光粉末大體均勻地分布在靠近基片的表面處。
[0022] 本發(fā)明的另一個具體實施方案還設(shè)及形成用于發(fā)光裝置的薄膜巧光粉層的方法。 所述方法包括：（1)在靠近基片處形成第一巧光粉末層，所述第一巧光粉末層包括靠近基片 表面分布的第一巧光粉顆粒;和(2)通過氣相沉積在靠近第一巧光粉末層處形成第一聚合 物層，所述第一聚合物層用作所述第一巧光粉顆粒的粘合劑。
[0023] 本發(fā)明的另一個具體實施方案設(shè)及在基片上形成薄膜巧光粉層的系統(tǒng)。所述系統(tǒng) 包括：（1)限定外殼W容納基片的沉積子系統(tǒng)；（2)被構(gòu)造成使用運載氣體將巧光粉末從巧 光粉末源輸送到沉積子系統(tǒng)的巧光粉末輸送子系統(tǒng)；（3)被構(gòu)造成在氣相中將聚合物前體 輸送到沉積子系統(tǒng)的聚合物前體輸送子系統(tǒng);和(4)與沉積子系統(tǒng)、巧光粉末輸送子系統(tǒng)和 聚合物前體輸送子系統(tǒng)連接的控制子系統(tǒng)，其中所述控制子系統(tǒng)被構(gòu)造成控制所述巧光粉 末輸送子系統(tǒng)在第一時間間隔內(nèi)將巧光粉末輸送到沉積子系統(tǒng)，W在靠近基片處形成巧光 粉末層，并且所述控制子系統(tǒng)被構(gòu)造成控制聚合物前體輸送子系統(tǒng)在第二時間間隔內(nèi)將聚 合物前體輸送到沉積子系統(tǒng)，W在靠近巧光粉末層處形成聚合物層。
[0024] 本發(fā)明的另一個具體實施方案設(shè)及一種發(fā)光裝置，其包括：（1)基片；（2)在靠近基 片處大體均勻分布的巧光粉末層;和(3)基于聚對二甲苯的聚合物層，其共形地沉積在靠近 所述巧光粉末處作為粘合劑材料W形成大體連續(xù)的薄膜，其中巧光粉末層包括單色巧光 粉。
[0025] 本發(fā)明的又一個具體實施方案設(shè)及發(fā)光裝置，其包括：（1)基片；（2)在靠近基片處 大體均勻分布的多個巧光粉末層，所述巧光粉末層被構(gòu)造成發(fā)出不同顏色的光;和(3)多個 基于聚對二甲苯的聚合物層，每一個基于聚對二甲苯的聚合物層共形地沉積在靠近各個巧 光粉末層處，每一個基于聚對二甲苯的聚合物層是填充巧光粉顆粒組分之間的空隙的各個 巧光粉末層的粘合劑材料。
[0026] 也要考慮本發(fā)明的其它方面W及實施方案。前述的概述和下面的詳細描述并不意 味著將本發(fā)明限制于任何特定實施方案，而僅僅是描述本發(fā)明的一些實施方案。
[0027] 本發(fā)明通過W下條目內(nèi)容來實現(xiàn)：
[0028] 1.-種形成用于發(fā)光裝置的薄膜巧光粉層的方法，所述方法包括：
[0029] 使用運載氣體將巧光粉末從巧光粉末源運輸?shù)匠练e室;和
[0030] 在所述沉積室內(nèi)將所述巧光粉末沉積在靠近基片處W便使所述巧光粉末大致均 勻地分布在靠近基片表面處。
[0031] 2.根據(jù)條目1所述的方法，進一步包括在所述巧光粉末中誘導(dǎo)靜電荷。
[0032] 3.根據(jù)條目2所述的方法，其中所述基片是非導(dǎo)電性的，并且進一步包括：
[0033] 誘導(dǎo)相反的靜電荷靠近所述基片的表面;和
[0034] 隨后沉積所述巧光粉末，使用電離氣體使所述巧光粉末放電。
[0035] 4.根據(jù)條目2所述的方法，其中所述基片是導(dǎo)電性的，并且進一步包括：
[0036] 使所述基片與地電位連接;和
[0037] 隨后沉積所述巧光粉末，使用電離氣體使所述巧光粉末放電。
[0038] 5.根據(jù)條目1所述的方法，其中，沉積所述巧光粉末包括通過噴頭機構(gòu)分配所述巧 光粉末。
[0039] 6.根據(jù)條目1所述的方法，其中，沉積所述巧光粉末包括使用旋轉(zhuǎn)基片支持器旋轉(zhuǎn) 所述基片。
[0040] 7.根據(jù)條目1所述的方法，其中，所述沉積巧光粉末的厚度在lOnm到60皿的范圍之 內(nèi)。
[0041 ] 8.根據(jù)條目1所述的方法，還包括將聚合物層沉積在靠近所述沉積的巧光粉末處 W便在靠近所述基片表面處形成薄膜巧光粉層。
[0042] 9.根據(jù)條目8所述的方法，其中，所述薄膜巧光粉層的厚度在lOnm到100WI1的范圍 之內(nèi)。
[0043] 10.根據(jù)條目8所述的方法，其中，所述聚合物包括基于聚對二甲苯的聚合物，并且 沉積所述聚合物是用化學(xué)氣相沉積進行的。
[0044] 11.-種形成用于發(fā)光裝置的薄膜巧光粉層的方法，所述方法包括：
[0045] 在靠近基片處形成第一巧光粉末層，所述第一巧光粉末層包括靠近所述基片表面 分布的第一巧光粉顆粒;和
[0046] 通過氣相沉積在靠近所述第一巧光粉末層處形成第一聚合物層，所述第一聚合物 層用作所述第一巧光粉顆粒的粘合劑。
[0047] 12.根據(jù)條目11所述的方法，還包括通過氣相沉積在靠近第一聚合物層處形成第 二聚合物層。
[0048] 13.根據(jù)條目12所述的方法，其中，所述第一聚合物層的折射率大于所述第二聚合 物層的折射率。
[0049] 14.根據(jù)條目12所述的方法，其中所述第一聚合物層和所述第二聚合物層中的至 少一者包括含有式-〔22'-4'-〔2"2"'-的重復(fù)單元的聚合物，其中4^&自（1)未取代的亞苯 基，（2)式C6H4-xC1x的氯取代的亞苯基，其中X為1至4的整數(shù)，和(3)式C6H4-x'Fx'的氣取代的亞 苯基，其中X'為1至4的的整數(shù)，且Z、Z'、Z"和Z"'獨立地選自H、F、烷基和芳基。
[0化0] 15.根據(jù)條目11所述的方法，還包括：
[0051] 在靠近所述第一聚合物層處形成第二巧光粉末層，所述第二巧光粉末層包括靠近 所述第一聚合物層表面分布的第二巧光粉顆粒;和
[0052] 通過氣相沉積在靠近所述第二巧光粉末層處形成第二聚合物層，所述第二聚合物 層用作所述第二巧光粉顆粒的粘合劑，
[0053] 其中所述第一巧光粉顆粒和所述第二巧光粉顆粒被構(gòu)造成發(fā)出不同顏色的光。
[0化4] 16.根據(jù)條目15所述的方法，還包括：
[0055] 在靠近所述第二聚合物層處形成第Ξ巧光粉末層，所述第Ξ巧光粉末層包括靠近 所述第二聚合物層分布的第Ξ巧光粉顆粒;和
[0056] 通過氣相沉積在靠近所述第Ξ巧光粉層處形成第Ξ聚合物層，所述第Ξ聚合物層 用作所述第Ξ巧光粉顆粒的粘合劑，
[0057] 其中所述第一巧光粉顆粒、所述第二巧光粉顆粒和所述第Ξ巧光粉顆粒被配置成 發(fā)出不同顏色的光。
[005引17 . -種在基片上形成薄膜巧光粉層的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括：
[0059] 沉積子系統(tǒng)，其限定外殼W容納所述基片；
[0060] 巧光粉末輸送子系統(tǒng)，其被構(gòu)造成使用運載氣體將巧光粉末從巧光粉末源輸送到 所述沉積子系統(tǒng)；
[0061] 聚合物前體輸送子系統(tǒng)，其被構(gòu)造成將氣相的聚合物前體輸送到所述沉積子系 統(tǒng);和
[0062] 控制子系統(tǒng)，其與所述沉積子系統(tǒng)、所述巧光粉末輸送子系統(tǒng)W及所述聚合物前 體輸送子系統(tǒng)連接，其中所述控制子系統(tǒng)被構(gòu)造成控制所述巧光粉末輸送子系統(tǒng)在第一時 間間隔內(nèi)將所述巧光粉末輸送到所述沉積子系統(tǒng)，W在靠近所述基片處形成巧光粉末層， 并且所述控制子系統(tǒng)被構(gòu)造成控制所述聚合物前體輸送子系統(tǒng)在第二時間間隔內(nèi)將所述 聚合物前體輸送到所述沉積子系統(tǒng)，W在靠近所述巧光粉末層處形成聚合物層。
[0063] 18.根據(jù)條目17所述的系統(tǒng)，其中，所述沉積子系統(tǒng)包括限定所述外殼的真空室、 被構(gòu)造 W在所述真空室內(nèi)支撐所述基片的基片支持器W及被構(gòu)造 W在基片上方沉積所述 巧光粉末的噴頭機構(gòu)。
[0064] 19.根據(jù)條目18所述的系統(tǒng)，其中所述基片支持器被構(gòu)造用W旋轉(zhuǎn)所述基片。
[0065] 20.根據(jù)條目18所述的系統(tǒng)，其中所述沉積子系統(tǒng)還包括被構(gòu)造成在所述巧光粉 末中誘導(dǎo)靜電荷的電離器。
[0066] 21.根據(jù)條目17所述的系統(tǒng)，其中所述巧光粉末輸送子系統(tǒng)包括被構(gòu)造成在所述 巧光粉末中誘導(dǎo)靜電荷的電離器。
[0067] 22.根據(jù)條目17所述的系統(tǒng)，其中所述聚合物前體子輸送子系統(tǒng)包括被構(gòu)造成從 所述聚合物前體中生成氣相活性中間體的氣體反應(yīng)器。
[0068] 23.根據(jù)條目22所述的系統(tǒng)，其中所述氣體反應(yīng)器被構(gòu)造用W從所述聚合物前體 生成自由基，并且所述聚合物前體具有式：促2、)。-4'-促"2"、'）。，其中4^&自（1巧取 代的亞苯基，（2)式C6H4-xC1x的氯取代的亞苯基，其中X為1至4的整數(shù)，和(3)式C6H4-x'Fx'的氣 取代的亞苯基，其中X'為1至4的整數(shù)，且Z、Z'、Z"和Z"'選自H、F、烷基和芳基，Y和Y'可W移 除W產(chǎn)生自由基，m和η各自等于0或者是正整數(shù)，并且m和η的和小于或等于Ar上可用于取代 的SP2-雜化碳的總數(shù)。
[0069] 24.根據(jù)條目22所述的系統(tǒng)，其中所述氣體反應(yīng)器被構(gòu)造用W從所述聚合物前體 中生成自由基，并且所述聚合物前體包括具有式{似2'）-4'-似"之''）}2的二聚物，其中八' 選自（1)未取代的亞苯基，（2)式C6H4-xC1x的氯取代的亞苯基，其中X為1至4的整數(shù)，和（3)式 C6H4-x'Fx'的氣取代的亞苯基，其中X'為1至4的整數(shù)，且Z、Z'、Z"和Z"'獨立地選自H、F、烷基 和芳基。
[0070] 25. -種薄膜巧光粉層，包括：
[0071 ]至少一個所述巧光粉層;和
[0072] 至少一個靠近所述至少一個巧光粉層布置的基于聚對二甲苯的聚合物層，所述至 少一個基于聚對二甲苯的聚合物層用作所述至少一個巧光粉層的粘合劑。
[0073] 26.根據(jù)條目25所述的薄膜巧光粉層，其中所述至少一個基于聚對二甲苯的聚合 物層包括含有式-〔22'-4'-〔2"2"'-的重復(fù)單元的聚合物，其中4^&自（1)未取代的亞苯基， (2)式C6H4-xC1x的氯取代的亞苯基，其中X為1至4的整數(shù)，和(3)式C6H4-x'Fx'的氣取代的亞苯 基，其中X'為1至4的整數(shù)，且Z、Z'、Z"和Z"'獨立地選自H、F、烷基和芳基。
【附圖說明】
[0074] 為了更好地理解本發(fā)明的一些實施方案的特性和目的，應(yīng)結(jié)合附圖參考下面的詳 細描述。
[0075] 圖1A描述了一種使用料漿法形成的常規(guī)白色L邸的近端巧光粉槽中配置。
[0076] 圖1B描述了一種使用Era形成的常規(guī)白色L邸的近端巧光粉配置。
[0077] 圖2描述了一種通過用發(fā)光陶瓷板制成薄片而形成的常規(guī)白色Lm)的近端巧光粉 配置。
[0078] 圖3描述了由巧光粉末的光散射、在材料界面的TIRW及在LED表面的光吸收導(dǎo)致 的的光源損失。
[0079] 圖4根據(jù)本發(fā)明的實施方案，描述了形成共形薄膜巧光粉層的