技術(shù)編號(hào)：7001071
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種共平面異質(zhì)集成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種體硅襯底上鍺和III-V族半導(dǎo)體材料共平面異質(zhì)集成襯底材料，以及根據(jù)該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)制備制造而成的高性能CMOS器件。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，特別是當(dāng)器件特征尺寸進(jìn)入22nm及以下節(jié)點(diǎn)技術(shù)時(shí)，需要采用高遷移率的半導(dǎo)體材料，如Ge (鍺)、III-V族半導(dǎo)體材料等。Ge具有高的電子遷移率和空穴遷移率，但受限于器件工藝因素(Ge的η型摻雜和η型歐姆接觸等)，Ge的NMO...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。