技術(shù)編號：6853088
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體裝置，且更具體言之，涉及一種能防止飽和電流變化的金屬氧化物半導體(MOS)晶體管。背景技術(shù) 通常，由于溫度變化，在金屬氧化物半導體(MOS)晶體管的源與漏之間產(chǎn)生的飽和電流會發(fā)生變化。也就是說，由于溫度變化，包括MOS晶體管的集成電路，如恒定電壓產(chǎn)生電路或延遲電路，之特征會發(fā)生變化。若該集成電路之特征基于預定條件，如溫度及壓力，而發(fā)生很大的變化，則該集成電路不可正常操作。因此，在制造步驟期間，在苛刻溫度，如-10℃或90℃，測試集成電路...
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