專利名稱：對基板進行烤焙處理的裝置及方法
對基板進行烤焙處理的裝置及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器的技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種對基板進行烤焙處理的裝置及方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的液晶基板的生產(chǎn)制造過程中需要對玻璃基板上的PI(Polyimide，聚酰亞胺)液進行預(yù)烤焙(Prebake)，烤焙的方式是利用紅外線輻射玻璃基板，將玻璃基板加熱到90攝氏度，使PI液中的溶劑蒸發(fā)，提高PI的濃度。在上述烤焙的過程中，一般會使用支撐針來支撐玻璃基板，但是由于支撐針的材質(zhì)不是完全絕熱的，因此玻璃基板上的接觸區(qū)域(玻璃基板上與支撐構(gòu)件接觸的區(qū)域)與非接觸區(qū)域(玻璃基板上沒有與支撐構(gòu)件接觸的區(qū)域)存在導(dǎo)熱速率的差別，使得玻璃基板受熱不均，造成玻璃基板上出現(xiàn)斑點(Mura)缺 陷，降低了玻璃基板的良率。為了防止玻璃基板上出現(xiàn)斑點，現(xiàn)有技術(shù)上有兩種解決方案一是采用絕熱性能更好的材料來作為支撐針的材料，以減少玻璃基板上和支撐針接觸的區(qū)域與其它區(qū)域的溫度差；二是改良支撐針的支撐方式，例如通過控制多個支撐針輪流(交替)支撐玻璃基板來減少支撐針與玻璃基板在同一個地方接觸的時間，即首先使用一些支撐針支撐玻璃基板，在預(yù)定時間過后使用另一些支撐針支撐玻璃基板。上述這兩種解決方案都不能有效地防止玻璃基板上出現(xiàn)斑點，原因是一、上述兩種技術(shù)方案不能杜絕玻璃基板上不同區(qū)域之間溫差的存在；二、上述兩種技術(shù)方案中，支撐針支撐玻璃基板會使得玻璃基板與支撐針接觸的區(qū)域壓強過大，從而造成玻璃基板形變，使玻璃基板受熱不均，在烤焙的過程中出現(xiàn)斑點；三、上述兩種技術(shù)方案中，支撐針為針狀，不利于保持玻璃基板在烤焙過程中的平坦度，容易造成玻璃基板上出現(xiàn)光環(huán)(Halo)區(qū)斑點。因此，有必要提出一種新的技術(shù)方案，以解決玻璃基板上出現(xiàn)斑點的技術(shù)問題。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一個目的在于提供一種對基板進行烤焙處理的裝置，其能有效防止基板上出現(xiàn)斑點缺陷。為解決上述問題，本發(fā)明優(yōu)選實施例提供了一種對基板進行烤焙處理的裝置，其包括支撐平臺、多個支撐針、加熱單元、及絕熱層。所述支撐平臺具有一支撐面及一底面。所述多個支撐針設(shè)置于所述支撐平臺中，所述多個支撐針可移動地伸出于所述支撐面，用于頂起所述基板。所述加熱單元用于對所述基板進行加熱。所述絕熱層對應(yīng)所述支撐平臺的所述底面設(shè)置，用于防止所述加熱單元對所述支撐平臺加熱。在本優(yōu)選實施例的對基板進行烤焙處理的裝置中，所述加熱單元包括一第一電熱板及一第二電熱板，所述第一電熱板設(shè)置于所述多個支撐針之上，且所述基板位于所述第一電熱板與所述支撐針之間；所述第二電熱板設(shè)置于所述支撐平臺之下且面對所述支撐平臺的所述底面。進一步地說，所述絕熱層用于隔絕所述第二電熱板對所述支撐平臺加熱。優(yōu)選地，所述絕熱層是由多孔材料、熱反射材料、或真空材料所制成。在本優(yōu)選實施例的對基板進行烤焙處理的裝置中，所述支撐平臺開設(shè)有多個通孔，所述多個通孔用于收容所述多個支撐針。當(dāng)所述多個支撐針伸出于所述支撐面時，所述基板由所述多個支撐針頂起；當(dāng)所述多個支撐針收容于所述多個通孔時，所述基板被放置于所述支撐面上。此外，當(dāng)所述基板被頂起時，所述加熱單元停止加熱；當(dāng)所述基板被放置于所述支撐面時，所述加熱單元進行加熱。本發(fā)明的另一個目的在于提供一種對基板進行烤焙處理的方法，其能有效防止基板在烤焙處理中出現(xiàn)斑點缺陷。為解決上述問題，本發(fā)明優(yōu)選實施例提供了一種對基板進行烤焙處理的方法，其利用支撐平臺、設(shè)置于所述支撐平臺中多個支撐針、及加熱單元；所述方法包括下列步驟將所述多個支撐針伸出于所述支撐平臺的支撐面；放置所述基板于所述多個支撐針上；將所述多個支撐針縮回于所述支撐平臺中，使得所述基板被放置于所述支撐面上；將絕熱層設(shè)置于對應(yīng)所述支撐平臺的底面；及采用所述加熱單元對所述基板進行加熱。在本優(yōu)選實施例的對基板進行烤焙處理的方法中，所述加熱步驟包括將第一電熱板設(shè)置于所述多個支撐針之上，且所述基板位于所述第一電熱板與所述支撐針之間；及將第二電熱板設(shè)置于所述支撐平臺之下且面對所述支撐平臺的所述底面。具體來說，所述絕熱層設(shè)置于所述第二電熱板與所述支撐平臺之間。本發(fā)明相對現(xiàn)有技術(shù)，在加熱前先將支撐針下降，使得基板直接接觸支撐平臺的支撐面上，即由現(xiàn)有技術(shù)中的點接觸改變成面接觸。因此，加熱單元在對基板加熱時，不會產(chǎn)生支撐針的點接觸所造成的傳熱不均，克服了基板上產(chǎn)生班點缺陷的問題。同時，借著絕熱層阻隔了第二電熱板對支撐平臺的傳熱，支撐平臺及支撐針不致于因受熱不均而產(chǎn)生溫差，使得支撐面的溫度保持一致。因此，放置在支撐平臺的支撐面上的基板表面可均勻的受 到第一電熱板的烤焙，杜絕了 PI膜斑點缺陷的形成。為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下

圖I為本發(fā)明一優(yōu)選實施例的對基板進行烤焙處理的裝置的剖面示意圖；圖2為圖I的對基板進行烤焙處理的裝置進行烤焙的剖面示意圖；圖3為本發(fā)明另一優(yōu)選實施例的對基板進行烤焙處理的裝置的剖面示意圖；及圖4為本發(fā)明優(yōu)選實施例中對玻璃基板進行烤焙處理的方法的流程圖。
具體實施方式以下各實施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實施的特定實施例。在不同圖示中，相同的參考標(biāo)號表示相同或相似的元件。參照圖1，圖I為本發(fā)明一優(yōu)選實施例的對基板進行烤焙處理的裝置的剖面示意圖。本優(yōu)選實施例的對基板進行烤焙處理的裝置100包括支撐平臺120、多個支撐針140、加熱單元160、及絕熱層180。值得注意的是，本發(fā)明并不限制基板150的材質(zhì)，基板可為玻璃基板，亦可為塑膠制的柔性基板?；?50上具有一層待烤焙的配向膜溶液155。所述支撐平臺120設(shè)置在一加熱腔體(chamber)(圖未示)內(nèi)，且所述支撐平臺120具有一支撐面122及一底面124。所述支撐平臺120開設(shè)有多個通孔126，所述多個通孔用于收容所述多個支撐針120。在此實施例中，所述通孔126貫通支撐面122及底面124。然而，在其他實施例中，通孔126也可僅開設(shè)于支撐面122上。請參照圖I及圖2，圖2為圖I的對基板進行烤焙處理的裝置進行烤焙的剖面示意圖。所述多個支撐針140設(shè)置于所述支撐平臺120中，所述多個支撐針140可移動地伸出于所述支撐面122，用于頂起所述基板150。進一步來說，所述多個支撐針140可連接驅(qū)動裝置(圖未示)，例如以電力、油壓或氣壓方式驅(qū)動支撐針140伸出支撐面122或縮回收容于所述支撐平臺120。參照圖I及圖2，所述加熱單元160用于對所述基板150進行加熱。在此實施例中，所述加熱單兀160包括一第一電熱板162及一第二電熱板164。所述第 一電熱板162設(shè)置于所述多個支撐針140之上，且所述基板150位于所述第一電熱板162與所述支撐針140之間；所述第二電熱板164設(shè)置于所述支撐平臺120之下且面對所述支撐平臺120的所述底面124。請參照圖I及圖2，當(dāng)所述多個支撐針140伸出于所述支撐面122時，所述基板150由所述多個支撐針140頂起；當(dāng)所述多個支撐針140收容于所述多個通孔126時，所述基板150被放置于所述支撐面122上。如圖I所示，當(dāng)所述基板150被頂起時，所述加熱單元160停止加熱。如圖2所示，當(dāng)所述基板150被放置于所述支撐面時，所述加熱單元進行加熱。如圖2所示，所述絕熱層180對應(yīng)所述支撐平臺120的所述底面124設(shè)置，用于防止所述加熱單元160對所述支撐平臺120加熱，其中輻射熱以箭頭表示。所述絕熱層180是由多孔材料、熱反射材料、或真空材料所制成。在此實施例中，所述絕熱層180用于隔絕所述第二電熱板164對所述支撐平臺加熱，使得所述支撐平臺120的支撐面122上的溫度保持均勻。因此，第一電熱板162對基板150進行加熱時，基板150之與支撐平臺120的接觸面就不會受到傳熱介質(zhì)的不同而造成受熱不均。值得一提的是，在其他實施例的基板烤焙的裝置中，可同時烤焙多片基板150。請參照圖3，圖3為本發(fā)明另一優(yōu)選實施例的對基板進行烤焙處理的裝置的剖面示意圖。本實施例的對基板進行烤焙處理的裝置200包括多個支撐平臺120、多個支撐針140、多個加熱單元160、及多個絕熱層180。同樣地，所述支撐平臺120具有一支撐面122及一底面124。所述多個支撐針140設(shè)置于所述支撐平臺120中，所述多個支撐針140可移動地伸出于所述支撐面122 (如圖I所示)，用于頂起所述基板150。所述加熱單元160用于對所述基板150進行加熱。所述絕熱層180對應(yīng)所述支撐平臺120的所述底面124設(shè)置，用于防止所述加熱單元160對所述支撐平臺120加熱。同樣地，所述加熱單元160包括第一電熱板162、第二電熱板164、第三電熱板166等依此類推。與上述實施例不同的是，所述絕熱層180用于隔絕所述第二電熱板164對所述支撐平臺120加熱。而第二電熱板164可對下層的基板150’進行加熱。此外，下層的絕熱層180’是用于隔絕所述第三電熱板166對下層的支撐平臺120’加熱。由上述可知，本實施例的對基板進行烤焙處理的裝置200可對多片基板150同時烤焙，且可杜絕斑點缺陷的形成。請一并參考圖I、圖2及圖4，圖4為本發(fā)明優(yōu)選實施例中對玻璃基板進行烤焙處理的方法的流程圖。本發(fā)明優(yōu)選實施例中對玻璃基板進行烤焙處理的方法利用上述實施例之支撐平臺120、設(shè)置于所述支撐平臺120中多個支撐針140、及加熱單元160。本方法包括開始于步驟S10。在步驟SlO中，將所述多個支撐針140伸出于所述支撐平臺120的支撐面122。舉例來說，所述多個支撐針140可連接驅(qū)動裝置(圖未示)，例如以電力、油壓或氣壓方式驅(qū)動支撐針140伸出支撐面122或縮回收容于所述支撐平臺120。在步驟S20中，放置所述基板150于所述多個支撐針140上，如圖I所示。在此 實施例中，可采用機械手臂(圖未示)托住基板150，并放置于伸出的支撐針140上，使得機械手臂有空間收回。在步驟S30中，將所述多個支撐針140縮回于所述支撐平臺120中，使得所述基板150被放置于所述支撐面122上，如圖2所示。在步驟S40中，將絕熱層180設(shè)置于對應(yīng)所述支撐平臺120的底面124，以防止所述加熱單元160對所述支撐平臺120加熱。在步驟S50中，采用所述加熱單元160對所述基板150進行加熱。請再參照圖2，需注意的是，在步驟S50中的加熱步驟還包括步驟S52，將第一電熱板162設(shè)置于所述多個支撐針140之上,且所述基板150位于所述第一電熱板162與所述支撐針140之間；及步驟S54，將第二電熱板164設(shè)置于所述支撐平臺120之下且面對所述支撐平臺120的所述底面124。在此方法中，所述絕熱層180設(shè)置于所述第二電熱板164與所述支撐平臺120之間。綜上所述，在加熱前先將支撐針140下降，使得基板150直接接觸支撐平臺120的支撐面122上，即由現(xiàn)有技術(shù)中的點接觸改變成面接觸。因此，加熱單元160在對基板150加熱時，不會產(chǎn)生支撐針140的點接觸所造成的傳熱不均，克服了基板150上產(chǎn)生班點缺陷的問題。同時，借著絕熱層180阻隔了第二電熱板164對支撐平臺120的傳熱，支撐平臺120及支撐針140不致于因受熱不均而產(chǎn)生溫差，使得支撐面122的溫度保持一致。因此，放置在支撐平臺120的支撐面122上的基板150表面可均勻的受到第一電熱板162的烤焙，杜絕了 PI膜斑點缺陷的形成。雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實施例揭露如上，但上述優(yōu)選實施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種對基板進行烤焙處理的裝置，其特征在于，包括 支撐平臺，具有一支撐面及一底面； 多個支撐針，設(shè)置于所述支撐平臺中，所述多個支撐針可移動地伸出于所述支撐面，用于頂起所述基板； 加熱單元，用于對所述基板進行加熱；以及 絕熱層，對應(yīng)所述支撐平臺的所述底面設(shè)置，用于防止所述加熱單元對所述支撐平臺加熱。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的對基板烤焙的裝置，其特征在于，所述加熱單元包括一第一電熱板及一第二電熱板，所述第一電熱板設(shè)置于所述多個支撐針之上，且所述基板位于所述第一電熱板與所述支撐針之間；所述第二電熱板設(shè)置于所述支撐平臺之下且面對所述支撐平臺的所述底面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的對基板烤焙的裝置，其特征在于，所述絕熱層用于隔絕所述第二電熱板對所述支撐平臺加熱。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的對基板烤焙的裝置，其特征在于，所述絕熱層是由多孔材料、熱反射材料、或真空材料所制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的對基板進行烤焙處理的裝置，其特征在于，所述支撐平臺開設(shè)有多個通孔，所述多個通孔用于收容所述多個支撐針。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的對基板進行烤焙處理的裝置，其特征在于，當(dāng)所述多個支撐針伸出于所述支撐面時，所述基板由所述多個支撐針頂起；當(dāng)所述多個支撐針收容于所述多個通孔時，所述基板被放置于所述支撐面上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的對基板烤焙的裝置，其特征在于，當(dāng)所述基板被頂起時，所述加熱單元停止加熱；當(dāng)所述基板被放置于所述支撐面時，所述加熱單元進行加熱。
8.一種對基板進行烤焙處理的方法，其利用支撐平臺、設(shè)置于所述支撐平臺中多個支撐針、及加熱單元；其特征在于，所述方法包括下列步驟 將所述多個支撐針伸出于所述支撐平臺的支撐面； 放置所述基板于所述多個支撐針上； 將所述多個支撐針縮回于所述支撐平臺中，使得所述基板被放置于所述支撐面上； 將絕熱層設(shè)置于對應(yīng)所述支撐平臺的底面；及 采用所述加熱單元對所述基板進行加熱。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的對基板進行烤焙處理的方法，其特征在于，所述加熱步驟包括 將第一電熱板設(shè)置于所述多個支撐針之上，且所述基板位于所述第一電熱板與所述支撐針之間；及 將第二電熱板設(shè)置于所述支撐平臺之下且面對所述支撐平臺的所述底面。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的對基板進行烤焙處理的方法，其特征在于，所述絕熱層設(shè)置于所述第二電熱板與所述支撐平臺之間。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種對基板進行烤焙處理的裝置，包括支撐平臺、多個支撐針、加熱單元及絕熱層。所述支撐平臺具有一支撐面及一底面。所述多個支撐針設(shè)置于所述支撐平臺中，所述多個支撐針可移動地伸出于所述支撐面，用于頂起所述基板。所述加熱單元用于對所述基板進行加熱。所述絕熱層對應(yīng)所述支撐平臺的所述底面設(shè)置，用于防止所述加熱單元對所述支撐平臺加熱。本發(fā)明還公開了一種對基板進行烤焙處理的方法，其能有效防止基板在烤焙處理中出現(xiàn)斑點缺陷。
文檔編號C03B32/00GK102863147SQ20121036351
公開日2013年1月9日 申請日期2012年9月26日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月26日
發(fā)明者朱美娜, 戴裔 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司