技術(shù)編號(hào)：7003530
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種，特別是涉及一種被STI包圍的高遷移率材料作為溝道的。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體器件尺寸持續(xù)縮小，增強(qiáng)溝道載流子的遷移率成為非常重要的技術(shù)。在襯底應(yīng)力層的設(shè)計(jì)中不同的材料的特性不同，例如晶格常數(shù)、介電常數(shù)、禁帶寬度、特別是載流子遷移率等等，如下表I所不。表I I材料I晶格常數(shù)I介電常數(shù)丨禁帶寬I遷移率icmVv"s) (nm) W度(eV) 電子空穴SiO. 543111.8I. 121600430GeO. 567516O. 6639001900...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。