技術(shù)編號(hào)：9669115
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。 本發(fā)明設(shè)及半導(dǎo)體，具體設(shè)及一種射頻MOS器件的建模方法，W及應(yīng)用到 該建模方法中的輔助測(cè)試結(jié)構(gòu)。背景技術(shù) 半導(dǎo)體器件的精確建模對(duì)電路設(shè)計(jì)有非常重要的作用，建模過程主要基于對(duì)表征 結(jié)構(gòu)的測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行，而應(yīng)用在射頻領(lǐng)域的器件，通常通過測(cè)試其散射參數(shù)(S參數(shù))進(jìn)行建 模，測(cè)試頻率的范圍必須覆蓋器件的工作頻率范圍。在器件的測(cè)試結(jié)構(gòu)中，除去待測(cè)的本征 器件外，不可避免的要引入測(cè)試接觸塊(pad)及pad與器件之間的互連線。在射頻或更高頻 率應(yīng)用范圍內(nèi)，由于器件的測(cè)...
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