一種拋釉磚的磚坯的制作方法
【專利摘要】一種拋釉磚的磚坯，由下而上依次包括底坯層、印花層、保護釉層和透明釉層。所述底坯層厚度為6-9mm，所述印花層厚度為小于0.1mm，所述保護釉層厚度為0.1-0.2mmmm，所述透明釉層厚度為0.8-1.0mm。本實用新型燒制后的產品由于印花層上的保護釉層與透明釉層較厚和平整，因而可以采用非彈性模塊進行拋磨從而保證了其表面的超平和鏡面效果。
【專利說明】一種拋釉磚的磚坯

【技術領域】
[0001] 本實用新型涉及陶瓷磚制造【技術領域】，尤其是涉及一種拋釉磚的磚坯。

【背景技術】
[0002] 拋釉磚也叫全拋釉磚，是近年來新興的一種建筑陶瓷產品，其集合了拋光磚、仿古 磚、瓷片三種產品的優(yōu)勢，產品完全釋放了釉面磚啞色暗光的含蓄性，解決了半拋磚易藏污 的缺陷，具備了拋光磚的光澤度、瓷質硬度，同時也擁有仿古磚的釉面高仿效果，以及瓷片 釉面豐富的印刷效果?，F(xiàn)有的拋釉磚是在磚坯上印刷裝飾層后在裝飾層上施〇. 5?1. 5mm 透明釉層燒制后，經彈性模塊拋磨而成。由于透明釉層很薄，且使用彈性模塊，使得釉面層 與模塊表面接觸不全，產生磚面波浪形，在整體鋪貼使用時，會影響裝飾美觀性和整體感， 并且由于坯體在一次燒制過程中會產生氣體，而透明釉層又具有一定的粘度，氣體不能完 全沖破透明釉層，就會在透明釉層留下針孔、氣泡、凹釉等缺陷。 實用新型內容
[0003] 本實用新型的目的在于提出一種拋釉磚的磚坯，其能夠解決拋釉磚燒成過程中表 面波浪形和氣孔多的問題。
[0004] 為達此目的，本實用新型采用以下技術方案：
[0005] -種拋釉磚的磚坯，由下而上依次包括底坯層、印花層、保護釉層和透明釉層。
[0006] 所述底述層厚度為6-9mm。
[0007] 所述印花層厚度為小于〇· 1mm。
[0008] 所述保護釉層厚度為0. l-o. 2_m，保護釉層用于阻止底層氣體排出，因此可以采 用較薄的厚度。
[0009] 所述透明釉層厚度為0. 8-1. 0mm，透明釉層相對與保護釉層較厚，因為燒成后的拋 釉磚采用硬拋光的形式需要較厚的厚度。但本透明釉層相對于普通的拋釉磚的透明釉層并 不浪費更多材料，因為保護釉層的存在使拋釉磚的表面更為平整。
[0010] 與現(xiàn)有技術相比，本實用新型的保護釉具有高溫粘度大的特性，可以阻止底層氣 體排出，從而解決釉面針孔凹釉等缺陷，通過素燒使得磚坯釉面更好地吸收釉料和減少釉 層氣泡，素燒的過程中水分有機物揮發(fā)，保護釉軟化溫度范圍為10°c，較透明釉軟化溫度范 圍20°C窄，能夠較快的完全熔融，并且先于透明釉熔融，在燒制過程中對底層氣體起到壓制 作用，避免坯體氣體蒸發(fā)形成氣孔；并降低了坯體水分，也可防止在燒成過程中產生裂紋甚 至炸坯；另外淋透明釉過程中磚面對釉的吸收更充分，也能減少釉層凹釉，從而解決了系列 生產工藝穩(wěn)定性問題，并且保證了釉面的平整，燒制后的產品并且由于印花層上的保護釉 層與透明釉層厚度較厚和平整因而可以采用非彈性模塊進行拋磨從而保證了其表面的超 平和鏡面效果。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011] 圖1是本實用新型的其中一個實施例的拋釉磚的結構圖。
[0012] 其中：底坯層1、印花層2、保護釉層3、透明釉層4。

【具體實施方式】
[0013] 下面通過【具體實施方式】來進一步說明本實用新型的技術方案。本實用新型的實施 例其釉料均采用市售道氏公司釉料，但本領域技術人員容易理解，其他公司的釉料也可以 實現(xiàn)本專利的目的。
[0014] 實施例1
[0015] 如圖1所示，本實施例的一種拋釉磚，由下而上依次包括底坯層1、印花層2、保護 釉層3和透明釉層4,其中底坯層1厚度為8. 5mm，印花層厚度為0. 05mm，保護釉層厚度為 0. 2_，透明釉層厚度為0. 8_。
[0016] 如上所述的規(guī)格為1000*1000mm的拋釉磚制造方法，步驟依次包括：
[0017] A、將原料配料球磨進行噴霧造粒后壓制形成磚述，干燥后控制磚述溫度在65°C在 所述磚坯上施380g底釉形成底坯層1 ;
[0018] B、在所述步驟A后的所述底坯層1上通過絲網印花并干燥后形成印花層2,控制磚 坯溫度在55°C，施保護釉350g形成保護釉層3,保護釉的軟化溫度為1070°C，化學組成為 Si:60%, Al:13. 70%, Ca:12. 5%, Mg ：1. 24%, K:0. 5%, Na:5. 8% ；
[0019] C、將所述步驟B后的磚坯入窯在900°C下素燒；
[0020] D、控制磚坯溫度在75度再施一層軟化溫度為1100攝氏度的透明釉1000g，然后干 燥；
[0021] E、將所述步驟D后的所述磚坯入窯在1200°C燒制后使用非彈性模塊進行拋磨后， 包裝入庫。
[0022] 本實施例中的保護釉具有高溫粘度大的特性，可以阻止底層氣體排出，從而解決 釉面針孔凹釉等缺陷，通過素燒使得磚坯釉面更好地吸收釉料和減少釉層氣泡，素燒的過 程中水分有機物揮發(fā)，保護釉軟化溫度低，在燒制過程中先熔融，對底層氣體起到壓制作 用，避免坯體氣體蒸發(fā)形成氣孔；并降低了坯體水分，也可防止在燒成過程中產生裂紋甚至 炸坯；另外淋透明釉過程中磚面對釉的吸收更充分，也能減少釉層凹釉，從而解決了系列生 產工藝穩(wěn)定性問題，并且保證了釉面的平整，燒制后的產品并且由于印花層上的保護釉層 與透明釉層厚度較厚和平整因而可以采用非彈性模塊進行拋磨從而保證了其表面的超平 和鏡面效果。
[0023] 實施例2
[0024] 如圖1所示，本實施例的一種拋釉磚，其由下而上依次包括底坯層1、印花層2、保 護釉層3和透明釉層4,其中底坯層1厚度為6mm，印花層厚度為0. 08mm，保護釉層厚度為 0. 1_，透明釉層厚度為1. 0_。
[0025] 如上所述的規(guī)格為1000*1000mm的拋釉磚制造方法，步驟依次包括：
[0026] A、將原料配料球磨進行噴霧造粒后壓制形成磚述，干燥后控制磚述溫度在75°C在 所述磚坯上施300g底釉形成底坯層1 ;
[0027] B、在所述步驟A后的所述底坯層1上通過噴墨打印印花并干燥后形成印花層2,控 制磚坯溫度在60°C，施保護釉300g形成保護釉層3,保護釉的化學組成為Si : 58%，A113%， 〇&:12%，]\%:1.2%，1(:0.6%，恥:6%，軟化溫度為 10801：;
[0028] C、將所述步驟B后的磚坯入窯在950°C下素燒；
[0029] D、控制磚坯溫度在78度再施一層軟化溫度為1120透明釉1050g，然后干燥；
[0030] E、將所述步驟D后的所述磚坯入窯在1200°C燒制后使用非彈性模塊進行拋磨后， 包裝入庫。
[0031] 本實施例中的保護釉層具有高溫粘度大的特性，可以阻止底層氣體排出，從而解 決釉面針孔凹釉等缺陷，通過素燒使得磚坯釉面更好地吸收釉料和減少釉層氣泡，素燒的 過程中水分有機物揮發(fā)，保護釉軟化溫度低，在燒制過程中先熔融，對底層氣體起到壓制作 用，避免坯體氣體蒸發(fā)形成氣孔；并降低了坯體水分，也可防止在燒成過程中產生裂紋甚至 炸坯；另外淋透明釉過程中磚面對釉的吸收更充分，也能減少釉層凹釉，從而解決了系列生 產工藝穩(wěn)定性問題，并且保證了釉面的平整。
[0032] 實施例3
[0033] 如圖1所示，本實施例的一種拋釉磚，其由下而上依次包括底坯層1、印花層2、保 護釉層3、透明釉層4,其中底坯層1厚度為9mm，印花層厚度為0· 06mm，保護釉層厚度為 0. 15_，透明釉層厚度為0. 9_。
[0034] 如上所述的規(guī)格為1000*1000mm的拋釉磚制造方法，步驟依次包括：
[0035] A、將原料配料球磨進行噴霧造粒后壓制形成磚述，干燥后控制磚述溫度在70°C在 所述磚坯上施400g底釉形成底坯層1 ;
[0036] B、在所述步驟A后的所述底坯層1上通過輥筒印花并干燥后形成印花層2,控制 磚坯溫度在55°C，施保護釉320g形成保護釉層3,保護釉的化學組成為Si:65%，A114%， 〇&:13%，]\% :1.3%，1(:0.2%，恥:5.5%，軟化溫度為 10701：;
[0037] C、將所述步驟B后的磚坯入窯在850°C下素燒；
[0038] D、控制磚坯溫度在75度再施一層軟化溫度為1110°C的透明釉1030g，然后干燥；
[0039] E、將所述步驟D后的所述磚坯入窯在1250°C燒制后使用非彈性模塊進行拋磨后， 包裝入庫。
[0040] 本實施例中的保護釉層具有高溫粘度大的特性，可以阻止底層氣體排出，從而解 決釉面針孔凹釉等缺陷，通過素燒使得磚坯釉面更好地吸收釉料和減少釉層氣泡，素燒的 過程中水分有機物揮發(fā)，保護釉軟化溫度低，在燒制過程中先熔融，對底層氣體起到壓制作 用，避免坯體氣體蒸發(fā)形成氣孔；并降低了坯體水分，也可防止在燒成過程中產生裂紋甚至 炸坯；另外淋透明釉過程中磚面對釉的吸收更充分，也能減少釉層凹釉，從而解決了系列生 產工藝穩(wěn)定性問題，并且保證了釉面的平整，
[0041] 實施例4
[0042] 如圖1所示，本實施例的一種拋釉磚，其由下而上依次包括底坯層1、印花層2、保 護釉層3、透明釉層4,其中底坯層1厚度為7. 8mm，印花層厚度為0. 03mm，保護釉層厚度為 0. 18_，透明釉層厚度為0. 8_。
[0043] 如上所述的規(guī)格為1000*1000_的拋釉磚制造方法，步驟依次包括：
[0044] A、將原料配料球磨進行噴霧造粒后壓制形成磚述，干燥后控制磚述溫度在70°C在 所述磚坯上施370g底釉形成底坯層1 ;
[0045] B、在所述步驟A后的所述底坯層1上通過噴墨打印印花與輥筒印花并干燥后形 成印花層2,控制磚坯溫度在55°C，施保護釉340g形成保護釉層3,保護釉的化學組成為 Si:60%，A113. 6%，Ca:12. 6%，Mg :1· 25%，Κ:0· 4%，Na:5. 8%，軟化溫度為 1075? ;
[0046] C、將所述步驟B后的磚坯入窯在880°C下素燒；
[0047] D、控制磚坯溫度在75度再施一層軟化溫度為1105°C的透明釉1010g，然后干燥；
[0048] E、將所述步驟D后的所述磚坯入窯在1250°C燒制后使用非彈性模塊進行拋磨后， 包裝入庫。
[0049] 本實施例中的保護釉具有高溫粘度大的特性，可以阻止底層氣體排出，從而解決 釉面針孔凹釉等缺陷，通過素燒使得磚坯釉面更好地吸收釉料和減少釉層氣泡，素燒的過 程中水分有機物揮發(fā)，保護釉軟化溫度低，在燒制過程中先熔融，對底層氣體起到壓制作 用，避免坯體氣體蒸發(fā)形成氣孔；并降低了坯體水分，也可防止在燒成過程中產生裂紋甚至 炸坯；另外淋透明釉過程中磚面對釉的吸收更充分，也能減少釉層凹釉，從而解決了系列生 產工藝穩(wěn)定性問題，并且保證了釉面的平整，并且能夠使用非彈性模塊進行拋磨，表面平整 度高。
[0050] 實施例5 :
[0051] 本實施例的一種陶瓷磚，其自下而上依次包括底坯層1、印花層2、透明釉層4,制 造本實施例的陶瓷磚，其步驟依次包括：
[0052] A、將原料配料球磨進行噴霧造粒后壓制形成磚述，干燥后控制磚述溫度在70°C在 所述磚坯上施370g底釉形成底坯層1 ;
[0053] B、在所述步驟A后的所述底坯層1上通過噴墨打印印花與輥筒印花并干燥后形成 印花層2 ;
[0054] C、施透明釉1010g，然后干燥；
[0055] D、將所述步驟C后的所述磚坯入窯在1250°C燒制后使用彈性模塊進行拋磨后，包 裝入庫。
[0056] 本實施例的產品沒有保護釉層，并使用彈性模塊進行拋磨，其產品由于燒制過程 中產生氣體，沖破透明釉層，因而有針孔的缺陷，磚面對透明釉的吸收不足，出現(xiàn)凹釉，并且 使用彈性模塊進行拋磨，不可避免的出現(xiàn)磚面波浪形。
[0057] 以上結合具體實施例描述了本實用新型的技術原理。這些描述只是為了解釋本實 用新型的原理，而不能以任何方式解釋為對本實用新型保護范圍的限制。基于此處的解釋， 本領域的技術人員不需要付出創(chuàng)造性的勞動即可聯(lián)想到本實用新型的其它【具體實施方式】， 這些方式都將落入本實用新型的保護范圍之內。
【權利要求】
1. 一種拋釉磚的磚坯，由下而上依次包括底坯層、印花層和透明釉層，其特征在于：所 述印花層和透明釉層之間還有保護釉層。
2. 根據權利要求1所述的一種拋釉磚的磚坯，其特征在于：所述底坯層厚度為6-9mm。
3. 根據權利要求1所述的一種拋釉磚的磚坯，其特征在于：所述印花層厚度為小于 0· lmm〇
4. 根據權利要求1所述的一種拋釉磚的磚坯，其特征在于：所述保護釉層厚度為 0· 1-0. 2mm〇
5. 根據權利要求1所述的一種拋釉磚的磚坯，其特征在于：所述透明釉層厚度為 0· 8-1. 0mm〇
【文檔編號】C04B41/89GK203999395SQ201420434010
【公開日】2014年12月10日 申請日期:2014年8月1日 優(yōu)先權日:2014年8月1日
【發(fā)明者】王華明 申請人:佛山市東鵬陶瓷有限公司, 豐城市東鵬陶瓷有限公司, 廣東東鵬控股股份有限公司, 廣東東鵬陶瓷股份有限公司