技術(shù)編號：3439804
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及的是一種光電材料的制備方法，具體是一種銅鋅錫硫硒納米 粒子的制備方法。背景技術(shù)銅鋅錫硫硒(Cu2ZnSnSxSe4_x，0 < χ < 4,英文縮寫為CZTSSe)禁帶寬度與半導(dǎo)體太 陽電池所要求的最佳禁帶寬度(1.5eV)十分接近，并具有較大的吸收系數(shù)(可達(dá)IO4CnT1)。 同時(shí)，CZTSSe也具有禁帶寬度可調(diào)的性質(zhì)，理論計(jì)算表明硫硒比例變化可導(dǎo)致其禁帶寬度 發(fā)生規(guī)律性變化。另外，該系材料是利用在地殼上蘊(yùn)含量較高的鋅和錫元素代替了...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。