技術(shù)編號：6877140
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及納米電子器件及納米加工，尤其涉及一種絕緣體上硅(SOI)基頂柵單電子晶體管及其制備方法。 豕忮不以互補性金屬-氧化物-半導(dǎo)體(CMOS)器件為主流技術(shù)的集成電路 一直遵循著摩爾定律迅速發(fā)展，在2004年集成電路已進入卯nm技術(shù)節(jié)點。 隨著特征尺寸進入到納米級，傳統(tǒng)的CMOS技術(shù)面臨著越來越嚴重的挑 戰(zhàn)，因此，基于新原理的納米電子器件成為研究的熱點。單電子晶體管具有尺寸小、速度快、功耗低、可大規(guī)模集成等優(yōu)點， 而且具有十分廣闊的應(yīng)用前景，如可用來制...
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