技術(shù)編號(hào)：7043121
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及用于無內(nèi)嵌式SiGe的HKMG技術(shù)中的改良型硅化物形成，在形成尖端P通道晶體管時(shí)，半導(dǎo)體合金層形成于包括晶體管主動(dòng)區(qū)的半導(dǎo)體層的表面上。當(dāng)金屬硅化物層相連于此半導(dǎo)體合金層而形成時(shí)，觀察到金屬硅化物層凝聚至隔離團(tuán)簇內(nèi)。為了解決這個(gè)問題，本發(fā)明提出一種方法及一種半導(dǎo)體裝置，其中半導(dǎo)體合金層位在晶體管的源極與漏極區(qū)上的部分在形成金屬硅化物層前予以移除。按照此方式，所形成的金屬硅化物層是相連于半導(dǎo)體層而未相連于半導(dǎo)體合金層。專利說明用于無內(nèi)嵌式S i G...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。