技術(shù)編號：6747776
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的具體實(shí)施例是關(guān)于存儲器的編程。 背景技術(shù)SONOS (硅_氧化氮_氧化硅)是一種非揮發(fā)性、捕獲電荷半導(dǎo)體存儲器技術(shù)，其提 供超過浮動(dòng)間極快閃存儲器的數(shù)個(gè)有區(qū)別特征，包括對單點(diǎn)故障的免疫性與在較低電壓下 的編程。對比在一傳導(dǎo)閘極上儲存電荷的浮動(dòng)閘極器件，SONOS器件在一介電層內(nèi)捕獲電 荷。SONOS晶體管是使用一稱為均勻通道、修改富雷-諾特海姆(Fowler-Nordheim)穿隧 的量子力學(xué)效應(yīng)來加以編程及抹除。此編程及抹除方法可提供比其它方法(...
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