專利名稱：一種厚尺寸多晶硅氫化爐用炭/炭保溫罩的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于炭/炭保溫材料技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種厚尺寸多晶硅氫化爐用炭/ 炭保溫罩的制備方法。
背景技術(shù)：
目前，生產(chǎn)多晶硅的主要方法為改良西門子法，采用改良西門子法生產(chǎn)的多晶硅 占全球多晶硅總產(chǎn)量的80%以上。在改良西門子法生產(chǎn)多晶硅產(chǎn)品時(shí)，氫化爐為循環(huán)系統(tǒng) 即反應(yīng)產(chǎn)物回收的一個(gè)步驟，即將生成多晶硅制品反應(yīng)產(chǎn)生的副產(chǎn)物SiCl4與H2反應(yīng)生成 SiHCl3原料進(jìn)行重新利用。氫化爐熱場(chǎng)產(chǎn)品包括保溫罩、隔熱屏、發(fā)熱體及隔熱底板，其中， 保溫罩位于隔熱屏外爐殼內(nèi)，起到保溫節(jié)能的作用，即保證隔熱屏內(nèi)部達(dá)到氫化爐反應(yīng)所 要求的溫度，而保溫罩外部溫度較低。目前多晶硅氫化爐用保溫罩由石墨或固化保溫氈制 造，由于石墨制品強(qiáng)度低，導(dǎo)熱系數(shù)高，耐高溫?zé)嵴鹦阅懿?，使用壽命短，更換頻繁，大尺寸 制品成形困難，使其難以滿足多晶硅生產(chǎn)發(fā)展的要求，而固化保溫氈由于其密度較低且均 由短纖維編制而成，在使用時(shí)抗沖刷能力低、易掉渣從而降低制品的使用壽命，增加其更換 的次數(shù)。授權(quán)號(hào)為CN101063223的專利中公開了一種采用糠酮樹脂浸漬炭化、純化處理后 機(jī)械加工制得單晶硅拉制爐用炭/炭保溫罩的制備方法，授權(quán)號(hào)為CN101269981的專利公 布了一種采用糠酮樹脂或氨酚醛樹脂浸漬炭化、純化處理后機(jī)械加工制得高溫爐用炭/炭 隔熱底板的制備方法，其不足之處在于(1)該方法將預(yù)制體直接進(jìn)行樹脂真空浸漬炭化 處理，導(dǎo)致保溫筒筒段產(chǎn)品出現(xiàn)橢圓，保溫筒平蓋、隔熱底板出現(xiàn)翹曲等變形問題；(2)該 方法制備的保溫罩、隔熱底板最終產(chǎn)品表面未經(jīng)處理，而是機(jī)加后即得到產(chǎn)品，導(dǎo)致產(chǎn)品在 使用過程中出現(xiàn)掉渣、脫皮而污染爐內(nèi)產(chǎn)品。授權(quán)號(hào)為CN101445377的專利公開了一種采用CVI處理將制品定型后進(jìn)行樹脂真 空浸漬炭化處理，然后貼石墨紙?zhí)炕频酶邷貭t用炭/炭保溫筒的制備方法，該方法的不 足之處在于(1)采用化學(xué)氣相沉積定型預(yù)制體，成本較高，工藝過程復(fù)雜，且針對(duì)厚尺寸產(chǎn) 品采用化學(xué)氣相沉積增密效果較差，起不到定型的作用；(2)石墨紙?jiān)诟邷貭t內(nèi)易脫落，從 而污染爐內(nèi)產(chǎn)品。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種成型工藝簡(jiǎn) 單，制造成本較低的厚尺寸多晶硅氫化爐用炭/炭保溫罩的制備方法。制備的多晶硅氫化 爐用炭/炭保溫罩的保溫效果好、抗氣體沖刷性能優(yōu)異、力學(xué)性能好。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是一種厚尺寸多晶硅氫化爐用炭 /炭保溫罩的制備方法，其特征在于，該方法包括以下步驟(1)采用炭布與短炭纖維制備準(zhǔn)三向預(yù)制體；所述準(zhǔn)三向預(yù)制體的密度為0. 20g/ cm3 0. 50g/cm3，厚度為 IOOmm 220mm ；
(2)在常溫下將環(huán)氧樹脂、稀釋劑和固化劑按100 5 10 8 20的質(zhì)量比混 合制成環(huán)氧樹脂膠液；所述稀釋劑為酒精、丙酮、甲苯或環(huán)氧樹脂活性稀釋劑，所述固化劑 為二乙烯三胺、乙二胺、三乙烯四胺或聚酰胺；(3)將步驟⑵中所述環(huán)氧樹脂膠液噴涂或刷涂于步驟⑴中所述準(zhǔn)三向預(yù)制體 表面形成厚度為0. 5mm 5mm的涂層，然后將形成涂層后的準(zhǔn)三向預(yù)制體固化使準(zhǔn)三向預(yù) 制體表面硬化定型；(4)將步驟(3)中經(jīng)固化后的準(zhǔn)三向預(yù)制體置于浸漬罐中，采用氨酚醛樹脂作為 浸漬劑，在抽真空條件下浸漬4h 12h ；所述氨酚醛樹脂的粘度為150mPa-s 500mPa-s, 所述氨酚醛樹脂的固體含量為40% 60% ；(5)將步驟(4)中經(jīng)浸漬后的準(zhǔn)三向預(yù)制體置于炭化爐中，在抽真空的條件下進(jìn) 行炭化處理，當(dāng)準(zhǔn)三向預(yù)制體的密度達(dá)到0. 60g/cm3 0. 90g/cm3時(shí)停止炭化處理，隨爐冷 卻得到預(yù)制體；(6)將步驟(5)中所述預(yù)制體進(jìn)行機(jī)械加工，然后將機(jī)械加工后的預(yù)制體置于化 學(xué)氣相沉積爐中進(jìn)行CVD涂層處理，待預(yù)制體表面形成厚度為5 μ m 150 μ m的涂層后停 止CVD涂層處理，隨爐冷卻即得到直徑為IOOOmm 1800mm，高度為200mm 1500mm，厚度 為80mm 220mm的多晶硅氫化爐用炭/炭保溫罩。上述步驟(2)中所述環(huán)氧樹脂活性稀釋劑為丁基縮水甘油醚、環(huán)氧丙烷丁基醚、 環(huán)氧丙烷苯基醚或乙二醇二縮水甘油醚。上述步驟(3)中所述固化的制度為在常溫下放置48h以上固化或置于固化爐內(nèi) 在溫度為40°C 80°C的條件下固化2h 8h。上述步驟(5)中所述炭化處理的溫度為900°C 1200°C。上述步驟(6)中所述CVD涂層處理的制度為采用丙烯或天然氣作為前驅(qū)體，在溫 度為800°C 1100°C的條件下進(jìn)行CVD涂層處理。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下優(yōu)點(diǎn)1、準(zhǔn)三向預(yù)制體的結(jié)構(gòu)防止了制品在制造及使用過程中分層或者開裂，預(yù)制體厚 度相比較前期保溫罩增加了 2 4倍，大大提高了制品的保溫節(jié)能效果。2、采用環(huán)氧樹脂刷膠將預(yù)制體固化定型，工藝過程簡(jiǎn)單，定型效果顯著，防止產(chǎn)品 在后續(xù)工藝中出現(xiàn)變形，降低成本、減少生產(chǎn)周期。3、采用氨酚醛樹脂浸漬后在真空狀態(tài)下進(jìn)行炭化處理，降低了制品的雜質(zhì)含量， 致密程度適當(dāng)，可有效的降低多晶硅氫化爐用炭/炭保溫罩的導(dǎo)熱系數(shù)、工藝一致性好，可 實(shí)施性強(qiáng)，成本低。4、采用CVD表面涂層處理技術(shù)，提高制品表面光潔度，提高制品的抗沖刷能力，并 且使得制品的力學(xué)性能得到提高，延長(zhǎng)了使用壽命。5、該工藝技術(shù)成型工藝簡(jiǎn)單，制造成本較低，制得的多晶硅氫化爐用炭/炭保溫 罩保溫效果好、抗氣體沖刷性能優(yōu)異、力學(xué)性能好。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例1(1)采用炭布與短炭纖維網(wǎng)胎交替疊層，構(gòu)成平面方向纖維，在厚度方向采用針刺工藝引入垂直纖維，制成密度為0. 20g/cm3，厚度為IOOmm的準(zhǔn)三向預(yù)制體；(2)在常溫下將環(huán)氧樹脂、稀釋劑和固化劑按100 5 8的質(zhì)量比混合制成環(huán)氧 樹脂膠液；所述稀釋劑為酒精，所述固化劑為二乙烯三胺；(3)將環(huán)氧樹脂膠液刷涂于準(zhǔn)三向預(yù)制體表面形成厚度為0. 5mm的涂層，然后將 形成涂層后的準(zhǔn)三向預(yù)制體在常溫下放置48h以上固化，使準(zhǔn)三向預(yù)制體表面硬化定型；(4)將經(jīng)固化后的準(zhǔn)三向預(yù)制體置于浸漬罐中，采用粘度為150mPa · s,固體含量 為40%的氨酚醛樹脂作為浸漬劑，在抽真空條件下浸漬4h ；(5)將經(jīng)浸漬后的準(zhǔn)三向預(yù)制體置于炭化爐中，在溫度為900°C的真空條件下進(jìn) 行炭化處理，當(dāng)準(zhǔn)三向預(yù)制體的密度達(dá)到0. 60g/cm3時(shí)停止炭化處理，隨爐冷卻得到預(yù)制 體；(6)將預(yù)制體進(jìn)行機(jī)械加工，然后將機(jī)械加工后的預(yù)制體置于化學(xué)氣相沉積爐中， 采用丙烯作為前驅(qū)體，在溫度為80(TC的條件下進(jìn)行CVD涂層處理，在預(yù)制體表面形成厚度 為5 μ m的涂層，隨爐冷卻即得到直徑為1000mm，高度為200mm，厚度為80mm的多晶硅氫化
爐用炭/炭保溫罩。本實(shí)施例制備的多晶硅氫化爐用炭/炭保溫罩的拉伸強(qiáng)度為20MPa，壓縮強(qiáng)度為 40MPa，彎曲強(qiáng)度為35MPa，導(dǎo)熱系數(shù)為lW/m · k (800°C )。實(shí)施例2本實(shí)施例與實(shí)施例1制備方法相同，其中不同之處在于所述稀釋劑為丙酮、甲 苯、丁基縮水甘油醚、環(huán)氧丙烷丁基醚、環(huán)氧丙烷苯基醚或乙二醇二縮水甘油醚，所述固化 劑為乙二胺、三乙烯四胺或聚酰胺，采用天然氣作為前驅(qū)體。本實(shí)施例制備的多晶硅氫化爐用炭/炭保溫罩的拉伸強(qiáng)度為15MPa 25MPa，壓 縮強(qiáng)度為30MPa 50MPa，彎曲強(qiáng)度為25MPa 40MPa，導(dǎo)熱系數(shù)為0. 3ff/m · k (800°C ) 1. 5ff/m · k (800 °C )。實(shí)施例3(1)采用炭布與短炭纖維網(wǎng)胎交替疊層，構(gòu)成平面方向纖維，在厚度方向采用針刺 工藝引入垂直纖維，制成密度為0. 50g/cm3，厚度為220mm的準(zhǔn)三向預(yù)制體；(2)在常溫下將環(huán)氧樹脂、稀釋劑和固化劑按100 10 20的質(zhì)量比混合制成環(huán) 氧樹脂膠液；所述稀釋劑為丁基縮水甘油醚，所述固化劑為乙二胺；(3)將環(huán)氧樹脂膠液噴涂于準(zhǔn)三向預(yù)制體表面形成厚度為5mm的涂層，然后將形 成涂層后的準(zhǔn)三向預(yù)制體置于固化爐內(nèi)，在溫度為40°C的條件下固化8h，使準(zhǔn)三向預(yù)制體 表面硬化定型；(4)將經(jīng)固化后的準(zhǔn)三向預(yù)制體置于浸漬罐中，采用粘度為500mPa · s,固體含量 為60%的氨酚醛樹脂作為浸漬劑，在抽真空條件下浸漬12h ；(5)將經(jīng)浸漬后的準(zhǔn)三向預(yù)制體置于炭化爐中，在溫度為1200°C的真空條件下進(jìn) 行炭化處理，當(dāng)準(zhǔn)三向預(yù)制體的密度達(dá)到0. 90g/cm3時(shí)停止炭化處理，隨爐冷卻得到預(yù)制 體；(6)將預(yù)制體進(jìn)行機(jī)械加工，然后將機(jī)械加工后的預(yù)制體置于化學(xué)氣相沉積爐中， 采用天然氣作為前驅(qū)體，在溫度為iioo°c的條件下進(jìn)行CVD涂層處理，在預(yù)制體表面形成 厚度為150 μ m的涂層，隨爐冷卻即得到直徑為1800mm，高度為1500mm，厚度為220mm的多晶硅氫化爐用炭/炭保溫罩。本實(shí)施例制備的多晶硅氫化爐用炭/炭保溫罩的拉伸強(qiáng)度為15MPa，壓縮強(qiáng)度為 30MPa，彎曲強(qiáng)度為25MPa，導(dǎo)熱系數(shù)為0. 3ff/m · k (800°C )。實(shí)施例4本實(shí)施例與實(shí)施例3制備方法相同，其中不同之處在于所述稀釋劑為酒精、丙 酮、甲苯、環(huán)氧丙烷丁基醚、環(huán)氧丙烷苯基醚或乙二醇二縮水甘油醚，所述固化劑為二乙烯 三胺、三乙烯四胺或聚酰胺，采用丙烯作為前驅(qū)體。本實(shí)施例制備的多晶硅氫化爐用炭/炭保溫罩的拉伸強(qiáng)度為15MPa 25MPa，壓 縮強(qiáng)度為30MPa 50MPa，彎曲強(qiáng)度為25MPa 40MPa，導(dǎo)熱系數(shù)為0. 3ff/m · k (800°C ) 1. 5ff/m · k (800 °C )。實(shí)施例5(1)采用炭布與短炭纖維網(wǎng)胎交替疊層，構(gòu)成平面方向纖維，在厚度方向采用針刺 工藝引入垂直纖維，制成密度為0. 35g/cm3，厚度為160mm的準(zhǔn)三向預(yù)制體；(2)在常溫下將環(huán)氧樹脂、稀釋劑和固化劑按100 8 14的質(zhì)量比混合制成環(huán) 氧樹脂膠液；所述稀釋劑為環(huán)氧丙烷丁基醚，所述固化劑為三乙烯四胺；(3)將環(huán)氧樹脂膠液刷涂于準(zhǔn)三向預(yù)制體表面形成厚度為2. 8mm的涂層，然后將 形成涂層后的準(zhǔn)三向預(yù)制體置于固化爐內(nèi)，在溫度為80°C的條件下固化2h，使準(zhǔn)三向預(yù)制 體表面硬化定型；(4)將經(jīng)固化后的準(zhǔn)三向預(yù)制體置于浸漬罐中，采用粘度為320mPa · s,固體含量 為50%的氨酚醛樹脂作為浸漬劑，在抽真空條件下浸漬8h ；(5)將經(jīng)浸漬后的準(zhǔn)三向預(yù)制體置于炭化爐中，在溫度為1050°C的真空條件下進(jìn) 行炭化處理，當(dāng)準(zhǔn)三向預(yù)制體的密度達(dá)到0. 75g/cm3時(shí)停止炭化處理，隨爐冷卻得到預(yù)制 體；(6)將預(yù)制體進(jìn)行機(jī)械加工，然后將機(jī)械加工后的預(yù)制體置于化學(xué)氣相沉積爐中， 采用丙烯作為前驅(qū)體，在溫度為950°C的條件下進(jìn)行CVD涂層處理，在預(yù)制體表面形成厚度 為75 μ m的涂層，隨爐冷卻即得到直徑為1400mm，高度為850mm，厚度為150mm的多晶硅氫
化爐用炭/炭保溫罩。本實(shí)施例制備的多晶硅氫化爐用炭/炭保溫罩的拉伸強(qiáng)度為25MPa，壓縮強(qiáng)度為 50MPa，彎曲強(qiáng)度為40MPa，導(dǎo)熱系數(shù)為1. 5ff/m · k (800°C )。實(shí)施例6本實(shí)施例與實(shí)施例5制備方法相同，其中不同之處在于所述稀釋劑為酒精、丙 酮、甲苯、丁基縮水甘油醚、環(huán)氧丙烷苯基醚或乙二醇二縮水甘油醚，所述固化劑為二乙烯 三胺、乙二胺或聚酰胺，采用天然氣作為前驅(qū)體。本實(shí)施例制備的多晶硅氫化爐用炭/炭保溫罩的拉伸強(qiáng)度為15MPa 25MPa，壓 縮強(qiáng)度為30MPa 50MPa，彎曲強(qiáng)度為25MPa 40MPa，導(dǎo)熱系數(shù)為0. 3ff/m · k (800°C ) 1. 5ff/m · k (800 °C )。實(shí)施例7(1)采用炭布與短炭纖維網(wǎng)胎交替疊層，構(gòu)成平面方向纖維，在厚度方向采用針刺 工藝引入垂直纖維，制成密度為0. 50g/cm3，厚度為IOOmm的準(zhǔn)三向預(yù)制體；
(2)在常溫下將環(huán)氧樹脂、稀釋劑和固化劑按100 10 8的質(zhì)量比混合制成環(huán) 氧樹脂膠液；所述稀釋劑為環(huán)氧丙烷苯基醚，所述固化劑為聚酰胺；(3)將環(huán)氧樹脂膠液噴涂于準(zhǔn)三向預(yù)制體表面形成厚度為0. 5mm的涂層，然后將 形成涂層后的準(zhǔn)三向預(yù)制體置于固化爐內(nèi)，在溫度為60°C的條件下固化5h，使準(zhǔn)三向預(yù)制 體表面硬化定型；(4)將經(jīng)固化后的準(zhǔn)三向預(yù)制體置于浸漬罐中，采用粘度為300mPa · s,固體含量 為40%的氨酚醛樹脂作為浸漬劑，在抽真空條件下浸漬12h ；(5)將經(jīng)浸漬后的準(zhǔn)三向預(yù)制體置于炭化爐中，在溫度為900°C的真空條件下進(jìn) 行炭化處理，當(dāng)準(zhǔn)三向預(yù)制體的密度達(dá)到0. 80g/cm3時(shí)停止炭化處理，隨爐冷卻得到預(yù)制 體；(6)將預(yù)制體進(jìn)行機(jī)械加工，然后將機(jī)械加工后的預(yù)制體置于化學(xué)氣相沉積爐中， 采用天然氣作為前驅(qū)體，在溫度為IOOiTC的條件下進(jìn)行CVD涂層處理，在預(yù)制體表面形成 厚度為100 μ m的涂層，隨爐冷卻即得到直徑為1500mm，高度為1000mm，厚度為80mm的多晶
硅氫化爐用炭/炭保溫罩。本實(shí)施例制備的多晶硅氫化爐用炭/炭保溫罩的拉伸強(qiáng)度為20MPa，壓縮強(qiáng)度為 40MPa，彎曲強(qiáng)度為30MPa，導(dǎo)熱系數(shù)為0. 9ff/m · k (800°C )。實(shí)施例8本實(shí)施例與實(shí)施例7制備方法相同，其中不同之處在于所述稀釋劑為酒精、丙 酮、甲苯、丁基縮水甘油醚、環(huán)氧丙烷丁基醚或乙二醇二縮水甘油醚，所述固化劑為二乙烯 三胺、乙二胺或三乙烯四胺，采用丙烯作為前驅(qū)體。本實(shí)施例制備的多晶硅氫化爐用炭/炭保溫罩的拉伸強(qiáng)度為15MPa 25MPa，壓 縮強(qiáng)度為30MPa 50MPa，彎曲強(qiáng)度為25MPa 40MPa，導(dǎo)熱系數(shù)為0. 3ff/m · k (800°C ) 1. 5ff/m · k (800 °C )。
權(quán)利要求
1.一種厚尺寸多晶硅氫化爐用炭/炭保溫罩的制備方法，其特征在于，該方法包括以 下步驟(1)采用炭布與短炭纖維制備準(zhǔn)三向預(yù)制體；所述準(zhǔn)三向預(yù)制體的密度為0.20g/ cm3 0. 50g/cm3，厚度為 IOOmm 220mm ；(2)在常溫下將環(huán)氧樹脂、稀釋劑和固化劑按100 5 10 8 20的質(zhì)量比混合制 成環(huán)氧樹脂膠液；所述稀釋劑為酒精、丙酮、甲苯或環(huán)氧樹脂活性稀釋劑，所述固化劑為二 乙烯三胺、乙二胺、三乙烯四胺或聚酰胺；(3)將步驟O)中所述環(huán)氧樹脂膠液噴涂或刷涂于步驟(1)中所述準(zhǔn)三向預(yù)制體表面 形成厚度為0. 5mm 5mm的涂層，然后將形成涂層后的準(zhǔn)三向預(yù)制體固化使準(zhǔn)三向預(yù)制體 表面硬化定型；(4)將步驟(3)中經(jīng)固化后的準(zhǔn)三向預(yù)制體置于浸漬罐中，采用氨酚醛樹脂作為浸漬 劑，在抽真空條件下浸漬4h 12h ；所述氨酚醛樹脂的粘度為150mPa · s 500mPa · s，所 述氨酚醛樹脂的固體含量為40% 60% ；(5)將步驟中經(jīng)浸漬后的準(zhǔn)三向預(yù)制體置于炭化爐中，在抽真空的條件下進(jìn)行炭 化處理，當(dāng)準(zhǔn)三向預(yù)制體的密度達(dá)到0. 60g/cm3 0. 90g/cm3時(shí)停止炭化處理，隨爐冷卻得 到預(yù)制體；(6)將步驟(5)中所述預(yù)制體進(jìn)行機(jī)械加工，然后將機(jī)械加工后的預(yù)制體置于化學(xué)氣 相沉積爐中進(jìn)行CVD涂層處理，待預(yù)制體表面形成厚度為5 μ m 150 μ m的涂層后停止 CVD涂層處理，隨爐冷卻即得到直徑為IOOOmm 1800mm，高度為200mm 1500mm，厚度為 80mm 220mm的多晶硅氫化爐用炭/炭保溫罩。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種厚尺寸多晶硅氫化爐用炭/炭保溫罩的制備方法，其特 征在于，步驟O)中所述環(huán)氧樹脂活性稀釋劑為丁基縮水甘油醚、環(huán)氧丙烷丁基醚、環(huán)氧丙 烷苯基醚或乙二醇二縮水甘油醚。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種厚尺寸多晶硅氫化爐用炭/炭保溫罩的制備方法，其特 征在于，步驟C3)中所述固化的制度為在常溫下放置4 以上固化或置于固化爐內(nèi)在溫度 為40°C 80°C的條件下固化2h 8h。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種厚尺寸多晶硅氫化爐用炭/炭保溫罩的制備方法，其特 征在于，步驟(5)中所述炭化處理的溫度為900°C 1200°C。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種厚尺寸多晶硅氫化爐用炭/炭保溫罩的制備方法，其特 征在于，步驟(6)中所述CVD涂層處理的制度為采用丙烯或天然氣作為前驅(qū)體，在溫度為 800°C 1100°C的條件下進(jìn)行CVD涂層處理。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種厚尺寸多晶硅氫化爐用炭/炭保溫罩的制備方法，包括以下步驟一、采用炭布與短炭纖維制備準(zhǔn)三向預(yù)制體；二、將環(huán)氧樹脂、稀釋劑和固化劑混合制成環(huán)氧樹脂膠液；三、將環(huán)氧樹脂膠液噴涂或刷涂于步準(zhǔn)三向預(yù)制體表面形成涂層，然后固化使準(zhǔn)三向預(yù)制體表面硬化定型；四、將固化后的準(zhǔn)三向預(yù)制體置于浸漬罐中浸漬；五、將浸漬后的準(zhǔn)三向預(yù)制體進(jìn)行炭化處理；六、機(jī)械加工后進(jìn)行CVD涂層處理得到多晶硅氫化爐用炭/炭保溫罩。本發(fā)明成型工藝簡(jiǎn)單，制造成本較低，制備的多晶硅氫化爐用炭/炭保溫罩的保溫效果好、抗氣體沖刷性能優(yōu)異、力學(xué)性能好。
文檔編號(hào)C04B35/83GK102030555SQ20101055073
公開日2011年4月27日 申請(qǐng)日期2010年11月18日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月18日
發(fā)明者侯衛(wèi)權(quán), 姚成君, 李樹芳, 李永軍, 肖志超, 蘇君明 申請(qǐng)人:西安超碼科技有限公司