技術(shù)編號(hào):7098825
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,尤其涉及一種雙層隔離混合晶向應(yīng)變納米線MOSFET。背景技術(shù)通過(guò)縮小晶體管的尺寸來(lái)提高芯片的工作速度 和集成度、減小芯片功耗密度一直是微電子工業(yè)發(fā)展所追求的目標(biāo)。在過(guò)去的四十年里,微電子工業(yè)發(fā)展一直遵循著摩爾定律。當(dāng)前,場(chǎng)效應(yīng)晶體管的物理柵長(zhǎng)已接近20nm,柵介質(zhì)也僅有幾個(gè)氧原子層厚,通過(guò)縮小傳統(tǒng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的尺寸來(lái)提高性能已面臨一些困難,這主要是因?yàn)樾〕叽缦露虦系佬?yīng)和棚極漏電流使晶體管的開(kāi)關(guān)性能變壞。納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管(N...
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