技術(shù)編號：9490563
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。在半導(dǎo)體銅(Cu)布線工藝中，為了進行銅薄膜的電鍍，首先需要在阻擋層上沉積一層薄的銅籽晶層，然后再在Cu籽晶層上以電化學(xué)電鍍(ECP)方法來生長出一層Cu薄膜層。圖1是半導(dǎo)體晶圓上的阻擋層、銅(Cu)籽晶層及Cu電鍍薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖；在實際生產(chǎn)中，半導(dǎo)體晶圓上往往包含有成千上萬的元器件或多層結(jié)構(gòu)，本發(fā)明為說明問題，只是舉了帶有一個介層洞的例子。請看圖1所示，半導(dǎo)體晶圓的氧化硅層100上有一個介層洞110，首先通過物理氣相沉積(Physical Vapor ...
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