技術(shù)編號(hào):6772552
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及相變存儲(chǔ)器(Phase Change Memory, PCM),具體涉及一種帶比較電路模塊的相變存儲(chǔ)器及其寫(xiě)操作方法。背景技術(shù)存儲(chǔ)器在半導(dǎo)體市場(chǎng)中占有重要的地位,由于便攜式電子設(shè)備的不斷普及,不揮發(fā)存儲(chǔ)器在整個(gè)存儲(chǔ)器市場(chǎng)中的份額也越來(lái)越大,其中90%以上的不揮發(fā)存儲(chǔ)器份額被 FLASH占據(jù)。但是由于存儲(chǔ)電荷的要求,F(xiàn)LASH不能隨技術(shù)代發(fā)展無(wú)限制拓展,有報(bào)道預(yù)測(cè) FLASH技術(shù)的極限在32nm左右,這就迫使人們尋找性能更為優(yōu)越的下一代不揮發(fā)存儲(chǔ)器...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。
該類技術(shù)無(wú)源代碼,用于學(xué)習(xí)原理,如您想要源代碼請(qǐng)勿下載。