技術(shù)編號(hào)：6957990
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種CCD器件，尤其涉及一種基于SOI材料的可抑制埋氧化層界面暗 電流的CXD。背景技術(shù)應(yīng)用在微光環(huán)境下的CXD要求有較高的量子效率，而正照CXD由于正面的多晶硅 電極會(huì)吸收入射光而使得其量子效率較低，難以滿足微光環(huán)境使用要求，所以，常通過(guò)背面 減薄法來(lái)制造背照CCD以提高其量子效率，常用的背面減薄法有機(jī)械拋光、化學(xué)腐蝕和化 學(xué)-機(jī)械拋光等方法，最終器件厚度為15微米左右；現(xiàn)有技術(shù)中的這些工藝需要專(zhuān)門(mén)的設(shè) 備，且存在工藝復(fù)雜、成品率低、成本高等缺...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。