技術(shù)編號(hào)：7103731
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。這里描述的實(shí)施例通常涉及半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體器件的制造方法。背景技術(shù)在場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，隨著其尺度的縮小短溝道效應(yīng)越來越明顯，因此要求高濃度的溝道雜質(zhì)以抑制常規(guī)單柵極晶體管中的短溝道效應(yīng)。然而，已公知，增加溝道雜質(zhì)的濃度會(huì)引起許多問題，例如源于溝道中的載流子遷移率的下降的開電流(on-current)的減小，源于雜質(zhì)波動(dòng)的閾值電壓變化的增加以及結(jié)漏電流的增加，因此需要在不增加溝道雜質(zhì)的濃度的情況下抑制短溝道效應(yīng)以提高縮放的晶體管的性能。一種在溝道上設(shè)置多個(gè)柵極...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。