技術編號：9688788
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。近年來，作為用于提高NAND (與非)型閃存的比特密度的方法，提出有將存儲單元晶體管積層在半導體襯底的上方的3維積層型NAND閃存，所謂BiCS (Bit-Cost Scalable,比特可變成本)閃存的存儲器。發(fā)明內容本發(fā)明的實施方式提供一種高品質半導體存儲裝置。實施方式的半導體存儲裝置包括具備多個存儲單元晶體管的存儲單元陣列，連接于多個所述存儲單元晶體管的柵極電極的多條字線，對所述存儲單元晶體管進行數(shù)據(jù)的寫入的控制電路，以及存儲連接于所述存儲單元晶體管...
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