技術(shù)編號：6772911
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及非易失性存儲器體系架構(gòu)。特別地，本發(fā)明涉及一種電可擦除可編程 只讀存儲器(EEPROM)的體系架構(gòu)。背景技術(shù)即使不施加功率，非易失性存儲器(NVM)也允許存儲數(shù)據(jù)。一般將常規(guī)的電可擦 除可編程存儲器分類為兩類一方面為EEPR0M，另一方面為閃速-EEPROM或者“閃”存。常規(guī)EEPROM的存儲單元包括浮柵晶體管和選擇晶體管。該選擇晶體管具有連接 到字線的控制柵極端、連接到位線的第一傳導(dǎo)端以及連接到浮柵晶體管的第一傳導(dǎo)端的第 二傳導(dǎo)端。浮柵晶體管具...
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