技術(shù)編號(hào)：9473004
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的技術(shù)方案涉及專門適用于將光能轉(zhuǎn)換為電能的半導(dǎo)體器件，具體地說是。背景技術(shù)相對(duì)于晶硅電池因晶硅材料制造成本難于進(jìn)一步下降的情況，使用鈣鈦礦材料CH3NH3PbX3 (X = Cl, Br, or I)為主要光吸收層的太陽電池(以下稱為鈣鈦礦型太陽電池)光電轉(zhuǎn)換效率超過20%，并且具有薄膜化、室溫溶液制備、無稀有元素的低制造成本特性，極具應(yīng)用前景。在各種結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦型太陽電池中，直接采用傳統(tǒng)單晶硅及多晶硅太陽電池的P型體硅材料作為空穴傳輸層的鈣鈦礦型太...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。