技術編號：6373807
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明是一種可提高傳輸速度的儲存裝置，且特別是有關于一種利用多層數據緩沖區(qū)實施壓縮機制，而進以提高傳輸速度的儲存裝置。背景技術 目前由硅晶片存儲器作為固態(tài)儲存媒體(如閃存)已日漸普及，由于硅晶片存儲器具低耗電、可靠度高、容量大與存取速度快等優(yōu)點，而被廣泛應用于如CF、MS、SD、MMC、SM等的小型存儲卡與USB閃存盤等應用領域不同的儲存裝置。該等儲存裝置的組成不外乎控制器及固態(tài)儲存媒體等所構成，請參圖1，其為該等儲存裝置的一內部電路。該儲存裝置A內部配置...
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