高次模式諧振腔結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及真空電子器件技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種C波段多注速調(diào)管TM21tl高次模式諧振腔結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]大功率速調(diào)管是一種高功率微波真空器件，作為高功率微波電子系統(tǒng)發(fā)射機的末級功率放大器，廣泛應(yīng)用于雷達、通信、電視廣播、電子對抗、加速器、等離子體加熱等領(lǐng)域。隨著現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展，對低工作電壓、高峰值功率、高平均功率的真空微波功率放大器件的需求越來越廣泛，成為今后微波管發(fā)展研宄的重要方向之一。提高多注速調(diào)管的峰值功率和平均功率，可以顯著提高雷達的作用距離、分辨率，使之具有更好的機動性能和抗干擾能力，因此應(yīng)用前景越來越廣闊。
[0003]目前研制和生產(chǎn)的C波段大功率多注速調(diào)管中，大多采用了基模TMlltl和高次模式TM21tl兩種工作模式。提高多注速調(diào)管的輸出功率，理論上要從三個方面考慮:1、提高工作電壓；2、提高峰值電流；3、提高駐-波互作用效率。
[0004]對于工作模式為基模TMlltl的多注速調(diào)管，由于腔體尺寸的限制，腔體漂移頭不能做的很大，否則會降低駐-波互作用效率，因此諧振腔容納的電子注的數(shù)量就受到了限制。這種情況下，提高峰值電流就會加重陰極的發(fā)射電流密度，使陰極負荷過重，影響整管的使用壽命。另一方面，由于電子槍及諧振腔的耐壓程度有限，一味的提高工作電壓將導(dǎo)致電子槍高壓“打火”和諧振腔高頻“打火”，造成正工作不穩(wěn)定。
[0005]對于工作模式為高次模TM22J^多注速調(diào)管，諧振腔中存在多個低次模式，就需要對低次模式進行抑制，而隨著輸出功率的提高，低次模式抑制也更加困難；同時，高次模式諧振腔的結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜，不利于高頻系統(tǒng)的冷卻，影響多注速調(diào)管在高脈沖功率輸出和高平均功率狀態(tài)下的工作穩(wěn)定性。
[0006]為了進一步提升C波段多注速調(diào)管的輸出功率，在保證低電壓、長脈寬、大工作比的前提下，使輸出功率達到幾百千瓦乃至兆瓦級別，本實用新型設(shè)計了一種C波段多注速調(diào)管TM-高次模式諧振腔結(jié)構(gòu)。
【實用新型內(nèi)容】
[0007]本實用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種C波段多注速調(diào)管TM21tl高次模式諧振腔結(jié)構(gòu)，用以解決現(xiàn)有技術(shù)C波段多注速調(diào)管的輸出功率不高的問題。
[0008]為解決上述技術(shù)問題，本實用新型提供一種C波段多注速調(diào)管TM21tl高次模式諧振腔結(jié)構(gòu)，包括:含有兩組漂移管的諧振腔，以及兩組調(diào)諧機構(gòu)；其中，諧振腔由一個諧振腔段構(gòu)成，諧振腔段的上、下腔壁與兩組漂移管分別焊接，兩組漂移管的位置分別對應(yīng)于TM21tl高次模式兩個電場峰值集中的區(qū)域；兩組調(diào)諧機構(gòu)分別與諧振腔的前后開、口焊接。
[0009]進一步，每組漂移管上開有N個用作電子注通道的圓形通孔。
[0010]進一步，N大于I。
[0011]進一步，每組漂移管包含上下相對的兩個圓柱形漂移管頭，兩根漂移管中間形成互作用間隙，構(gòu)成諧振腔間隙。
[0012]進一步，調(diào)諧機構(gòu)包括調(diào)諧片和設(shè)置在調(diào)諧片上的調(diào)諧片加強筋，調(diào)諧片加強筋上設(shè)置有調(diào)諧片螺釘。
[0013]進一步，包括:調(diào)諧片采用金屬薄片材料制成。
[0014]本實用新型有益效果如下:
[0015]采用本實用新型的C波段多注速調(diào)管TM21tl高次模式諧振腔結(jié)構(gòu)，在保證低電壓、長脈寬、大工作比的前提下，使輸出功率達到幾百千瓦乃至兆瓦級別，提升C波段多注速調(diào)管的輸出功率，同時保證整管的使用壽命，以及穩(wěn)定的工作狀態(tài)。
【附圖說明】
[0016]圖1是本實用新型實施例中C波段多注速調(diào)管TM21tl高次模式諧振腔結(jié)構(gòu)漂移管組裝示意圖；
[0017]圖2是本實用新型實施例中C波段多注速調(diào)管TM21tl高次模式諧振腔結(jié)構(gòu)調(diào)諧片組裝示意圖。
【具體實施方式】
[0018]以下結(jié)合附圖以及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不限定本實用新型。
[0019]如圖1、2所示，本實用新型涉及一種C波段多注速調(diào)管TM-高次模式諧振腔結(jié)構(gòu)，包括:含有兩組漂移管2的諧振腔，以及兩組調(diào)諧機構(gòu)。
[0020]諧振腔由一個諧振腔段I構(gòu)成，諧振腔段I的上、下腔壁與兩組漂移管2分別焊接，兩組漂移管2的位置分別對應(yīng)于TM21tl高次模式兩個電場峰值集中的區(qū)域；兩組調(diào)諧機構(gòu)3分別與諧振腔I的前后開、口焊接，將諧振腔段I兩端封閉，最終得到TM21tl高次模式諧振腔結(jié)構(gòu)。
[0021]每組漂移管2上開有N個用作電子注通道的圓形通孔；N的取值范圍為大于I。每組漂移管2包含上下相對的兩個圓柱形漂移管頭，兩根漂移管2中間形成互作用間隙，即諧振腔間隙。
[0022]調(diào)諧機構(gòu)3包括調(diào)諧片、以及設(shè)置在調(diào)諧片上的調(diào)諧片加強筋，調(diào)諧片加強筋上設(shè)置有調(diào)諧片螺釘，調(diào)諧片采用金屬薄片材料，通過外力使調(diào)諧片發(fā)生形變，達到調(diào)節(jié)諧振腔頻率的目的。
[0023]本實用新型的有益效果是，采用此諧振腔結(jié)構(gòu)的C波段多注速調(diào)管，速調(diào)管采用多腔參差調(diào)諧高頻段，陰極工作電壓低于32kV，峰值電流小于70A，脈沖輸出功率可達到600kff以上，平均輸出功率達到20KW以上。同時保證整管的使用壽命，以及穩(wěn)定的工作狀
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[0024]盡管為示例目的，已經(jīng)公開了本實用新型的優(yōu)選實施例，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將意識到各種改進、增加和取代也是可能的，因此，本實用新型的范圍應(yīng)當(dāng)不限于上述實施例。
【主權(quán)項】
1.一種C波段多注速調(diào)管TM21tl高次模式諧振腔結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括:含有兩組漂移管的諧振腔，以及兩組調(diào)諧機構(gòu)；其中，諧振腔包括諧振腔段，諧振腔段的上、下腔壁與兩組漂移管分別焊接，兩組漂移管的位置分別對應(yīng)于TM21tl高次模式兩個電場峰值集中的區(qū)域；兩組調(diào)諧機構(gòu)分別與諧振腔的前后開、口焊接。
2.如權(quán)利要求1所述的C波段多注速調(diào)管TM21tl高次模式諧振腔結(jié)構(gòu)，其特征在于，每組漂移管上開有N個用作電子注通道的圓形通孔。
3.如權(quán)利要求2所述的C波段多注速調(diào)管TM21tl高次模式諧振腔結(jié)構(gòu)，其特征在于，N大于I。
4.如權(quán)利要求1?3任一項所述的C波段多注速調(diào)管TM21tl高次模式諧振腔結(jié)構(gòu)，其特征在于，每組漂移管包含上下相對的兩個圓柱形漂移管頭，兩根漂移管中間形成互作用間隙，構(gòu)成諧振腔間隙。
5.如權(quán)利要求1?3任一項所述的C波段多注速調(diào)管TM21tl高次模式諧振腔結(jié)構(gòu)，其特征在于，調(diào)諧機構(gòu)包括調(diào)諧片和設(shè)置在調(diào)諧片上的調(diào)諧片加強筋，調(diào)諧片加強筋上設(shè)置有調(diào)諧片螺釘。
6.如權(quán)利要求5所述的C波段多注速調(diào)管TM21tl高次模式諧振腔結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括:調(diào)諧片采用金屬薄片材料制成。
【專利摘要】本實用新型公開了一種C波段多注速調(diào)管TM210高次模式諧振腔結(jié)構(gòu)，包括：含有兩組漂移管的諧振腔，以及兩組調(diào)諧機構(gòu)；其中，諧振腔包括諧振腔段，諧振腔段的上、下腔壁與兩組漂移管分別焊接，兩組漂移管的位置分別對應(yīng)于TM210高次模式兩個電場峰值集中的區(qū)域；兩組調(diào)諧機構(gòu)分別與諧振腔的前后開、口焊接。在諧振腔段的上、下腔壁上，對應(yīng)有TM210高次模式兩個電場峰值集中的區(qū)域。采用本實用新型的C波段多注速調(diào)管TM210高次模式諧振腔結(jié)構(gòu)，在保證低電壓、長脈寬、大工作比的前提下，使輸出功率達到幾百千瓦乃至兆瓦級別，提升C波段多注速調(diào)管的輸出功率，同時保證整管的使用壽命，以及穩(wěn)定的工作狀態(tài)。
【IPC分類】H01J25-02, H01J23-20
【公開號】CN204303748
【申請?zhí)枴緾N201420773708
【發(fā)明人】蘇奭, 李冬鳳, 蔡永輝
【申請人】中國電子科技集團公司第十二研究所
【公開日】2015年4月29日
【申請日】2014年12月10日