技術(shù)編號(hào)：7261821
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開(kāi)了半導(dǎo)體器件連同用于制造此類器件的方法。在某些實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件包括使用限制半導(dǎo)體器件在操作期間諸如由偏置溫度不穩(wěn)定性引起的閾值電壓偏移的金屬形成的源電極。在某些實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件可基于碳化硅。專利說(shuō)明具有降低的偏置溫度不穩(wěn)定性(BTI)的器件[0001]本文公開(kāi)的主題涉及半導(dǎo)體器件，并且更一般而言涉及提高半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性。背景技術(shù)[0002]對(duì)于諸如碳化硅(SiC)晶體管的半導(dǎo)體器件，偏置溫度不穩(wěn)定性(BTI)可引起器件性能相當(dāng)大的變化性...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。