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一種基于二維設(shè)計的高面積效率二極管觸發(fā)可控硅的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號:8999032

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自然界的靜電放電(ESD)現(xiàn)象對集成電路的可靠性構(gòu)成嚴重的威脅。在工業(yè)界,集成電路產(chǎn)品的失效37%都是由于遭受靜電放電現(xiàn)象所引起的。而且隨著集成電路的密度越來越大,一方面由于二氧化硅膜的厚度越來越薄(從微米到納米),器件承受的靜電壓力越來越低;另一方面,容易產(chǎn)生、積累靜電的材料如塑料,橡膠等大量使用,使得集成電路受到靜電放電破壞的幾率大大增加。靜電放電現(xiàn)象的模式通常分為四種HBM (人體放電模式),麗(機器放電模式),CDM(組件充電放電模式)以及電場感應(yīng)...
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