技術(shù)編號(hào)：7212504
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置的制造方法與結(jié)構(gòu)，為單一電晶體型和巨集電晶體型的半導(dǎo)體裝置的制造方法與結(jié)構(gòu)，特別是涉及一種整合裝置的制造方法，其中此整合裝置包含有平面金屬氧化電晶體、一或多個(gè)金屬/絕緣體/金屬(Metal-Insulator-Metal；MIM)電容器、和/或一或多個(gè)鰭式場(chǎng)效電晶體(finFET)，以形成記憶體(memory，記憶體即存儲(chǔ)介質(zhì)，存儲(chǔ)器，內(nèi)存等，以下均稱為記憶體)記憶單元，例如單一電晶體位元晶單元(說(shuō)明本文全文中有多處的“單元”，即為...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。