技術(shù)編號(hào):8458406
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。 現(xiàn)有常見(jiàn)的薄膜太陽(yáng)能電池,采用"碲化鎘","非晶硅"或"銅銦鎵硒(CIGS)"等 薄膜材料,轉(zhuǎn)換太陽(yáng)能光伏電,采用鈉鈣玻璃,金屬或其它柔性基板,使用高溫蒸發(fā),或先使 用濺射工藝,鍍上金屬材料后,再采用"硒化"或"碲化"工藝,建立"P-N結(jié)",然后在吸收層 (absorber layer)的上層和下層鋪上前后電極;除"非晶硅",這些薄膜材料都是些十分昂 貴的稀少材料,而"非晶硅"的轉(zhuǎn)換效率太低,"碲化鎘"有污染問(wèn)題,"銅銦鎵硒"制造工藝 十分復(fù)雜,很難...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。