技術(shù)編號(hào):6218991
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開(kāi)了一種基于氮化硅的納米金膜電極,該電極包括覆蓋有一層納米級(jí)厚度工作金膜(2)和引腳金膜(3)的基片(1),該引腳金膜(3)與外包有塑料絕緣層(4)的金屬絲導(dǎo)線(5)通過(guò)焊錫(6)相連接;所述基片(1)的制備是采用磁控濺射鍍膜法,即在拋光的氮化硅基板(11)上逐步濺射沉積二氧化錫膜層(12)、金屬鈦膜層(13)、銅錳合金膜層(14);銅錳合金膜層(14)經(jīng)拋光處理后,再采用掩膜版法在其表面上濺射沉積工作金膜(2)和引腳金膜(3),所沉積金膜的厚度為...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。