技術(shù)編號：11229547
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及高分子技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種光刻膠組合物及制備方法。背景技術(shù)光刻膠是大規(guī)模集成電路工業(yè)中進(jìn)行光刻過程的關(guān)鍵功能材料。光刻膠經(jīng)紫外光照射后，發(fā)生一系列化學(xué)反應(yīng)，使得曝光前后光刻膠在顯影液中的溶解速率產(chǎn)生變化，再經(jīng)過顯影、堅膜、蝕刻和去膜等過程就能夠?qū)⑻囟ǖ母呔葓D形轉(zhuǎn)移到待加工的基板表面。傳統(tǒng)方法中，一般使用SiNx作為TFT的鈍化層，由于其介電常數(shù)k高，透明度低等原因，容阻遲滯(RCdelay)成為高開口率的瓶頸；現(xiàn)在多使用低介電常數(shù)的材料來取代或配合SiNx作為鈍化層，目前使用較多...
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