一種適用于血氧飽和度檢測(cè)的電壓比較器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種適用于血氧飽和度檢測(cè)的電壓比較器，包括依次連接的預(yù)放大級(jí)模塊A、正反饋判斷模塊B和輸出緩沖級(jí)模塊C；所述預(yù)放大級(jí)模塊A用于將兩個(gè)模擬輸入信號(hào)進(jìn)行預(yù)放大處理；所述正反饋判斷模塊B用于對(duì)經(jīng)過(guò)預(yù)放大級(jí)模塊A處理的信號(hào)進(jìn)行比較判斷后輸出信號(hào)差；所述輸出緩沖級(jí)模塊C用于對(duì)所述信號(hào)差進(jìn)行轉(zhuǎn)換，并輸出一個(gè)二進(jìn)制信號(hào)。本發(fā)明采用全模擬電路，將采集并初步處理后的血氧信號(hào)與參考值比較，以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)增益控制，繼而檢測(cè)血氧飽和度。本發(fā)明在具有正確輸出邏輯的前提下，還具有精度高、功耗低、占用面積小等特點(diǎn)。
【專利說(shuō)明】
一種適用于血氧飽和度檢測(cè)的電壓比較器
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明屬于模擬集成電路技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種適用于血氧飽和度檢測(cè)的電壓比較器。
【背景技術(shù)】
[0002]血氧飽和度是指血液中氧合血紅蛋白的容量占全部血紅蛋白容量的百分比，通過(guò)對(duì)血氧飽和度的檢測(cè)，能有效判斷人體生理狀態(tài)是否正常。由于不同人群在不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)下，其血氧飽和度都不盡相同，因此，血氧檢測(cè)的準(zhǔn)確率是關(guān)注的重點(diǎn)。傳統(tǒng)的血氧飽和度檢測(cè)裝置雖然準(zhǔn)確率高，但是佩戴不便，功耗較大，只適用于醫(yī)院，難以進(jìn)入社區(qū)乃至家庭?；诖?，可穿戴式血氧飽和度檢測(cè)裝置具有較好的開(kāi)發(fā)價(jià)值和應(yīng)用前景。
[0003]現(xiàn)有的可穿戴式血氧飽和度檢測(cè)裝置中，需要更多的硬件元器件和系統(tǒng)開(kāi)銷，其功耗和體積都比較大，并且在血氧信號(hào)微弱時(shí)容易產(chǎn)生誤差，準(zhǔn)確率不夠高，可靠性差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明的目的在于提供一種適用于血氧飽和度檢測(cè)的電壓比較器電路，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)提供的可穿戴式血氧飽和度檢測(cè)裝置在血氧信號(hào)微弱時(shí)容易產(chǎn)生誤差，準(zhǔn)確率不夠高，可靠性差的問(wèn)題。
[0005]本發(fā)明提供了一種適用于血氧飽和度檢測(cè)的電壓比較器，包括依次連接的預(yù)放大級(jí)模塊A、正反饋判斷模塊B和輸出緩沖級(jí)模塊C;所述預(yù)放大級(jí)模塊A用于將兩個(gè)模擬輸入信號(hào)進(jìn)行預(yù)放大處理;所述正反饋判斷模塊B用于對(duì)經(jīng)過(guò)預(yù)放大級(jí)模塊A處理的信號(hào)進(jìn)行比較判斷后輸出信號(hào)差;所述輸出緩沖級(jí)模塊C用于對(duì)所述信號(hào)差進(jìn)行轉(zhuǎn)換，并輸出一個(gè)二進(jìn)制信號(hào)。
[0006]更進(jìn)一步地，所述預(yù)放大級(jí)模塊A包括:第一晶體管M1、第二晶體管M2、第三晶體管M3、第四晶體管M4、第五晶體管M5、第六晶體管M6和第七晶體管M7;所述第一晶體管Ml的源極和所述第三晶體管M3的源極連接后與電源VDD連接，所述第一晶體管Ml的漏極和所述第三晶體管M3的漏極連接后與M5的漏極連接，所述第三晶體管M3的柵極與漏極連接;所述第二晶體管M2的源極和所述第四晶體管M4的源極連接后與電源VDD連接，所述第二晶體管M2的漏極和所述第四晶體管M4的漏極連接后與所述第六晶體管M6的漏極連接，所述第四晶體管M4的柵極與漏極連接;所述第一晶體管Ml的柵極與第二晶體管M2的漏極連接，第二晶體管M2的柵極與所述第一晶體管Ml的漏極連接;所述第五晶體管M5的源極與第六晶體管M6的源極連接后再與第七晶體管M7的漏極連接，第七晶體管M7的源極接地;所述第六晶體管M6的柵極作為所述預(yù)放大級(jí)模塊A的正相輸入端，所述第五晶體管M5的柵極作為所述預(yù)放大級(jí)模塊A的反相輸入端，第五晶體管M5的漏極作為所述預(yù)放大級(jí)模塊A的正輸出端，第六晶體管M6的漏極作為所述預(yù)放大級(jí)模塊A的負(fù)輸出端。
[0007]更進(jìn)一步地，所述第一晶體管M1、所述第二晶體管M2、所述第三晶體管M3和所述第四晶體管M4均PMOS管;所述第五晶體管M5、第六晶體管M6和第七晶體管M7均為NMOS管。
[0008]更進(jìn)一步地，所述正反饋判斷模塊B包括:第八晶體管M8、第九晶體管M9、第十晶體管M10、第^^一晶體管M11、第十二晶體管M12、第十三晶體管M13和第十四晶體管M14;所述第八晶體管M8的源極和所述第九晶體管M9的源極連接后與電源VDD連接;所述第十晶體管MlO的漏極和所述第十二晶體管M12的漏極連接后與所述第八晶體管M8的漏極連接，所述第十晶體管MlO的源極和所述第十二晶體管M12的源極連接后與所述第十四晶體管M14的漏極連接，所述第十二晶體管M12的柵極與漏極連接;所述第十一晶體管Mll的漏極和所述第十三晶體管M13的漏極連接后與所述第九晶體管M9的漏極連接，所述第十一晶體管Ml I的源極和所述第十三晶體管M13的源極連接后與所述第十四晶體管M14的漏極連接，所述第十三晶體管M13的柵極與漏極連接;所述第十晶體管MlO的柵極與所述第十一晶體管Mll的漏極連接，所述第十一晶體管Mll的柵極與所述第十晶體管MlO的漏極連接;所述第十四晶體管M14的柵極與漏極連接，源極接地;所述第八晶體管M8的柵極作為所述正反饋判斷模塊B的正相輸入端，所述第九晶體管M9的柵極作為所述正反饋判斷模塊B的反相輸入端，第九晶體管M9的漏極作為所述正反饋判斷模塊B的正輸出端，第八晶體管M8的漏極作為所述正反饋判斷模塊B的負(fù)輸出2而。
[0009]更進(jìn)一步地，所述第八晶體管M8和所述第九晶體管M9均為PMOS管;所述第十晶體管M10、所述第^^一晶體管Ml 1、所述第十二晶體管M12、所述第十三晶體管M13和所述第十四晶體管Ml 4均為NMOS管。
[0010]更進(jìn)一步地，所述輸出緩沖級(jí)模塊C包括:第十五晶體管M15、第十六晶體管M16、第十七晶體管M17、第十八晶體管M18、第十九晶體管M19、第二十晶體管M20、第二十一晶體管M21、第二十二晶體管M22和第二十三晶體管M23;所述第十五晶體管M15的源極和所述第十六晶體管M16的源極連接后與電源VDD連接，所述第十五晶體管M15的漏極與所述第十七晶體管M17的漏極連接，所述第十六晶體管的漏極與所述第十八晶體管M18的漏極連接，所述第十五晶體管M15的柵極和所述第十六晶體管M16的柵極連接后與第十五晶體管M15的漏極連接;所述第十七晶體管M17的源極和所述第十八晶體管M18的源極連接后與所述第十九晶體管M19的漏極連接，第十九晶體管M19的源極接地;所述第二十晶體管M20的源極與電源VDD連接，所述第二十晶體管M20的漏極和所述第二十一晶體管M21的漏極連接，所述第二十晶體管M20的柵極和所述第二十一晶體管M21的柵極連接后與所述第十六晶體管M16的漏極連接，第二i^一晶體管M21的源極接地;所述第二十二晶體管M22的源極與電源VDD連接，所述第二十二晶體管M22的漏極和所述第二十三晶體管M23的漏極連接，所述第二十二晶體管M22的柵極和所述第二十三晶體管M23的柵極連接后與所述第二十晶體管M20的漏極連接，第二十三晶體管M23的源極接地;所述第十七晶體管M17的柵極作為所述輸出緩沖級(jí)模塊C的正相輸入端，所述第十八晶體管M18的柵極作為所述輸出緩沖級(jí)模塊C的反相輸入端，所述第二十三晶體管M23的漏極作為所述輸出緩沖級(jí)模塊C的輸出端。
[0011]更進(jìn)一步地，所述第十五晶體管M15、所述第十六晶體管M16、所述第二十晶體管M20和所述第二十二晶體管M22均為PMOS管;所述第十七晶體管M17、所述第十八晶體管M18、所述第十九晶體管M19、所述第二 ^^一晶體管M21和所述第二十三晶體管M23均為NMOS管。
[0012]通過(guò)本發(fā)明所構(gòu)思的以上技術(shù)方案，與現(xiàn)有技術(shù)相比，由于通過(guò)多種方式來(lái)提高比較器的增益，能夠取得高精度的有益效果。這些提高比較器的增益方式包括以下幾點(diǎn):預(yù)放大級(jí)中第一晶體管Ml的柵極與和第二晶體管M2的漏極連接，第二晶體管M2的柵極與和第一晶體管Ml的漏極連接，形成柵極交叉耦合的連接方式，構(gòu)成正反饋結(jié)構(gòu)，使增益有所提高;輸出緩沖級(jí)模塊中的差分運(yùn)算放大器也起到了提高比較器增益的作用；最后的兩個(gè)級(jí)聯(lián)的推挽式CMOS單級(jí)放大器可以用作附加的增益級(jí)，進(jìn)一步提高了增益。比較器的增益與精度的關(guān)系是密切相關(guān)的，精度隨著增益的提高而提高，因此本發(fā)明的精度最終高達(dá)lOOuV。本發(fā)明作為可穿戴式血氧飽和度檢測(cè)裝置中的一個(gè)重要環(huán)節(jié)，保證了檢測(cè)裝置在血氧信號(hào)微弱時(shí)也有很高的準(zhǔn)確率。
【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的預(yù)放大級(jí)原理圖；
[0015]圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的正反饋判斷級(jí)原理圖；
[0016]圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的輸出緩沖級(jí)原理圖。
【具體實(shí)施方式】
[0017]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0018]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明的目的在于提供一種適用于血氧飽和度檢測(cè)電壓比較器電路，它具有精度高、功耗低、占用面積小等特點(diǎn)，可用于可穿戴設(shè)備上。它的主要作用是將采集并初步處理后的血氧信號(hào)與參考值比較，以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)增益控制，繼而檢測(cè)血氧飽和度。
[0019]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種適用于血氧飽和度檢測(cè)的電壓比較器，包括依次連接的預(yù)放大級(jí)模塊A、正反饋判斷模塊B和輸出緩沖級(jí)模塊C;預(yù)放大級(jí)模塊A將兩個(gè)模擬輸入信號(hào)進(jìn)行預(yù)放大處理后，再由正反饋判斷模塊B得到輸入信號(hào)差，最后通過(guò)輸出緩沖級(jí)模塊C完成雙端到單端的轉(zhuǎn)變，輸出比較得出的一個(gè)二進(jìn)制信號(hào)，該二進(jìn)制信號(hào)作為模擬前端的數(shù)字部分的輸入信號(hào)，它使得自動(dòng)增益控制環(huán)路里的另一部分可控增益放大器的增益增大或減小，從而保證自動(dòng)增益控制環(huán)路的輸出趨于一個(gè)穩(wěn)定的值，便于后面的數(shù)字部分對(duì)血氧信號(hào)進(jìn)行精確的檢測(cè)。
[0020]預(yù)放大級(jí)模塊A采用差分輸入雙端輸出的結(jié)構(gòu)。第五晶體管M5和第六晶體管M6是差分輸入端;第三晶體管M3和第四晶體管M4是二極管連接的負(fù)載，這是是為獲取大帶寬而犧牲了增益，從而能迅速地驅(qū)動(dòng)正反饋判斷級(jí)；但第一晶體管Ml的柵極與和第二晶體管M2的漏極連接，第二晶體管M2的柵極與和第一晶體管Ml的漏極連接，形成柵極交叉耦合的連接方式，構(gòu)成正反饋結(jié)構(gòu)，在不改變帶寬的條件下使增益有所提高;第七晶體管M7的柵極與固定偏置電壓Vb連接，為預(yù)放大級(jí)提供尾電流。
[0021]正反饋判斷級(jí)模塊B采用了同步的全差分正反饋結(jié)構(gòu)。第八晶體管M8和第九晶體管M9構(gòu)成差分輸入結(jié)構(gòu);第十二晶體管M12和第十三晶體管M13是二極管連接的負(fù)載;第十晶體管MlO和第十一晶Mll體管采用柵極交叉耦合的方式，實(shí)現(xiàn)正反饋，加速電路狀態(tài)的翻轉(zhuǎn)速度，改善輸入的分辨率精度，并進(jìn)一步提高增益;二極管連接的第十四晶體管M14的主要作用是將判斷電路的輸出上拉。
[0022]輸出緩沖級(jí)模塊C由一個(gè)差分運(yùn)算放大器和兩個(gè)級(jí)聯(lián)的CMOS反相器構(gòu)成。第十七晶體管M17和第十八晶體管M18構(gòu)成差分輸入結(jié)構(gòu);第十五晶體管M15和第十六晶體M16管構(gòu)成電流鏡負(fù)載;與第七晶體管M7有相同固定偏置的第十九晶體管M19提供尾電流。差分運(yùn)算放大器完成了從雙端到單端的轉(zhuǎn)變，并且通過(guò)提高尾電流和使用電流鏡的方法增大了比較器吸入和供出輸出電流的能力。第二十晶體管M20?第二十三晶體管M23組成兩個(gè)級(jí)聯(lián)的推挽式CMOS單級(jí)放大器，既可以用作附加的增益級(jí)，又實(shí)現(xiàn)了負(fù)載電容和運(yùn)算放大器之間的隔離，在驅(qū)動(dòng)大的容性負(fù)載時(shí)速度不受擺率的限制，提高了比較器驅(qū)動(dòng)負(fù)載的能力。
[0023]與現(xiàn)有的技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)例所提供的電壓比較器，有益效果在于:為血氧飽和度檢測(cè)提供了一種精度高、功耗低、占用面積小的電壓比較器電路。
[0024]本發(fā)明提供了一種高性能的電壓比較器電路。下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)例進(jìn)行進(jìn)一步說(shuō)明。
[0025]請(qǐng)參照附圖1，本發(fā)明實(shí)施例是采用了預(yù)放大鎖存比較器結(jié)構(gòu)，預(yù)放大級(jí)模塊A將兩個(gè)模擬輸入信號(hào)進(jìn)行預(yù)放大處理后，再由正反饋判斷模塊B得到輸入信號(hào)差，最后通過(guò)輸出緩沖級(jí)模塊C完成雙端到單端的轉(zhuǎn)變，輸出比較得出的一個(gè)二進(jìn)制信號(hào)。
[0026]請(qǐng)參照附圖2，本發(fā)明實(shí)施例中的預(yù)放大級(jí)采用差分輸入雙端輸出結(jié)構(gòu)。第一晶體管Ml?第四晶體管M4的源端均與電源電壓VDD相連;第一晶體管Ml的柵端與Vol-相連，漏端與Vol+相連;第二晶體管M2的柵端與Vol+相連，漏端與Vol-相連;第三晶體管M3的柵端和漏端都與Vol+相連;第四晶體管M4的柵端和漏端都與Vol-相連;第五晶體管M5的漏端與Vol+相連，柵端與參考電壓Vref相連，源端與NI相連;第六晶體管M6的漏端與Vol-相連，柵端與輸入被測(cè)電壓Vin相連，源端與NI相連;第七晶體管M7的漏端與NI相連，柵端與偏置電壓Vb相連，源端與地GND相連。
[0027]請(qǐng)參照附圖3，本發(fā)明實(shí)施例中的正反饋判斷級(jí)采用了同步的全差分正反饋結(jié)構(gòu)。第八晶體管M8的源端與電源電壓VDD相連，柵端與Vol+相連，漏端與Vo2-相連;第九晶體管M9的源端與電源電壓VDD相連，柵端與Vol-相連，漏端與Vo2+相連;第十晶體管MlO的漏端與Vo2-相連，柵端與Vo2+相連;第^^一晶體管Ml I的漏端與Vo2+相連，柵端與Vo2_相連;第十二晶體管M12的漏端與柵端都與Vo2-相連;第十三晶體管M13的漏端與柵端都與Vo2+相連;第十晶體管MlO?第十三晶體管M13的源端均與N2相連;第十四晶體管M13的漏端和柵端都與N2相連，源端與地GND相連。
[0028]請(qǐng)參照附圖4，本發(fā)明實(shí)施例中的輸出緩沖級(jí)由一個(gè)差分運(yùn)算放大器和兩個(gè)級(jí)聯(lián)的CMOS反相器構(gòu)成。第十五晶體管M15的源端與電源電壓VDD相連，柵端和漏端都與N3相連；第十六晶體管M16的源端與VDD相連，柵端與N3相連，漏端與Vo3相連;第十七晶體管M17的漏端與N3相連，柵端與Vo2+相連，源端與N4相連;第十八晶體管M18的漏端與Vo3相連，柵端與Vo2-相連，源端與N4相連;第十九晶體管M19的漏端與N4相連，柵端與固定偏置電壓Vb相連，源端與地GND相連;第二十晶體管M20的源端與電源電壓VDD相連，柵端與Vo3相連，漏端與Vo4相連;第二 ^^一晶體管M21的漏端與Vo4相連，柵端與Vo3相連，源端與地GND相連;第二十二晶體管M22的源端與電源電壓VDD相連，柵端與Vo4相連，漏端與Vout相連;第二十三晶體管M23的漏端與Vout相連，柵端與Vo4相連，源端與地GND相連。
[0029]在本發(fā)明實(shí)施例的整體電路結(jié)構(gòu)中，Vref為輸入?yún)⒖茧妷海琕in為輸入被測(cè)電壓，Vout為輸出邏輯電平。當(dāng)Vin>Vref時(shí)，輸出Vout為邏輯高電平；當(dāng)VirKVref時(shí)，輸出Vout為邏輯低電平。取電源電壓VDD = 3.3V，負(fù)載電容CL = 2pF，通過(guò)對(duì)各個(gè)晶體管尺寸的設(shè)定，經(jīng)仿真驗(yàn)證可知，本發(fā)明實(shí)施例的精度為10uV，輸入失調(diào)電壓為54uV，傳輸時(shí)延為6.6ns，靜態(tài)功耗最低可低至0.2uW，正常工作時(shí)整個(gè)電路的功耗大約是500uW。
[0030]本領(lǐng)域的技術(shù)人員容易理解，以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種適用于血氧飽和度檢測(cè)的電壓比較器，其特征在于，包括依次連接的預(yù)放大級(jí)模塊A、正反饋判斷模塊B和輸出緩沖級(jí)模塊C; 所述預(yù)放大級(jí)模塊A用于將兩個(gè)模擬輸入信號(hào)進(jìn)行預(yù)放大處理； 所述正反饋判斷模塊B用于對(duì)經(jīng)過(guò)預(yù)放大級(jí)模塊A處理的信號(hào)進(jìn)行比較判斷后輸出信號(hào)差； 所述輸出緩沖級(jí)模塊C用于對(duì)所述信號(hào)差進(jìn)行轉(zhuǎn)換，并輸出一個(gè)二進(jìn)制信號(hào)。2.如權(quán)利要求1所述的電壓比較器，其特征在于，所述預(yù)放大級(jí)模塊A包括:第一晶體管Ml、第二晶體管M2、第三晶體管M3、第四晶體管M4、第五晶體管M5、第六晶體管M6和第七晶體管M7; 所述第一晶體管Ml的源極和所述第三晶體管M3的源極連接后與電源VDD連接，所述第一晶體管Ml的漏極和所述第三晶體管M3的漏極連接后與所述第五晶體管M5的漏極連接，所述第三晶體管M3的柵極與漏極連接； 所述第二晶體管M2的源極和所述第四晶體管M4的源極連接后與電源VDD連接，所述第二晶體管M2的漏極和所述第四晶體管M4的漏極連接后與所述第六晶體管M6的漏極連接，所述第四晶體管M4的柵極與漏極連接； 所述第一晶體管Ml的柵極與第二晶體管M2的漏極連接，第二晶體管M2的柵極與所述第一晶體管Ml的漏極連接； 所述第五晶體管M5的源極與第六晶體管M6的源極連接后再與第七晶體管M7的漏極連接，第七晶體管M7的源極接地； 所述第六晶體管M6的柵極作為所述預(yù)放大級(jí)模塊A的正相輸入端，所述第五晶體管M5的柵極作為所述預(yù)放大級(jí)模塊A的反相輸入端，第五晶體管M5的漏極作為所述預(yù)放大級(jí)模±夬八的正輸出端，第六晶體管M6的漏極作為所述預(yù)放大級(jí)模塊A的負(fù)輸出端。3.如權(quán)利要求2所述的電壓比較器，其特征在于，所述第一晶體管M1、所述第二晶體管M2、所述第三晶體管M3和所述第四晶體管M4均PMOS管;所述第五晶體管M5、第六晶體管M6和第七晶體管M7均為NMOS管。4.如權(quán)利要求1或2所述的電壓比較器，其特征在于，所述正反饋判斷模塊B包括:第八晶體管M8、第九晶體管M9、第十晶體管MlO、第^^一晶體管Ml 1、第十二晶體管M12、第十三晶體管M13和第十四晶體管M14; 所述第八晶體管M8的源極和所述第九晶體管M9的源極連接后與電源VDD連接； 所述第十晶體管MlO的漏極和所述第十二晶體管M12的漏極連接后與所述第八晶體管M8的漏極連接，所述第十晶體管MlO的源極和所述第十二晶體管M12的源極連接后與所述第十四晶體管M14的漏極連接，所述第十二晶體管M12的柵極與漏極連接； 所述第十一晶體管Mll的漏極和所述第十三晶體管M13的漏極連接后與所述第九晶體管M9的漏極連接，所述第十一晶體管Mll的源極和所述第十三晶體管M13的源極連接后與所述第十四晶體管M14的漏極連接，所述第十三晶體管M13的柵極與漏極連接； 所述第十晶體管MlO的柵極與所述第十一晶體管Mll的漏極連接，所述第十一晶體管Ml I的柵極與所述第十晶體管MlO的漏極連接； 所述第十四晶體管M14的柵極與漏極連接，源極接地； 所述第八晶體管M8的柵極作為所述正反饋判斷模塊B的正相輸入端，所述第九晶體管M9的柵極作為所述正反饋判斷模塊B的反相輸入端，第九晶體管M9的漏極作為所述正反饋判斷模塊B的正輸出端，第八晶體管M8的漏極作為所述正反饋判斷模塊B的負(fù)輸出端。5.如權(quán)利要求4所述的電壓比較器，其特征在于，所述第八晶體管M8和所述第九晶體管M9均為PMOS管;所述第十晶體管Ml O、所述第^^一晶體管Ml 1、所述第十二晶體管Ml 2、所述第十三晶體管M13和所述第十四晶體管M14均為NMOS管。6.如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的電壓比較器，其特征在于，所述輸出緩沖級(jí)模塊C包括:第十五晶體管M15、第十六晶體管M16、第十七晶體管M17、第十八晶體管M18、第十九晶體管M19、第二十晶體管M20、第二 ^^一晶體管M21、第二十二晶體管M22和第二十三晶體管M23; 所述第十五晶體管M15的源極和所述第十六晶體管M16的源極連接后與電源VDD連接，所述第十五晶體管M15的漏極與所述第十七晶體管M17的漏極連接，所述第十六晶體管的漏極與所述第十八晶體管M18的漏極連接，所述第十五晶體管M15的柵極和所述第十六晶體管M16的柵極連接后與第十五晶體管M15的漏極連接； 所述第十七晶體管M17的源極和所述第十八晶體管M18的源極連接后與所述第十九晶體管M19的漏極連接，第十九晶體管M19的源極接地； 所述第二十晶體管M20的源極與電源VDD連接，所述第二十晶體管M20的漏極和所述第二十一晶體管M21的漏極連接，所述第二十晶體管M20的柵極和所述第二十一晶體管M21的柵極連接后與所述第十六晶體管M16的漏極連接，第二十一晶體管M21的源極接地； 所述第二十二晶體管M22的源極與電源VDD連接，所述第二十二晶體管M22的漏極和所述第二十三晶體管M23的漏極連接，所述第二十二晶體管M22的柵極和所述第二十三晶體管M23的柵極連接后與所述第二十晶體管M20的漏極連接，第二十三晶體管M23的源極接地；所述第十七晶體管M17的柵極作為所述輸出緩沖級(jí)模塊C的正相輸入端，所述第十八晶體管M18的柵極作為所述輸出緩沖級(jí)模塊C的反相輸入端，所述第二十三晶體管M23的漏極作為所述輸出緩沖級(jí)模塊C的輸出端。7.如權(quán)利要求6所述的電壓比較器，其特征在于，所述第十五晶體管M15、所述第十六晶體管M16、所述第二十晶體管M20和所述第二十二晶體管M22均為PMOS管;所述第十七晶體管M17、所述第十八晶體管M18、所述第十九晶體管M19、所述第二十一晶體管M21和所述第二十三晶體管M23均為NMOS管。
【文檔編號(hào)】A61B5/145GK105958983SQ201610259339
【公開(kāi)日】2016年9月21日
【申請(qǐng)日】2016年4月25日
【發(fā)明人】鄭朝霞, 鄒雪城, 玉冬, 鄭剛, 蔣潘婷, 曾小剛, 劉政林
【申請(qǐng)人】華中科技大學(xué)