技術(shù)編號(hào)：7098833
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制備，尤其涉及。背景技術(shù)靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)作為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中的ー類重要產(chǎn)品，在計(jì)算機(jī)、通信、多媒體等高速數(shù)據(jù)交換系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。圖I所示的是ー個(gè)90納米以下的通常的SRAM単元的版圖結(jié)構(gòu)，包括有源區(qū)、多晶硅柵、和接觸孔這三個(gè)層次，圖中區(qū)域I所標(biāo)示出來的為控制管(Pass Gate),該器件為ー NMOS器件，區(qū)域2所標(biāo)示出來的為下拉管(PullDown M0S)，該器件同樣為ー NMOS器件，區(qū)域3所標(biāo)示出來的為上拉管(Pu...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。