本公開涉及天線技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及切削后蓋的控制方法、裝置及切削設(shè)備。

背景技術(shù)：

目前，陶瓷后蓋由于其硬度高、耐磨損、外觀高亮、平整、美觀等特點正受到越來越多手機(jī)等終端廠商的青睞。但眾所周知，陶瓷后蓋加工良率極低，其中，一個比較重要的原因就是陶瓷后蓋成分復(fù)雜，介電常數(shù)難以做到一致，因此，這嚴(yán)重影響了使用陶瓷后蓋的終端的天線的性能。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本公開實施例提供了切削后蓋的控制方法、裝置及切削設(shè)備。所述技術(shù)方案如下：

根據(jù)本公開實施例的第一方面，提供一種切削后蓋的控制方法，包括：

確定待測試天線的當(dāng)前諧振頻率；

根據(jù)所述當(dāng)前諧振頻率和預(yù)設(shè)諧振頻率，確定將安裝所述待測試天線的終端所使用的后蓋的切削量施加至第一目標(biāo)切削量，其中，所述后蓋的初始厚度大于所述預(yù)設(shè)諧振頻率對應(yīng)的預(yù)設(shè)厚度；

根據(jù)所述第一目標(biāo)切削量將所述后蓋的厚度進(jìn)行切削。

在一個實施例中，所述根據(jù)所述當(dāng)前諧振頻率和預(yù)設(shè)諧振頻率，確定將安裝所述待測試天線的終端所使用的后蓋的切削量施加至第一目標(biāo)切削量，包括：

根據(jù)所述當(dāng)前諧振頻率和所述預(yù)設(shè)諧振頻率，確定所述預(yù)設(shè)諧振頻率和所述當(dāng)前諧振頻率之間的當(dāng)前諧振頻率差值；

當(dāng)所述當(dāng)前諧振頻率差值大于預(yù)設(shè)諧振頻率差值時，根據(jù)諧振頻率差值與后蓋切削量之間的預(yù)設(shè)對應(yīng)關(guān)系和所述當(dāng)前諧振頻率差值，確定在所述初始厚度下需要施加的所述第一目標(biāo)切削量。

在一個實施例中，所述確定待測試天線的當(dāng)前諧振頻率，包括：

向所述待測試天線的輸入端發(fā)射測試電磁波，以獲得所述輸入端的回波損耗；

根據(jù)所述回波損耗，確定所述當(dāng)前諧振頻率。

在一個實施例中，根據(jù)所述回波損耗，確定所述當(dāng)前諧振頻率，包括：

當(dāng)所述回波損耗包括多個時，確定多個所述回波損耗中最小回波損耗對應(yīng)的電磁波頻率；

將所述最小回波損耗對應(yīng)的電磁波頻率確定為所述當(dāng)前諧振頻率。

在一個實施例中，所述后蓋包括陶瓷后蓋，且在確定所述待測試天線的當(dāng)前諧振頻率時，所述陶瓷后蓋放置于所述待測試天線的上空，用于遮擋所述待測試天線；

所述待測試天線包括：平面天線。

在一個實施例中，所述陶瓷后蓋的下底面與所述待測試天線之間的高度不大于預(yù)設(shè)高度。

在一個實施例中，所述根據(jù)所述第一目標(biāo)切削量將所述后蓋的厚度進(jìn)行切削，包括：

根據(jù)所述第一目標(biāo)切削量和預(yù)設(shè)切削量閾值，將所述后蓋的厚度切削第二目標(biāo)切削量，其中，所述第二目標(biāo)切削量等于所述第一目標(biāo)切削量與所述預(yù)設(shè)切削量閾值的差值。

在一個實施例中，所述根據(jù)所述第一目標(biāo)切削量將所述后蓋的厚度進(jìn)行切削，包括：

根據(jù)所述第一目標(biāo)切削量將所述后蓋上與所述待測試天線對應(yīng)的預(yù)設(shè)區(qū)域的厚度進(jìn)行切削。

根據(jù)本公開實施例的第二方面，提供一種切削后蓋的控制裝置，包括：

確定模塊，用于確定待測試天線的當(dāng)前諧振頻率；

處理模塊，用于根據(jù)所述當(dāng)前諧振頻率和預(yù)設(shè)諧振頻率，確定將安裝所述待測試天線的終端所使用的后蓋的切削量施加至第一目標(biāo)切削量，其中，所述后蓋的初始厚度大于所述預(yù)設(shè)諧振頻率對應(yīng)的預(yù)設(shè)厚度；

切削模塊，用于根據(jù)所述第一目標(biāo)切削量將所述后蓋的厚度進(jìn)行切削。

在一個實施例中，所述處理模塊包括：

第一確定子模塊，用于根據(jù)所述當(dāng)前諧振頻率和所述預(yù)設(shè)諧振頻率，確定所述預(yù)設(shè)諧振頻率和所述當(dāng)前諧振頻率之間的當(dāng)前諧振頻率差值；

第二確定子模塊，用于當(dāng)所述當(dāng)前諧振頻率差值大于預(yù)設(shè)諧振頻率差值時，根據(jù)諧振頻率差值與后蓋切削量之間的預(yù)設(shè)對應(yīng)關(guān)系和所述當(dāng)前諧振頻率差值，確定在所述初始厚度下需要施加的所述第一目標(biāo)切削量。

在一個實施例中，所述確定模塊包括：

發(fā)射子模塊，用于向所述待測試天線的輸入端發(fā)射測試電磁波，以獲得所述輸入端的回波損耗；

第三確定子模塊，用于根據(jù)所述回波損耗，確定所述當(dāng)前諧振頻率。

在一個實施例中，所述第三確定子模塊包括：

第一確定單元，用于當(dāng)所述回波損耗包括多個時，確定多個所述回波損耗中最小回波損耗對應(yīng)的電磁波頻率；

第二確定單元，用于將所述最小回波損耗對應(yīng)的電磁波頻率確定為所述當(dāng)前諧振頻率。

在一個實施例中，所述后蓋包括陶瓷后蓋，且在確定所述待測試天線的當(dāng)前諧振頻率時，所述陶瓷后蓋放置于所述待測試天線的上空，用于遮擋所述待測試天線；

所述待測試天線包括：平面天線。

在一個實施例中，所述陶瓷后蓋的下底面與所述待測試天線之間的高度不大于預(yù)設(shè)高度。

在一個實施例中，所述切削模塊包括：

第一切削子模塊，用于根據(jù)所述第一目標(biāo)切削量和預(yù)設(shè)切削量閾值，將所述后蓋的厚度切削第二目標(biāo)切削量，其中，所述第二目標(biāo)切削量等于所述第一目標(biāo)切削量與所述預(yù)設(shè)切削量閾值的差值。

在一個實施例中，所述切削模塊包括：

第二切削子模塊，用于根據(jù)所述第一目標(biāo)切削量將所述后蓋上與所述待測試天線對應(yīng)的預(yù)設(shè)區(qū)域的厚度進(jìn)行切削。

根據(jù)本公開實施例的第三方面，提供一種切削設(shè)備，包括：如上述技術(shù)方案中任一項所述的切削后蓋的控制裝置。

根據(jù)本公開實施例的第四方面，提供了一種切削后蓋的控制裝置，包括：

處理器；

用于存儲處理器可執(zhí)行指令的存儲器；

其中，所述處理器被配置為：

確定待測試天線的當(dāng)前諧振頻率；

根據(jù)所述當(dāng)前諧振頻率和預(yù)設(shè)諧振頻率，將安裝所述待測試天線的終端所使用的后蓋的切削量施加至第一目標(biāo)切削量，其中，所述后蓋的初始厚度大于所述預(yù)設(shè)諧振頻率對應(yīng)的預(yù)設(shè)厚度；

根據(jù)所述第一目標(biāo)切削量將所述后蓋的厚度進(jìn)行切削。

本公開的實施例提供的技術(shù)方案可以包括以下有益效果：

本公開的實施例提供的技術(shù)方案，由于天線的諧振頻率是衡量天線性能的一個重要指標(biāo)，而根據(jù)天線諧振原理可知天線的諧振頻率除了與終端后蓋的介電常數(shù)有關(guān)，還與終端后蓋的介質(zhì)厚度，因而，在確定待測試天線的當(dāng)前諧振頻率后，可以根據(jù)該當(dāng)前諧振頻率和預(yù)設(shè)諧振頻率，確定安裝該待測試天線的終端所使用的后蓋適宜的第一目標(biāo)切削量，然后根據(jù)該第一目標(biāo)切削量將后蓋的厚度進(jìn)行切削即可實現(xiàn)調(diào)整該待測試天線的諧振頻率，進(jìn)而實現(xiàn)通過調(diào)整使用該待測試天線的終端的后蓋厚度來提高后蓋的加工良率，提高天線的性能，以盡可能地避免由于后蓋的介電常數(shù)難以做到一致而影響后蓋的加工良率進(jìn)而影響天線的性能。

應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本公開。

附圖說明

此處的附圖被并入說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分，示出了符合本公開的實施例，并與說明書一起用于解釋本公開的原理。

圖1是根據(jù)一示例性實施例示出的一種切削后蓋的控制方法的流程圖。

圖2是根據(jù)一示例性實施例示出的另一種切削后蓋的控制方法的流程圖。

圖3是根據(jù)一示例性實施例示出的又一種切削后蓋的控制方法的流程圖。

圖4是根據(jù)一示例性實施例示出的再一種切削后蓋的控制方法的流程圖。

圖5是根據(jù)一示例性實施例示出的再一種切削后蓋的控制方法的流程圖。

圖6是根據(jù)一示例性實施例示出的再一種切削后蓋的控制方法的流程圖。

圖7是根據(jù)一示例性實施例示出的一種切削后蓋的控制裝置的框圖。

圖8是根據(jù)一示例性實施例示出的另一種切削后蓋的控制裝置的框圖。

圖9是根據(jù)一示例性實施例示出的又一種切削后蓋的控制裝置的框圖。

圖10是根據(jù)一示例性實施例示出的再一種切削后蓋的控制裝置的框圖。

圖11是根據(jù)一示例性實施例示出的再一種切削后蓋的控制裝置的框圖。

圖12是根據(jù)一示例性實施例示出的再一種切削后蓋的控制裝置的框圖。

圖13是根據(jù)一示例性實施例示出的在測試待測試天線的諧振頻率時，待測試天線與陶瓷后蓋的位置關(guān)系的截面示意圖。

圖14是根據(jù)一示例性實施例示出的適用于切削后蓋的控制裝置的框圖。

具體實施方式

這里將詳細(xì)地對示例性實施例進(jìn)行說明，其示例表示在附圖中。下面的描述涉及附圖時，除非另有表示，不同附圖中的相同數(shù)字表示相同或相似的要素。以下示例性實施例中所描述的實施方式并不代表與本公開相一致的所有實施方式。相反，它們僅是與如所附權(quán)利要求書中所詳述的、本公開的一些方面相一致的裝置和方法的例子。

目前，陶瓷后蓋由于其硬度高、耐磨損、外觀高亮、平整、美觀等特點正受到越來越多手機(jī)等終端廠商的青睞。但眾所周知，陶瓷后蓋加工良率極低，其中，一個比較重要的原因就是陶瓷后蓋成分復(fù)雜，介電常數(shù)難以做到一致，因此，這嚴(yán)重影響了使用陶瓷后蓋的終端內(nèi)所放置的天線的性能和陶瓷后蓋的終端的大規(guī)模生產(chǎn)。

為了解決上述技術(shù)問題，本公開實施例提供了一種切削后蓋的控制方法，該方法可用于切削后蓋的控制程序、系統(tǒng)或裝置中，且該方法對應(yīng)的執(zhí)行主體可以是能夠測試諧振頻率的切削設(shè)備或者是與切削設(shè)備相連接的、用于測試諧振頻率并控制切削設(shè)備對后蓋進(jìn)行切削的計算機(jī)等設(shè)備，如圖1所示，該方法包括步驟s101至步驟s103：

在步驟s101中，確定待測試天線的當(dāng)前諧振頻率；

待測試天線可以包括：終端中使用的平面天線(如planarinvertedf-shapedantenna，平面倒f型天線)、微帶貼片天線、縫隙天線、ifa天線(倒f天線)、平板天線等內(nèi)置天線。

在步驟s102中，根據(jù)當(dāng)前諧振頻率和預(yù)設(shè)諧振頻率，確定將安裝待測試天線的終端所使用的后蓋的切削量施加至第一目標(biāo)切削量，其中，后蓋的初始厚度大于預(yù)設(shè)諧振頻率對應(yīng)的預(yù)設(shè)厚度，而初始厚度大于預(yù)設(shè)厚度是對后蓋進(jìn)行切削以改善天線性能的基礎(chǔ)；

該待測試天線是終端中需要使用到的用于發(fā)射和接收信號，以支持終端進(jìn)行cs(circuitswitched，電路交換)域業(yè)務(wù)和ps域(packetswitch，分組交換)業(yè)務(wù)的天線，而該后蓋可以是該終端使用的陶瓷后蓋等，同時安裝待測試天線的終端可以是手機(jī)、平板等需要使用天線的設(shè)備。

在步驟s103中，根據(jù)第一目標(biāo)切削量將后蓋的厚度進(jìn)行切削。

由于天線的諧振頻率是衡量天線性能的一個重要指標(biāo)，而根據(jù)天線諧振原理可知天線的諧振頻率除了與終端后蓋的介電常數(shù)有關(guān)，還與終端后蓋的介質(zhì)厚度，因而，在確定待測試天線的當(dāng)前諧振頻率后，可以根據(jù)該當(dāng)前諧振頻率和預(yù)設(shè)諧振頻率，確定安裝該待測試天線的終端所使用的后蓋適宜的第一目標(biāo)切削量，然后根據(jù)該第一目標(biāo)切削量將后蓋的厚度進(jìn)行切削即可實現(xiàn)調(diào)整該待測試天線的諧振頻率，進(jìn)而實現(xiàn)通過調(diào)整使用該待測試天線的終端的后蓋厚度來提高后蓋的加工良率，提高天線的性能，以盡可能地避免由于后蓋的介電常數(shù)難以做到一致而影響后蓋的加工良率進(jìn)而影響天線的性能。

另外，在執(zhí)行主體為與切削設(shè)備相連接的、用于測試諧振頻率并控制切削設(shè)備對后蓋進(jìn)行切削的計算機(jī)等設(shè)備時，上述步驟s103可以被執(zhí)行為：將第一目標(biāo)切削量發(fā)送至用于切削后蓋的切削設(shè)備，以控制切削設(shè)備根據(jù)第一目標(biāo)切削量將后蓋的厚度進(jìn)行切削；當(dāng)然，為了確保切削設(shè)備能夠切削該后蓋，在將該第一目標(biāo)切削量發(fā)送至用于切削該后蓋的切削設(shè)備同時，可以通過機(jī)器臂將該后蓋移動至切削設(shè)備，以供切削。

如圖2所示，在一個實施例中，上述圖1所示的步驟s102可以包括步驟a1和步驟a2：

在步驟a1中，根據(jù)當(dāng)前諧振頻率和預(yù)設(shè)諧振頻率，確定預(yù)設(shè)諧振頻率和當(dāng)前諧振頻率之間的當(dāng)前諧振頻率差值；

其中，預(yù)設(shè)諧振頻率用于表征該待測試天線在理想條件(即終端的后蓋的介電常數(shù)比較均勻，厚度比較適宜)下的最佳諧振頻率。

在步驟a2中，當(dāng)當(dāng)前諧振頻率差值大于預(yù)設(shè)諧振頻率差值時，根據(jù)諧振頻率差值與后蓋切削量之間的預(yù)設(shè)對應(yīng)關(guān)系和當(dāng)前諧振頻率差值，確定在初始厚度下需要施加的第一目標(biāo)切削量，其中，該預(yù)設(shè)對應(yīng)關(guān)系可以通過表格或者曲線的形式進(jìn)行體現(xiàn)。

當(dāng)該當(dāng)前諧振頻率差值大于預(yù)設(shè)諧振頻率差值時，說明當(dāng)前諧振頻率偏移量過大且當(dāng)前諧振頻率小于預(yù)設(shè)諧振頻率，而終端天線的諧振頻率又與終端所使用的后蓋的厚度息息相關(guān)，因而，可通過減小終端的后蓋的厚度來調(diào)整天線的諧振頻率，具體地，可根據(jù)事先預(yù)置的諧振頻率差值與后蓋切削量之間的預(yù)設(shè)對應(yīng)關(guān)系和該當(dāng)前諧振頻率差值，準(zhǔn)確確定在該初始厚度下該后蓋所適宜的第一目標(biāo)切削量，以便于根據(jù)該第一目標(biāo)切削量來減小后蓋的厚度，進(jìn)而改良后蓋的加工良率和天線的性能，這也有利于陶瓷后蓋的終端的大規(guī)模生產(chǎn)。

如圖3所示，在一個實施例中，上述圖1中的步驟s101可以包括步驟b1和步驟b2：

在步驟b1中，向待測試天線的輸入端發(fā)射測試電磁波，以獲得輸入端的回波損耗，其中，該待測試天線的輸入端即該待測試天線的饋電點；

在測試待測試天線時，為了向該待測試天線的輸入端發(fā)射測試電磁波，能夠發(fā)射測試電磁波以獲得輸入端的回波損耗的執(zhí)行主體應(yīng)該與該輸入端相連接的且該輸入端暫且不與終端相連接。

其次，該測試電磁波的頻率和功率可能不斷變化，而執(zhí)行主體記錄著其每一時刻所發(fā)射的測試電磁波的頻率和發(fā)射功率，當(dāng)然，該測試電磁波可以有一定的頻寬，如該測試電磁波的頻寬可以是0～5ghz。

另外，由于待測試天線在正常工作時，會接收到低頻段電磁波和高頻段電磁波，而低頻段電磁波下的預(yù)設(shè)諧振頻率和對應(yīng)的預(yù)設(shè)厚度與高頻段電磁波下的預(yù)設(shè)諧振頻率和對應(yīng)的預(yù)設(shè)厚度稍微有所不同，同時天線在高頻段電磁波下的性能受后蓋厚度的影響更大，因而，本公開的預(yù)設(shè)諧振頻率可以是高頻段下的最佳諧振頻率，同時在發(fā)射測試電磁波時，可以發(fā)射高頻段的電磁波。

最后，回波損耗，又稱為反射損耗，是傳輸線端口的反射波功率與入射波功率之比。因而，該輸入端的回波損耗等于該輸入端對該測試電磁波的反射功率與該測試電磁波的發(fā)射功率的比值。

在步驟b2中，根據(jù)回波損耗，確定當(dāng)前諧振頻率。

通過向待測試天線的輸入端發(fā)射測試電磁波，可以獲得該輸入端每一時刻的回波損耗，而由于執(zhí)行主體在發(fā)射測試電磁波時，記錄了每一時刻的測試電磁波的頻率和發(fā)射功率，因而，在得到其回波損耗時，可以建立回波損耗與該測試電磁波的頻率之間的對應(yīng)關(guān)系，并根據(jù)該對應(yīng)關(guān)系準(zhǔn)確確定出該天線的當(dāng)前諧振頻率。

另外，回波損耗與該測試電磁波的頻率之間的對應(yīng)關(guān)系可以用曲線的形式進(jìn)行表示，即在獲得其輸入端每一時刻的回波損耗時，執(zhí)行主體可以根據(jù)記錄的每一時刻該測試電磁波的發(fā)射頻率，自動獲得關(guān)于回波損耗和該測試電磁波的頻率的曲線。

如圖4所示，在一個實施例中，上述圖3所示的步驟b2可以包括步驟c1和步驟c2：

在步驟c1中，當(dāng)回波損耗包括多個時，確定多個回波損耗中最小回波損耗對應(yīng)的電磁波頻率；

在步驟c2中，將最小回波損耗對應(yīng)的電磁波頻率確定為當(dāng)前諧振頻率。

由于天線發(fā)生諧振時，其回波損耗最低，因而，當(dāng)該回波損耗包括多個時，可以根據(jù)獲得的回波損耗與該待測試電磁波的發(fā)射頻率之間的對應(yīng)關(guān)系，確定多個回波損耗中最小回波損耗對應(yīng)的電磁波頻率，進(jìn)而將最小回波損耗對應(yīng)的電磁波頻率確定為當(dāng)前諧振頻率。

在一個實施例中，后蓋包括陶瓷后蓋，且在確定待測試天線的當(dāng)前諧振頻率時，陶瓷后蓋放置于待測試天線的上空，用于遮擋待測試天線(如圖13所示)。

根據(jù)天線的輻射特性可知，天線的輻射方向主要朝上，因而，陶瓷后蓋位于該測試天線的上空、遮擋該待測試天線時，天線的反射功率受影響最大，進(jìn)而天線的回波損耗受影響最大并最終導(dǎo)致天線的諧振頻率受影響最大，所以，在確定天線的當(dāng)前諧振頻率時，應(yīng)該將陶瓷后蓋放置于待測試天線的上空以遮擋著待測試天線，從而確保測試出的當(dāng)前諧振頻率和得到的后蓋的第一目標(biāo)切削量更為準(zhǔn)確。

最后，在測試該待測試天線的當(dāng)前諧振頻率時，可以將待測試天線放置在一個與使用該類型的待測試天線的終端的形狀相同的測試模具中，而該陶瓷后蓋可以與該測試模具緊扣或者通過支架放置在該測試模具上空，只要能夠遮擋該待測試天線即可，當(dāng)然，如果使用測試模具且該陶瓷后蓋與該測試模具緊扣，則測試模具的側(cè)壁會設(shè)計有孔，以便于測試天線的輸入端能夠通過連接線與執(zhí)行主體相連接，使得執(zhí)行主體能夠向輸入端發(fā)射測試電磁波；

或者，

在測試該待測試天線的當(dāng)前諧振頻率時，待測試天線也可以放置在一個使用該類型的待測試天線的終端中，同樣地，該陶瓷后蓋也可以與該終端緊扣或者通過支架放置在該終端上空，只要能夠遮擋該待測試天線即可，當(dāng)然，如果待測試天線放置在終端中且該陶瓷后蓋與終端緊扣，則終端的側(cè)壁需要設(shè)計有孔，以便于測試天線的輸入端能夠通過連接線與執(zhí)行主體相連接，使得執(zhí)行主體能夠向輸入端發(fā)射測試電磁波，而這種情況下，由于需要專門在終端的側(cè)壁打孔，因而，會破壞終端的外殼。

在一個實施例中，待測試天線包括：平面天線。

該待測試天線為終端中常用的若干類天線，包括但不限于平面天線(如planarinvertedf-shapedantenna，平面倒f型天線)，例如：還可以包括終端中使用的微帶貼片天線、縫隙天線、ifa天線(倒f天線)、平板天線等內(nèi)置天線。

在一個實施例中，陶瓷后蓋的下底面與待測試天線之間的高度不大于預(yù)設(shè)高度。

在將陶瓷后蓋放置于待測試天線的上空時，可以仿照已發(fā)布的具有陶瓷后蓋的終端中天線與陶瓷后蓋的下底面的距離放置，使得陶瓷后蓋的下底面與待測試天線之間的高度不大于預(yù)設(shè)高度，從而確保測出的當(dāng)前諧振頻率和第一目標(biāo)切削量更為準(zhǔn)確、真實，其中，該預(yù)設(shè)高度可以是1～2毫米。

如圖5所示，在一個實施例中，上述圖1所示的步驟s103，即根據(jù)第一目標(biāo)切削量將后蓋的厚度進(jìn)行切削，可以包括步驟d1：

在步驟d1中，根據(jù)第一目標(biāo)切削量和預(yù)設(shè)切削量閾值，將后蓋的厚度切削第二目標(biāo)切削量，其中，第二目標(biāo)切削量等于第一目標(biāo)切削量與預(yù)設(shè)切削量閾值的差值。

由于當(dāng)前諧振頻率低于預(yù)設(shè)諧振頻率時，說明后蓋厚度較厚，可以通過切削后蓋來調(diào)整當(dāng)前諧振頻率和天線的性能，而一旦切削的過多導(dǎo)致當(dāng)前諧振頻率過高，只能將后蓋回爐重造以增加后蓋厚度，因而，為了盡可能避免后蓋切削的過多導(dǎo)致當(dāng)前諧振頻率過高而無法通過繼續(xù)執(zhí)行本公開的實施例來調(diào)整天線的性能，該陶瓷后蓋的初始厚度應(yīng)該盡量大一些，同時在切削后蓋時，可預(yù)留一定的切削空間，即根據(jù)第一目標(biāo)切削量和預(yù)設(shè)切削量閾值，將后蓋的厚度切削第二目標(biāo)切削量，而不是直接切削第一目標(biāo)切削量，以盡可能避免切削的過多。

如圖6所示，在一個實施例中，在一個實施例中，上述圖1所示的步驟s103，即根據(jù)第一目標(biāo)切削量將后蓋的厚度進(jìn)行切削，可以包括步驟d2：

在步驟d2中，根據(jù)第一目標(biāo)切削量將后蓋上與待測試天線對應(yīng)的預(yù)設(shè)區(qū)域的厚度進(jìn)行切削。

在將后蓋的厚度進(jìn)行切削時，可以根據(jù)第一目標(biāo)切削量僅將后蓋上與待測試天線對應(yīng)的預(yù)設(shè)區(qū)域的厚度進(jìn)行切削，而后蓋上除預(yù)設(shè)區(qū)域之外的區(qū)域的厚度并不切削，如根據(jù)第一目標(biāo)切削量將后蓋上對應(yīng)的包含該待測試天線在內(nèi)的一個最小的矩形區(qū)域、圓形區(qū)域、橢圓形區(qū)域進(jìn)行切削，而后蓋上的其他區(qū)域不進(jìn)行切削；

當(dāng)然，這種切削方式會使得后蓋凹凸不平，因而，如果需要平整的后蓋，還可以根據(jù)第一目標(biāo)切削量將整個后蓋區(qū)域都進(jìn)行切削。

最后，上述實施例可以單獨實施，或者相互結(jié)合后實施。

對應(yīng)本公開實施例提供的上述切削后蓋的控制方法，本公開實施例還提供一種切削后蓋的控制裝置。

圖7是根據(jù)一示例性實施例示出的一種切削后蓋的控制裝置的框圖。

如圖7所示，該裝置包括確定模塊701、處理模塊702和切削模塊703：

確定模塊701，被配置為確定待測試天線的當(dāng)前諧振頻率；

處理模塊702，被配置為根據(jù)當(dāng)前諧振頻率和預(yù)設(shè)諧振頻率，確定將安裝待測試天線的終端所使用的后蓋的切削量施加至第一目標(biāo)切削量，其中，后蓋的初始厚度大于預(yù)設(shè)諧振頻率對應(yīng)的預(yù)設(shè)厚度；

切削模塊703，被配置為根據(jù)第一目標(biāo)切削量將后蓋的厚度進(jìn)行切削。

圖8是根據(jù)一示例性實施例示出的另一種切削后蓋的控制裝置的框圖。

如圖8所示，在一個實施例中，上述圖7所示的處理模塊702可以包括第一確定子模塊7021和第二確定子模塊7022：

第一確定子模塊7021，被配置為根據(jù)當(dāng)前諧振頻率和預(yù)設(shè)諧振頻率，確定預(yù)設(shè)諧振頻率和當(dāng)前諧振頻率之間的當(dāng)前諧振頻率差值；

第二確定子模塊7022，被配置為當(dāng)當(dāng)前諧振頻率差值大于預(yù)設(shè)諧振頻率差值時，根據(jù)諧振頻率差值與后蓋切削量之間的預(yù)設(shè)對應(yīng)關(guān)系和當(dāng)前諧振頻率差值，確定在初始厚度下需要施加的第一目標(biāo)切削量。

圖9是根據(jù)一示例性實施例示出的又一種切削后蓋的控制裝置的框圖。

如圖9所示，在一個實施例中，上述圖7所示的確定模塊701可以包括發(fā)射子模塊7011和第三確定子模塊7012：

發(fā)射子模塊7011，被配置為向待測試天線的輸入端發(fā)射測試電磁波，以獲得輸入端的回波損耗；

第三確定子模塊7012，被配置為根據(jù)回波損耗，確定當(dāng)前諧振頻率。

圖10是根據(jù)一示例性實施例示出的再一種切削后蓋的控制裝置的框圖。

如圖10所示，在一個實施例中，上述圖9所示的第三確定子模塊7012可以包括第一確定單元70121和第二確定單元70122：

第一確定單元70121，被配置為當(dāng)回波損耗包括多個時，確定多個回波損耗中最小回波損耗對應(yīng)的電磁波頻率；

第二確定單元70122，被配置為將最小回波損耗對應(yīng)的電磁波頻率確定為當(dāng)前諧振頻率。

在一個實施例中，后蓋包括陶瓷后蓋，且在確定待測試天線的當(dāng)前諧振頻率時，陶瓷后蓋放置于待測試天線的上空，被配置為遮擋待測試天線；

待測試天線包括：平面天線。

在一個實施例中，陶瓷后蓋的下底面與待測試天線之間的高度不大于預(yù)設(shè)高度。

圖11是根據(jù)一示例性實施例示出的再一種切削后蓋的控制裝置的框圖。

如圖11所示，在一個實施例中，上述圖7所示的切削模塊703可以包括第一切削子模塊7031：

第一切削子模塊7031，被配置為根據(jù)第一目標(biāo)切削量和預(yù)設(shè)切削量閾值，將后蓋的厚度切削第二目標(biāo)切削量，其中，第二目標(biāo)切削量等于第一目標(biāo)切削量與預(yù)設(shè)切削量閾值的差值。

圖12是根據(jù)一示例性實施例示出的再一種切削后蓋的控制裝置的框圖。

如圖12所示，在一個實施例中，上述圖7所示的切削模塊703可以包括第二切削子模塊7032：

第二切削子模塊7032，被配置為根據(jù)第一目標(biāo)切削量將后蓋上與待測試天線對應(yīng)的預(yù)設(shè)區(qū)域的厚度進(jìn)行切削。

根據(jù)本公開實施例的第三方面，提供一種切削設(shè)備，包括：如上述技術(shù)方案中任一項的切削后蓋的控制裝置。

該切削設(shè)備的技術(shù)效果與上述技術(shù)方案中任一項的切削后蓋的控制裝置的技術(shù)效果相同，此處不再贅述。

根據(jù)本公開實施例的第四方面，提供一種切削后蓋的控制裝置，包括：

處理器；

用于存儲處理器可執(zhí)行指令的存儲器；

其中，處理器被配置為：

確定待測試天線的當(dāng)前諧振頻率；

根據(jù)所述當(dāng)前諧振頻率和預(yù)設(shè)諧振頻率，確定將安裝所述待測試天線的終端所使用的后蓋的切削量施加至第一目標(biāo)切削量，其中，所述后蓋的初始厚度大于所述預(yù)設(shè)諧振頻率對應(yīng)的預(yù)設(shè)厚度；

根據(jù)所述第一目標(biāo)切削量將所述后蓋的厚度進(jìn)行切削。

上述處理器還可被配置為：

所述根據(jù)所述當(dāng)前諧振頻率和預(yù)設(shè)諧振頻率，確定將安裝所述待測試天線的終端所使用的后蓋的切削量施加至第一目標(biāo)切削量，包括：

根據(jù)所述當(dāng)前諧振頻率和所述預(yù)設(shè)諧振頻率，確定所述預(yù)設(shè)諧振頻率和所述當(dāng)前諧振頻率之間的當(dāng)前諧振頻率差值；

當(dāng)所述當(dāng)前諧振頻率差值大于預(yù)設(shè)諧振頻率差值時，根據(jù)諧振頻率差值與后蓋切削量之間的預(yù)設(shè)對應(yīng)關(guān)系和所述當(dāng)前諧振頻率差值，確定在所述初始厚度下需要施加的所述第一目標(biāo)切削量。

上述處理器還可被配置為：

所述確定待測試天線的當(dāng)前諧振頻率，包括：

向所述待測試天線的輸入端發(fā)射測試電磁波，以獲得所述輸入端的回波損耗；

根據(jù)所述回波損耗，確定所述當(dāng)前諧振頻率。

上述處理器還可被配置為：

根據(jù)所述回波損耗，確定所述當(dāng)前諧振頻率，包括：

當(dāng)所述回波損耗包括多個時，確定多個所述回波損耗中最小回波損耗對應(yīng)的電磁波頻率；

將所述最小回波損耗對應(yīng)的電磁波頻率確定為所述當(dāng)前諧振頻率。

上述處理器還可被配置為：

所述后蓋包括陶瓷后蓋，且在確定所述待測試天線的當(dāng)前諧振頻率時，所述陶瓷后蓋放置于所述待測試天線的上空，用于遮擋所述待測試天線；

所述待測試天線包括：平面天線。

上述處理器還可被配置為：

所述陶瓷后蓋的下底面與所述待測試天線之間的高度不大于預(yù)設(shè)高度。

上述處理器還可被配置為：

所述根據(jù)所述第一目標(biāo)切削量將所述后蓋的厚度進(jìn)行切削，包括：

根據(jù)所述第一目標(biāo)切削量和預(yù)設(shè)切削量閾值，將所述后蓋的厚度切削第二目標(biāo)切削量，其中，所述第二目標(biāo)切削量等于所述第一目標(biāo)切削量與所述預(yù)設(shè)切削量閾值的差值。

上述處理器還可被配置為：

所述根據(jù)所述第一目標(biāo)切削量將所述后蓋的厚度進(jìn)行切削，包括：

根據(jù)所述第一目標(biāo)切削量將所述后蓋上與所述待測試天線對應(yīng)的預(yù)設(shè)區(qū)域的厚度進(jìn)行切削。

圖14是根據(jù)一示例性實施例示出的一種用于切削后蓋的控制裝置1400的框圖，該裝置適用于終端切削設(shè)備。例如，裝置1400可以是移動電話，計算機(jī)，數(shù)字廣播終端，消息收發(fā)切削設(shè)備，游戲控制臺，平板切削設(shè)備，醫(yī)療切削設(shè)備，健身切削設(shè)備，個用戶數(shù)字助理等。

參照圖14，裝置1400可以包括以下一個或至少兩個組件：處理組件1402，存儲器1404，電源組件1406，多媒體組件1408，音頻組件1410，輸入/輸出(i/o)接口1412，傳感器組件1414，以及通信組件1416。

處理組件1402通?？刂蒲b置1400的整體操作，諸如與顯示，電話呼叫，數(shù)據(jù)通信，相機(jī)操作和記錄操作相關(guān)聯(lián)的操作。處理組件1402可以包括一個或至少兩個處理器1420來執(zhí)行指令，以完成上述的方法的全部或部分步驟。此外，處理組件1402可以包括一個或至少兩個模塊，便于處理組件1402和其他組件之間的交互。例如，處理組件1402可以包括多媒體模塊，以方便多媒體組件1408和處理組件1402之間的交互。

存儲器1404被配置為存儲各種類型的數(shù)據(jù)以支持在裝置1400的操作。這些數(shù)據(jù)的示例包括用于在裝置1400上操作的任何存儲對象或方法的指令，聯(lián)系用戶數(shù)據(jù)，電話簿數(shù)據(jù)，消息，圖片，視頻等。存儲器1404可以由任何類型的易失性或非易失性存儲切削設(shè)備或者它們的組合實現(xiàn)，如靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(sram)，電可擦除可編程只讀存儲器(eeprom)，可擦除可編程只讀存儲器(eprom)，可編程只讀存儲器(prom)，只讀存儲器(rom)，磁存儲器，快閃存儲器，磁盤或光盤。

電源組件1406為裝置1400的各種組件提供電源。電源組件1406可以包括電源管理系統(tǒng)，一個或至少兩個電源，及其他與為裝置1400生成、管理和分配電源相關(guān)聯(lián)的組件。

多媒體組件1408包括在所述裝置1400和用戶之間的提供一個輸出接口的屏幕。在一些實施例中，屏幕可以包括液晶顯示器(lcd)和觸摸面板(tp)。如果屏幕包括觸摸面板，屏幕可以被實現(xiàn)為觸摸屏，以接收來自用戶的輸入信號。觸摸面板包括一個或至少兩個觸摸傳感器以感測觸摸、滑動和觸摸面板上的手勢。所述觸摸傳感器可以不僅感測觸摸或滑動動作的邊界，而且還檢測與所述觸摸或滑動操作相關(guān)的持續(xù)時間和壓力。在一些實施例中，多媒體組件1408包括一個前置攝像頭和/或后置攝像頭。當(dāng)裝置1400處于操作模式，如拍攝模式或視頻模式時，前置攝像頭和/或后置攝像頭可以接收外部的多媒體數(shù)據(jù)。每個前置攝像頭和后置攝像頭可以是一個固定的光學(xué)透鏡系統(tǒng)或具有焦距和光學(xué)變焦能力。

音頻組件1410被配置為輸出和/或輸入音頻信號。例如，音頻組件1410包括一個麥克風(fēng)(mic)，當(dāng)裝置1400處于操作模式，如呼叫模式、記錄模式和語音識別模式時，麥克風(fēng)被配置為接收外部音頻信號。所接收的音頻信號可以被進(jìn)一步存儲在存儲器1404或經(jīng)由通信組件1416發(fā)送。在一些實施例中，音頻組件1410還包括一個揚(yáng)聲器，用于輸出音頻信號。

i/o接口1412為處理組件1402和外圍接口模塊之間提供接口，上述外圍接口模塊可以是鍵盤，點擊輪，按鈕等。這些按鈕可包括但不限于：主頁按鈕、音量按鈕、啟動按鈕和鎖定按鈕。

傳感器組件1414包括一個或至少兩個傳感器，用于為裝置1400提供各個方面的狀態(tài)評估。例如，傳感器組件1414可以檢測到裝置1400的打開/關(guān)閉狀態(tài)，組件的相對定位，例如所述組件為裝置1400的顯示器和小鍵盤，傳感器組件1414還可以檢測裝置1400或裝置1400一個組件的位置改變，用戶與裝置1400接觸的存在或不存在，裝置1400方位或加速/減速和裝置1400的溫度變化。傳感器組件1414可以包括接近傳感器，被配置用來在沒有任何的物理接觸時檢測附近物體的存在。傳感器組件1414還可以包括光傳感器，如cmos或ccd圖像傳感器，用于在成像應(yīng)用中使用。在一些實施例中，該傳感器組件1414還可以包括加速度傳感器，陀螺儀傳感器，磁傳感器，壓力傳感器或溫度傳感器。

通信組件1416被配置為便于裝置1400和其他切削設(shè)備之間有線或無線方式的通信。裝置1400可以接入基于通信標(biāo)準(zhǔn)的無線網(wǎng)絡(luò)，如wifi，2g或3g，或它們的組合。在一個示例性實施例中，通信組件1416經(jīng)由廣播信道接收來自外部廣播管理系統(tǒng)的廣播信號或廣播相關(guān)信息。在一個示例性實施例中，所述通信組件1416還包括近場通信(nfc)模塊，以促進(jìn)短程通信。例如，在nfc模塊可基于射頻識別(rfid)技術(shù)，紅外數(shù)據(jù)協(xié)會(irda)技術(shù)，超寬帶(uwb)技術(shù)，藍(lán)牙(bt)技術(shù)和其他技術(shù)來實現(xiàn)。

在示例性實施例中，裝置1400可以被一個或至少兩個應(yīng)用專用集成電路(asic)、數(shù)字信號處理器(dsp)、數(shù)字信號處理切削設(shè)備(dspd)、可編程邏輯器件(pld)、現(xiàn)場可編程門陣列(fpga)、控制器、微控制器、微處理器或其他電子組件實現(xiàn)，用于執(zhí)行上述方法。

在示例性實施例中，還提供了一種包括指令的非臨時性計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，例如包括指令的存儲器1404，上述指令可由裝置1400的處理器1420執(zhí)行以完成上述方法。例如，所述非臨時性計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)可以是rom、隨機(jī)存取存儲器(ram)、cd-rom、磁帶、軟盤和光數(shù)據(jù)存儲切削設(shè)備等。

一種非臨時性計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，當(dāng)所述存儲介質(zhì)中的指令由上述裝置1400的處理器執(zhí)行時，使得上述裝置1400能夠執(zhí)行一種切削后蓋的控制方法，包括：

確定待測試天線的當(dāng)前諧振頻率；

根據(jù)所述當(dāng)前諧振頻率和預(yù)設(shè)諧振頻率，確定將安裝所述待測試天線的終端所使用的后蓋的切削量施加至第一目標(biāo)切削量，其中，所述后蓋的初始厚度大于所述預(yù)設(shè)諧振頻率對應(yīng)的預(yù)設(shè)厚度；

根據(jù)所述第一目標(biāo)切削量將所述后蓋的厚度進(jìn)行切削。

在一個實施例中，所述根據(jù)所述當(dāng)前諧振頻率和預(yù)設(shè)諧振頻率，確定將安裝所述待測試天線的終端所使用的后蓋的切削量施加至第一目標(biāo)切削量，包括：

根據(jù)所述當(dāng)前諧振頻率和所述預(yù)設(shè)諧振頻率，確定所述預(yù)設(shè)諧振頻率和所述當(dāng)前諧振頻率之間的當(dāng)前諧振頻率差值；

當(dāng)所述當(dāng)前諧振頻率差值大于預(yù)設(shè)諧振頻率差值時，根據(jù)諧振頻率差值與后蓋切削量之間的預(yù)設(shè)對應(yīng)關(guān)系和所述當(dāng)前諧振頻率差值，確定在所述初始厚度下需要施加的所述第一目標(biāo)切削量。

在一個實施例中，所述確定待測試天線的當(dāng)前諧振頻率，包括：

向所述待測試天線的輸入端發(fā)射測試電磁波，以獲得所述輸入端的回波損耗；

根據(jù)所述回波損耗，確定所述當(dāng)前諧振頻率。

在一個實施例中，根據(jù)所述回波損耗，確定所述當(dāng)前諧振頻率，包括：

當(dāng)所述回波損耗包括多個時，確定多個所述回波損耗中最小回波損耗對應(yīng)的電磁波頻率；

將所述最小回波損耗對應(yīng)的電磁波頻率確定為所述當(dāng)前諧振頻率。

在一個實施例中，所述后蓋包括陶瓷后蓋，且在確定所述待測試天線的當(dāng)前諧振頻率時，所述陶瓷后蓋放置于所述待測試天線的上空，用于遮擋所述待測試天線；

所述待測試天線包括：平面天線。

在一個實施例中，所述陶瓷后蓋的下底面與所述待測試天線之間的高度不大于預(yù)設(shè)高度。

在一個實施例中，所述根據(jù)所述第一目標(biāo)切削量將所述后蓋的厚度進(jìn)行切削，包括：

根據(jù)所述第一目標(biāo)切削量和預(yù)設(shè)切削量閾值，將所述后蓋的厚度切削第二目標(biāo)切削量，其中，所述第二目標(biāo)切削量等于所述第一目標(biāo)切削量與所述預(yù)設(shè)切削量閾值的差值。

在一個實施例中，所述根據(jù)所述第一目標(biāo)切削量將所述后蓋的厚度進(jìn)行切削，包括：

根據(jù)所述第一目標(biāo)切削量將所述后蓋上與所述待測試天線對應(yīng)的預(yù)設(shè)區(qū)域的厚度進(jìn)行切削。

本領(lǐng)域技術(shù)人員在考慮說明書及實踐這里公開的公開后，將容易想到本公開的其它實施方案。本申請旨在涵蓋本公開的任何變型、用途或者適應(yīng)性變化，這些變型、用途或者適應(yīng)性變化遵循本公開的一般性原理并包括本公開未公開的本技術(shù)領(lǐng)域中的公知常識或慣用技術(shù)手段。說明書和實施例僅被視為示例性的，本公開的真正范圍和精神由下面的權(quán)利要求指出。

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