技術(shù)編號(hào)：9377814
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。現(xiàn)有的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)晶體管是二維的，隨著溝道尺寸的不斷縮小，與短溝道效應(yīng)有關(guān)的問題越來越難以克服。因此，芯片制造商正在開發(fā)具有更高功效的三維立體式的晶體管，例如鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)，其可以更好地適應(yīng)器件尺寸按比例縮小的要求?，F(xiàn)有的形成FinFET器件的制造方法通常包括以下工藝步驟鰭(Fin)的形成一阱區(qū)注入一偽柵的形成一側(cè)壁的形成一擴(kuò)展區(qū)注入一SiGe和SiC的選擇性外延一金屬柵極的形成一接觸孔的形成以及相應(yīng)的后端工序。在上述...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。