技術(shù)編號：7206696
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及諸如非易失性存儲器之類的微電子結(jié)構(gòu)，并且具體地，涉及碳納米 膜可逆電阻可切換(resistance-switchable)元件及其形成方法。背景技術(shù)從可逆電阻切換元件形成的非易失性存儲器是已知的。例如，通過引用從而為 了所有目的將其全部內(nèi)容合并于此的、于2005年5月9日提交的、題為“Rewriteable Memory Cell Comprising A Diode And A Resistance-Swiching Meterial，，的美國...
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