場所期待的產(chǎn)品。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]本發(fā)明要解決的問題是提供一種具有高透過率的低輻射玻璃及其制備方法，能夠提高玻璃的整體透過率，提高玻璃的生產(chǎn)效率，有效解決光污染的問題。
[0012]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:一種具有高透過率的低輻射玻璃，包括玻璃基片和功能膜層，所述功能膜層包括YZO膜層和Ag層，其中，YZO膜層指的是氧化鋅摻釔膜層。
[0013]優(yōu)選的，所述YZO膜層是以YZO陶瓷靶為原材料，通過磁控濺射方法制備而成，制備過程中真空度達(dá)到4~8 X 10_3mbar后，使用中頻交流電源濺射YZO陶瓷靶制備YZO膜層，其中YZO陶瓷靶中的Y2O3的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1-3%，Al2O3的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0%-1%，其余成分為ZnO，且其中的Y203、ZnO以及Al2O3的純度分別為99.99%以上。Al2O3可以改善YZO陶瓷靶的導(dǎo)電性，但是靶材中摻入較多的Al2O3時(shí)，膜層的可見光透過率相對于常用的AZO膜層改善不大。
[0014]優(yōu)選的，所述功能膜層由SiNx/YZ0/Ag/YZ0/SiNx膜層結(jié)構(gòu)組成。
[0015]優(yōu)選的，功能膜層中各膜層的厚度依次為36.lnm、8.5nm、9.3nm、8.2nm、29.3nm。
[0016]一種制備如上所述的具有高透過率的低輻射玻璃的方法，包括如下步驟，玻璃基片清洗一進(jìn)入真空腔室一逐層 進(jìn)行磁控濺射一恢復(fù)大氣一下片；其中，逐層進(jìn)行磁控濺射階段，Ag層是通過直流脈沖電源磁控濺射沉積，其余膜層是使用中頻交流電源加旋轉(zhuǎn)陰極濺射沉積；Ag層中氣體流量為，Ar為lOOOsccm ;SiNx層中的氣體流量是:Ar為600sCCm，N2為600sccm ;YZO層中的氣體流量為，Ar為1200sccm。
[0017]優(yōu)選的，所述功能膜層由所述功能膜層由SiNx/ZnA10x/Ag/YZ0/SiNx/ZnA10x/Ag/附0/5丨隊(duì)膜層結(jié)構(gòu)組成。
[0018]優(yōu)選的，所述功能膜層中各膜層的厚度依次為16.7nm、17.7nm、7.5nm、15.8nm、
14.lnm、52.7nm、12.9nm、L 2nm、18.8nm。
[0019]一種制備如上所述的具有高透過率的低輻射玻璃的方法，包括如下步驟，玻璃基片清洗一進(jìn)入真空腔室一逐層進(jìn)行磁控濺射一恢復(fù)大氣一下片；其中，逐層進(jìn)行磁控濺射階段，Ag層和NiCr層是通過平面靶直流脈沖電源濺射沉積，其余膜層是旋轉(zhuǎn)靶中頻電源加旋轉(zhuǎn)陰極濺射沉積；其中ZnAlOx層是通過對ZnAl靶進(jìn)行反應(yīng)濺射制備而成，也就是需要通入反應(yīng)氣體，ZnAlOx層派射氣氛為Ar:500sccm, O2:800sccm ；NiCr祀和Ag祀為純!Si賤射制備相應(yīng)膜層，Ar氣流量為lOOOsccm ;ΥΖ0層中的氣體流量為，Ar為1200sCCm ;SiNx層中的氣體流量是:Ar為600sccm, N2為600sccm。
[0020]優(yōu)選的，所述功能膜層SnZn0/ZnA10x/Ag/YZ0/ZnA10x/Ag/YZ0/SiNx 膜層結(jié)構(gòu)組成.[0021]優(yōu)選的，功能膜層中各膜層的厚度依次為22.4nm、17.7nm、8.3nm、54.3nm> 14.lnm、
11.2nm、8.lnm、18.0nm0
[0022]一種制備如上所述的具有高透過率的低輻射玻璃的方法，包括如下步驟，玻璃基片清洗一進(jìn)入真空腔室一逐層進(jìn)行磁控濺射一恢復(fù)大氣一下片；其中，逐層進(jìn)行磁控濺射，Ag層是通過平面靶直流脈沖電源濺射沉積，其余膜層是旋轉(zhuǎn)靶中頻電源加旋轉(zhuǎn)陰極濺射沉積；SnZnO和ZnAlOx層分別是通過對ZnSn祀和ZnAl祀進(jìn)行反應(yīng)派射制備而成，也就是說需要通入反應(yīng)氣體，ZnAl和ZnSn祀的派射氣氛為Ar:500sccm, O2:800sccm ;Ag層為純気派射制備相應(yīng)膜層，Ar氣流量為lOOOsccm ;ΥΖ0層中的氣體流量為，Ar為1200sCCm ;SiNx層中的氣體流量是:Ar為600sccm, N2為600sccm。
[0023]本發(fā)明具有的優(yōu)點(diǎn)和積極效果是:本發(fā)明提供的高透過率的低輻射玻璃的反射率較低，能有效的解決光污染的現(xiàn)象；能夠提高玻璃的整體透過率，而且通用性強(qiáng)，可以在80%的主流膜系中使用；ΥΖ0陶瓷靶濺射效率快，能提高玻璃生產(chǎn)效率；該YZO陶瓷靶不容易出現(xiàn)結(jié)瘤等問題；該YZO陶瓷靶在無明顯串氣的情況下，不會出現(xiàn)靶中毒現(xiàn)場。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]圖1是實(shí)施例一中使用YZO時(shí)的低輻射玻璃的透過光譜圖；
[0025]圖2是實(shí)施例一中使用AZO時(shí)的低輻射玻璃的透過光譜圖；
[0026]圖3是實(shí)施例二中使用YZO時(shí)的低輻射玻璃的透過光譜圖；
[0027]圖4是實(shí)施例二中使用AZO時(shí)的低輻射玻璃的透過光譜圖；
[0028]圖5是實(shí)施例三中的低輻射玻璃的反射光譜圖；
[0029]圖6是實(shí)施例三中的低輻射玻璃的透過光譜圖；
【具體實(shí)施方式】
`[0030]實(shí)施例一
[0031]一種具有高透過率的低輻射玻璃，其特征在于:所述功能膜層由SiNx/YZ0/Ag/￥20/^隊(duì)膜層結(jié)構(gòu)組成。其中功能膜層中各膜層的厚度依次為36.lnm、8.5nm、9.3nm、
8.2nm、29.3nm0
[0032]所述YZO膜層是以YZO陶瓷靶為原材料，通過磁控濺射方法制備而成，制備過程中真空度達(dá)到4X 10_3mbar后，使用中頻交流電源濺射YZO陶瓷靶制備YZO膜層，其中YZO陶瓷靶中的Y2O3的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3%，可摻雜Al2O3改善靶材導(dǎo)電性，Al2O3的含量為lwt%，且其中的Y2O3> ZnO以及Al2O3的純度分別為99.99%以上。
[0033]制作的單層YZO進(jìn)行TEM透射電鏡，發(fā)現(xiàn)其結(jié)構(gòu)為六角纖鋅礦結(jié)構(gòu)，和ZnO結(jié)構(gòu)一致，但是部分Zn的位置被釔取代，整體晶型規(guī)整。通過靶材使用功率的大小、玻璃的走速以及膜層的厚度計(jì)算得出YZO膜層的生長速率為4.96nm m/min/kw/m,也就是指在一千瓦時(shí)的功率密度下玻璃走速為一米每分鐘時(shí)，濺射的膜厚為4.96納米。
[0034]一種制備如上所述的具有高透過率的低輻射玻璃的方法，包括如下步驟，玻璃基片清洗一進(jìn)入真空腔室一逐層進(jìn)行磁控濺射一恢復(fù)大氣一下片；其中，逐層進(jìn)行磁控濺射階段，Ag層是通過直流脈沖電源磁控濺射沉積，其余膜層是使用中頻交流電源加旋轉(zhuǎn)陰極濺射沉積；Ag層中氣體流量為，Ar為lOOOsccm ；SiNx層中的氣體流量是:Ar為600sCCm，N2為600sccm ;YZO層中的氣體流量為，Ar為1200sccm。
[0035]如圖1所示，由測量的玻璃透過光譜得出，本實(shí)施例中低輻射玻璃在使用YZO膜層的情況下，透過率為85%。[0036]將上述其它膜層和厚度不變，將YZO膜層用AZO膜層替換，如圖2所示，透光率降低為80%。
[0037]經(jīng)過試驗(yàn)證明，使用YZO能使玻璃透過率升高約5個(gè)百分點(diǎn)，而且用此方法制備鍍膜玻璃電阻率為6.0 X 10_4 Ω，且該玻璃經(jīng)過鋼化后電阻率下降至3.0-2.5 X 10」Ω。
[0038]實(shí)施例二
[0039]一種具有高透過率的低輻射玻璃，其特征在于:所述功能膜層由所述功能膜層由51凡/21^10!￡/^8八20/51隊(duì)/21^10!￡/^8/附0/51隊(duì)膜層結(jié)構(gòu)組成。所述功能膜層中各膜層的厚度依次為 16.7nm> 17.7nm、7.5nm> 15.8nm> 14.lnm、52.7nm> 12.9nm、l.2nm> 18.8nm。
[0040]其中所述YZO膜層是以YZO陶瓷靶為原材料，通過磁控濺射方法制備而成，制備過程中真空度達(dá)到7 X 10_3mbar后，使用中頻交流電源濺射YZO陶瓷靶制備YZO膜層，其中YZO陶瓷靶中的Y2O3的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2%，可摻雜Al2O3改善靶材導(dǎo)電性，Al2O3的含量為0.5wt%0且其中的Υ203、Ζη0以及Al2O3的純度分別為99.99%以上。制作單層YZO進(jìn)行TEM透射電鏡，發(fā)現(xiàn)其結(jié)構(gòu)為六角纖鋅礦結(jié)構(gòu)，和ZnO結(jié)構(gòu)一致，但是部分Zn的位置被釔取代，整體晶型規(guī)整。通過靶材使用功率的大小、玻璃的走速以及膜層的厚度計(jì)算得出YZO膜層的生長速率為 4.96nm m/min/kw/m。
[0041]一種制備如上所述的具有高透過率的低輻射玻璃的方法，特征在于:包括如下步驟，玻璃基片清洗一進(jìn)入真空腔室一逐層進(jìn)行磁控濺射一恢復(fù)大氣一下片；其中，逐層進(jìn)行磁控濺射階段，Ag層和NiCr層是通過平面靶直流脈沖電源濺射沉積，其余膜層是旋轉(zhuǎn)靶中頻電源加旋轉(zhuǎn)陰極濺射沉積；其中，ZnAlOx層是通過對ZnAl靶進(jìn)行反應(yīng)濺射制備而成，ZnAlOx層派射氣氛為Ar:500sccm, O2:800sccm ；NiCr祀和Ag祀為純IJi賤射制備相應(yīng)膜層，Ar氣流量為lOOOsccm ;ΥΖ0層中的氣體流量為，Ar為1200sCCm ;SiNx層中的氣體流量是:Ar 為 600sccm, N2 為 600sccm。
[0042]如圖3所述，本實(shí)施中低輻射玻璃在使用YZO膜層的情況下，透過率為81%。
[0043]將上述其它膜層和厚度不變，將YZO膜層用AZO膜層替換，如圖4所示，透光率降低為78%。
[0044]實(shí)施例三
[0045]—種具有高透過率的低福射玻璃，其特征在于:所述功能膜層由SnZn0/ZnA10x/Ag/YZ0/ZnA10x/Ag/YZ0/SiNx膜層結(jié)構(gòu)組成，優(yōu)選的，功能膜層中各膜層的厚度依次為22.4nm、17.7nm、8.3nm、54.3nm、14.lnm、IL 2nm、8.lnm、18.0nm。
[0046]其中所述YZO膜層是以YZO陶瓷靶為原材料，通過磁控濺射方法制備而成，制備過程中真空度達(dá)到8 X 10_3mbar后，使用中頻交流電源濺射YZO陶瓷靶制備YZO膜層，其中YZO陶瓷靶中的Y2O3的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1%，Al2O3的含量應(yīng)控制在0.2wt%。且其中的Y203、ZnO以及Al2O3的純度分別為99 .99%以上。制作單層YZO進(jìn)行TEM透射電鏡，發(fā)現(xiàn)其結(jié)構(gòu)為六角纖鋅礦結(jié)構(gòu)，和ZnO結(jié)構(gòu)一致，但是部分Zn的位置被釔取代，整體晶型規(guī)整。通過靶材使用功率的大小、玻璃的走速以及膜層的厚度計(jì)算得出YZO膜層的生長速率為4.96nm m/min/kw/m0
[0047]一種制備如上所述的具有高透過率的低輻射玻璃的方法，包括如下步驟，玻璃基片清洗一進(jìn)入真空腔室一逐層進(jìn)行磁控濺射一恢復(fù)大氣一下片；其中，逐層進(jìn)行磁控濺射，Ag層是通過平面靶直流脈沖電源濺射沉積，其余膜層是旋轉(zhuǎn)靶中頻電源加旋轉(zhuǎn)陰極濺射沉積；其中SnZnO和ZnAlOx層分別是通過對ZnSn祀和ZnAl祀進(jìn)行反應(yīng)派射制備而成，ZnAl和ZnSn祀的派射氣氛為Ar:500sccm, O2:800sccm ；Ag層為純氬j賤射制備相應(yīng)膜層，Ar氣流量為lOOOsccm ;YZ0層中的氣體流量為，Ar為1200sCCm ;SiNx層中的氣體流量是:Ar為600sccm, N2 為 600sccm。
[0048]由圖5所示，可知其反射較低，而且對紅色光的反射明顯，能有效的解決光污染現(xiàn)象。
[0049]通過光度計(jì)測量得出，該玻璃的玻面顏色為反射Yg:4.88%，亮度L*g:26.4，紅綠顏色值a*g:-0.6(a*值為正表示為紅色，為負(fù)則為綠色，O為中性色)，藍(lán)黃顏色值b*g:-0.3(b*值為正表示為黃色，為負(fù)則為藍(lán)色，O為中性色)，整體接近中性色。
[0050]由圖6所示，本實(shí)施例的低輻射玻璃的透過率為82%。
[0051]以上對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)說明，但所述內(nèi)容僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，不能被認(rèn)為用于限定本發(fā)明的實(shí)施范圍。凡依本發(fā)明范圍所作的均等變化與改進(jìn)等，均應(yīng)仍歸屬于本專利涵蓋范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種具有高透過率的低輻射玻璃，包括玻璃基片和功能膜層，其特征在于:所述功能膜層包括YZO膜層和Ag層，其中，YZO膜層指的是氧化鋅摻釔膜層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高透過率的低輻射玻璃，其特征在于:所述YZO膜層是以YZO陶瓷靶為原材料，通過磁控濺射方法制備而成，制備過程中真空度達(dá)到4~8 X 10_3mbar后，使用中頻交流電源濺射YZO陶瓷靶制備YZO膜層，其中YZO陶瓷靶中的Y2O3的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1_3%，Al2O3的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0%-1%，其余成分為ZnO，且其中的Y203、ZnO以及Al2O3的純度分別為99.99%以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的具有高透過率的低輻射玻璃，其特征在于:所述功能膜層由SiNx/YZ0/Ag/YZ0/SiNx膜層結(jié)構(gòu)組成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有高透過率的低輻射玻璃，其特征在于:功能膜層中各膜層的厚度依次為 36.lnm、8.5nm、9.3nm、8.2nm、29.3nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的具有高透過率的低輻射玻璃，其特征在于:所述功能膜層由 SiNx/ZnA10x/Ag/YZ0/SiNx/ZnA10x/Ag/NiCr/SiNx 膜層結(jié)構(gòu)組成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的具有高透過率的低輻射玻璃，其特征在于:所述功能膜層中各膜層的厚度依次為 16.7nm、17.7nm>7.5nm、15.8nm、14.lnm>52.7nm、12.9nm、1.2nm、18.8nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的具有高透過率的低輻射玻璃，其特征在于:所述功能膜層由SnZn0/ZnA10x/Ag/YZ0/ZnA10x/Ag/YZ0/SiNx膜層結(jié)構(gòu)組成，優(yōu)選的，功能膜層中各膜層的厚度依次為 22.4nm、17.7nm、8.3nm、54.3nm、14.lnm、ll.2nm、8.lnm、18.0nm。
8.一種制備如權(quán)利要求3或4所述的具有高透過率的低輻射玻璃的方法，其特征在于:包括如下步驟，玻璃基片 清洗一進(jìn)入真空腔室一逐層進(jìn)行磁控濺射一恢復(fù)大氣一下片；其中，逐層進(jìn)行磁控濺射階段，Ag層是通過直流脈沖電源磁控濺射沉積，其余膜層是使用中頻交流電源加旋轉(zhuǎn)陰極濺射沉積；Ag層中氣體流量為，Ar為lOOOsccm ；SiNx層中的氣體流量是=Ar為600sccm, N2為600sccm ；ΥΖ0層中的氣體流量為，Ar為1200sccm。
9.一種制備如權(quán)利要求5或6所述的具有高透過率的低輻射玻璃的方法，其特征在于:包括如下步驟，玻璃基片清洗一進(jìn)入真空腔室一逐層進(jìn)行磁控濺射一恢復(fù)大氣一下片；其中，逐層進(jìn)行磁控濺射階段，Ag層和NiCr層是通過平面靶直流脈沖電源濺射沉積，其余膜層是旋轉(zhuǎn)祀中頻電源加旋轉(zhuǎn)陰極派射沉積；ZnA10x層派射氣氛為Ar:500sccm, O2:800sccm ；NiCr靶和Ag靶為純氬濺射制備相應(yīng)膜層，Ar氣流量為lOOOsccm ;ΥΖ0層中的氣體流量為，Ar為1200sccm ;SiNx層中的氣體流量是:Ar為600sccm，N2為600sccm。
10.一種制備如權(quán)利要求7所述的具有高透過率的低輻射玻璃的方法，其特征在于:包括如下步驟，玻璃基片清洗一進(jìn)入真空腔室一逐層進(jìn)行磁控濺射一恢復(fù)大氣一下片；其中，逐層進(jìn)行磁控濺射，Ag層是通過平面靶直流脈沖電源濺射沉積，ZnAlOx層和SnZnO層分別是通過對ZnAl靶和ZnSn靶進(jìn)行反應(yīng)濺射制備而成，其余膜層是旋轉(zhuǎn)靶中頻電源加旋轉(zhuǎn)陰極派射沉積；ZnAl和ZnSn祀的派射氣氛為Ar:500sccm,02:800sccm ;Ag層為純氬^賤射制備相應(yīng)膜層，Ar氣流量為lOOOsccm ;ΥΖ0層中的氣體流量為，Ar為1200sCCm ;SiNx層中的氣體流量是:Ar 為 600sccm, N2 為 600sccm。
【文檔編號】B32B17/00GK103818046SQ201410025311
【公開日】2014年5月28日 申請日期:2014年1月20日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月20日
【發(fā)明者】王勇, 王爍, 胡冰, 劉雙, 童帥 申請人:天津南玻節(jié)能玻璃有限公司