技術編號：10075373
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。碳化硅單晶生長爐的氣路系統(tǒng)包含三個栗，分別為分子栗、機械栗、控壓栗，其中分子栗與爐腔直接相連。在單晶生長過程中，通過氣路向爐腔內(nèi)輸送特氣時，殘留在爐腔內(nèi)裝置上及保溫氈上的雜質(zhì)，會不可避免的隨氣流進入爐體，然后被吸附進生長坩禍內(nèi)，作為雜質(zhì)離子降低晶體質(zhì)量。這些雜質(zhì)隨著氣流進入爐腔，與爐腔內(nèi)殘留的粉塵等物質(zhì)形成污染源，引起晶體質(zhì)量下降；高溫下，腔體內(nèi)的石墨氈會產(chǎn)生石墨纖維，這些纖維也可通過氣路進入分子栗，引起分子栗在高速抽氣時沾污在旋片上造成栗體污染。從而導致...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。