具有改進的磁晶粒尺寸分布和晶間偏析的磁介質(zhì)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及具有改進的磁晶粒尺寸分布和晶間偏析的磁介質(zhì)。
【背景技術(shù)】
[0002]常規(guī)的磁記錄磁盤驅(qū)動器包括附連至懸浮物和介質(zhì)例如磁盤的滑塊(slider)。滑塊通常包括磁讀取變換器(閱讀器)和磁寫入變換器(寫入器)。寫入器沿著介質(zhì)中的磁道磁性地將數(shù)據(jù)記錄為二進制位。閱讀器從介質(zhì)讀回數(shù)據(jù)。
[0003]磁記錄中的趨勢是達到更高的面密度。例如，期望的是高達ITbit/in2和更高的密度。為了在這種面密度下讀取、寫入和存儲數(shù)據(jù)，閱讀器、寫入器和介質(zhì)已經(jīng)進化。例如，可以使用隧道磁電阻(TMR)傳感器以閱讀具有足夠高的信號的較高密度的介質(zhì)。垂直磁記錄(PMR)寫入器和熱輔助磁記錄(HAMR)寫入器可以用于寫入這種高密度介質(zhì)，其利用激光加熱介質(zhì)的區(qū)域至接近和/或高于介質(zhì)的居里溫度的溫度。類似地，磁介質(zhì)已經(jīng)發(fā)展為在較高的面密度下存儲數(shù)據(jù)。
[0004]雖然這種常規(guī)的磁記錄磁盤驅(qū)動器起作用，但是存在缺點。例如，對于高面密度減小的噪音，可以期望的是改進的信噪比和解決其他問題的機制。可以能夠提供這些特征的介質(zhì)是期望的。因此，所需要的是用于改進磁記錄磁盤驅(qū)動器在較高面密度下的性能的系統(tǒng)和方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種在磁存儲設(shè)備中可使用的磁記錄介質(zhì)，所述磁記錄介質(zhì)包括:
[0006]基底；
[0007]至少一個中間層，所述中間層具有主要相和第二相，所述主要相具有第一擴散常數(shù)，所述第二相具有大于所述第一擴散常數(shù)的第二擴散常數(shù)；和
[0008]用于存儲磁數(shù)據(jù)的磁記錄堆棧，所述磁記錄堆棧停留在所述中間層上，使得所述至少一個中間層在所述基底和所述磁記錄堆棧之間。
[0009]在一種實施方式中，其中所述第二相是共晶相。
[0010]在一種實施方式中，其中所述主要相具有第一晶體結(jié)構(gòu)、第一方向和第一組成，所述第二相是具有不同于所述第一組成的第二組成的沉淀物，所述第一方向和所述第一晶體結(jié)構(gòu)基本上不被所述第二相改變。
[0011]在一種實施方式中，其中所述至少一個中間層包括至少一個含Ru層。
[0012]在一種實施方式中，其中所述至少一個含Ru層包括第一中間層，所述第一中間層包括Ru和Co。
[0013]在一種實施方式中，其中所述至少一個含Ru層包括所述第一中間層、第二中間層和第三中間層，所述第二中間層在所述第一中間層和所述第三中間層之間。
[0014]在一種實施方式中，其中所述第二中間層在第一濺射壓力下被濺射，并且所述第三中間層在第二濺射壓力下被濺射，所述第二濺射壓力大于所述第一濺射壓力。
[0015]在一種實施方式中，其中所述至少一個含Ru層包括第一中間層和第二中間層，所述第二中間層在所述第一中間層和所述磁記錄堆棧之間，所述第一中間層和所述第二中間層的每個包括Ru。
[0016]在一種實施方式中，其中所述第一中間層在第一派射壓力下被派射，并且所述第二中間層在第二濺射壓力下被濺射，所述第二濺射壓力大于所述第一濺射壓力。
[0017]在一種實施方式中，其中所述至少一個含Ru層也包括選自Mo、Nb、W、Al、Be、C、Dy、Gd、Ge、Ho、Lu、Nd、Pd、Sm、Tb、Y 和 Zr 的另外的材料。
[0018]在一種實施方式中，其中如果所述另外的材料是Mo，則所述至少一個含Ru層包括不超過30原子百分比的Mo，其中如果所述另外的材料是Nb，則所述至少一個含Ru層包括不超過20原子百分比的Nb，并且其中如果所述含Ru層包括W，則所述至少一個含Ru層包括不超過50原子百分比的W。
[0019]在一種實施方式中，其中所述含Ru層包括W。
[0020]在一種實施方式中，其中所述至少一個中間層具有帶有多個晶界的多個晶粒，所述第二相偏析至所述多個晶界。
[0021]在一種實施方式中，磁記錄介質(zhì)進一步包括:
[0022]在所述基底上的軟墊層；
[0023]在所述軟墊層上的方向控制層，所述方向控制層在所述軟墊層和所述至少一個中間層之間。
[0024]本發(fā)明還提供了一種在磁存儲設(shè)備中可使用的磁記錄介質(zhì)，所述磁記錄介質(zhì)包括:
[0025]基底；
[0026]在所述基底上的第一中間層，所述第一中間層包括Ru、Co和至少第一另外的元素，所述第一另外的元素包括第一濃度的Mo、Nb和W的至少一種，使得所述第一中間層具有初生RuCo相和具有大于RuCo擴散常數(shù)的第一擴散常數(shù)的第一共晶相；
[0027]在所述第一中間層上的第二中間層，所述第二中間層包括Ru和至少第二另外的元素，所述第二另外的元素包括第二濃度的Mo、Nb和W的至少一種，使得所述第二中間層具有初生Ru相和具有大于Ru擴散常數(shù)的第二擴散常數(shù)的第二共晶相；
[0028]在所述第二中間層上的第三中間層，所述第三中間層包括所述Ru和至少第三另外的元素，所述第三另外的元素包括第三濃度的Mo、Nb和W的至少一種，使得所述第三中間層具有所述初生Ru相和具有大于所述Ru擴散常數(shù)的第三擴散常數(shù)的第三共晶相；和
[0029]用于存儲磁數(shù)據(jù)的磁記錄堆棧，所述磁記錄堆棧停留在所述第三中間層上。
[0030]在一種實施方式中，該種磁記錄磁盤驅(qū)動器包括:
[0031]包括基底的介質(zhì)、在所述基底上的至少一個中間層和在所述至少一個中間層上的磁記錄堆棧，所述至少一個中間層具有主要相和第二相，所述主要相具有第一擴散常數(shù)，所述第二相具有大于所述第一擴散常數(shù)的第二擴散常數(shù)，所述磁記錄堆棧用于存儲磁數(shù)據(jù)；和
[0032]包括寫入變換器的滑塊，所述變換器具有空氣軸承表面(ABS)、主極和至少一個線圈，所述主極被配置為寫入所述介質(zhì)的區(qū)域。
[0033]本發(fā)明還提供一種用于在磁存儲設(shè)備中可使用的磁記錄介質(zhì)的方法，所述方法包括:
[0034]在基底上提供至少一個中間層，所述至少一個中間層包括主要相和第二相，所述主要相具有第一擴散常數(shù)，所述第二相具有大于所述第一擴散常數(shù)的第二擴散常數(shù)，所述磁記錄堆棧停留在所述中間層上；和
[0035]在所述至少一個中間層上提供磁記錄堆棧，所述磁記錄堆棧用于存儲磁數(shù)據(jù)。
[0036]在一種實施方式中，其中所述第二相是共晶相。
[0037]在一種實施方式中，其中所述主要相具有第一晶體結(jié)構(gòu)、第一方向和第一組成，所述第二相是具有不同于所述第一組成的第二組成的沉淀物，所述第一方向和所述第一晶體結(jié)構(gòu)基本上不被所述第二相的存在改變。
[0038]在一種實施方式中，其中提供所述至少一個中間層的步驟包括:
[0039]提供至少一個含Ru層。
[0040]在一種實施方式中，其中所述至少一個含Ru層包括第一中間層，所述第一中間層包括Ru和Co。
[0041]在一種實施方式中，其中所述至少一個含Ru層包括第一中間層和第二中間層，所述第二中間層在所述第一中間層和所述磁記錄堆棧之間。
[0042]在一種實施方式中，其中所述第一中間層在第一濺射壓力下被濺射，并且所述第二中間層在第二濺射壓力下被濺射，所述第二濺射壓力大于所述第一濺射壓力。
[0043]在一種實施方式中，其中所述至少一個含Ru層還包括選自Mo、Nb、W、Al、Be、C、Dy、Gd、Ge、Ho、Lu、Nd、Pd、Sm、Tb、Y 和 Zr 的另外的材料。
[0044]在一種實施方式中，其進一步包括:
[0045]在所述基底上提供軟墊層；
[0046]在所述軟墊層上提供方向控制層，所述方向控制層在所述軟墊層和所述至少一個中間層之間。
【附圖說明】
[0047]圖1描繪了磁記錄裝置，例如磁盤驅(qū)動器的側(cè)視圖。
[0048]圖2描繪了可以在磁記錄裝置中可使用的磁記錄介質(zhì)的示例性實施方式。
[0049]圖3A和3B是描繪磁記錄介質(zhì)的中間層的另一個示例性實施方式中的合金的相的合金圖。
[0050]圖4描繪了可以在磁記錄裝置中可使用的磁記錄介質(zhì)的另一個示例性的實施方式。
[0051]圖5描繪了磁記錄介質(zhì)的中間層的另一個示例性實施方式。
[0052]圖6描繪了磁記錄介質(zhì)的中間層的另一個示例性實施方式。
[0053]圖7描繪了磁記錄介質(zhì)的中間層的另一個示例性實施方式。
[0054]圖8描繪了磁記錄介質(zhì)的中間層的另一個示例性實施方式。
[0055]圖9描繪了磁記錄介質(zhì)的中間層的另一個示例性實施方式。
[0056]圖10是描繪用于提供在磁記錄裝置中可以使用的磁記錄介質(zhì)的方法的示例性實施方式的流程圖。
[0057]圖11描繪了用于制造在磁盤驅(qū)動器中可以使用的磁記錄介質(zhì)的方法的另一個示例性實施方式的流程圖。
【具體實