技術(shù)編號(hào):7000148
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種,并且還涉及一種環(huán)繞式柵極晶體管 (Surrounding Gate Transistor, SGT)及其制造方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體集成電路中,尤以使用MOS (Metal Oxide Semiconductor,金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管的集成電路已朝高集成化邁進(jìn)。隨著半導(dǎo)體集成電路的高集成化,集成電路中所使用的MOS晶體管,其微細(xì)化也進(jìn)展至納米(nano)領(lǐng)域。然而,當(dāng)MOS晶體管的微細(xì)化進(jìn)展時(shí),泄漏(leak)電流的抑制會(huì)變得困難。此外,也...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。