摻雜方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種摻雜方法，特別是涉及一種用于背接觸電池的摻雜方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導體摻雜工藝中，常常需要實現(xiàn)局部的摻雜，例如太陽能電池的選擇性發(fā)射極結(jié)構(gòu)(需要形成局部重摻雜)、背接觸電池的結(jié)構(gòu)(PN結(jié)均形成于電池片的背面)，或者MOS(金屬氧化物半導體)管中也會需要形成局部摻雜的結(jié)構(gòu)。通常，為了形成局部的摻雜，需要用到掩膜(mask)，將需要摻雜的位置暴露出來，將無需摻雜的區(qū)域覆蓋起來。常用的掩膜例如光刻膠，例如采用光刻將需要摻雜的位置暴露出來以便后續(xù)的摻雜。
[0003]也就是說，在現(xiàn)有需要實現(xiàn)局部摻雜的工藝中，無可避免地會有一道形成掩膜的步驟，而掩膜的好壞、掩膜的精度也會從一定程度上影響后續(xù)工藝，加上掩膜的形成常常采用光刻來實現(xiàn)，而光刻的工藝無疑會從一定程度上增加成本以及增加工藝的復(fù)雜度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中需要形成局部摻雜的場合下無可避免會有一道形成掩膜的工序、從而增加了工藝的復(fù)雜度的缺陷，提供一種具有高度連貫性的摻雜方法，其利用了擴散工藝中的擴散源作為掩膜，避免了額外的掩膜工序，充分利用每種工藝的特點，簡化了工藝流程，提高了步驟間的連貫性。
[0005]本發(fā)明是通過下述技術(shù)方案來解決上述技術(shù)問題的:
[0006]一種摻雜方法，其特點在于，其包括以下步驟:
[0007]S1:通過熱擴散工藝在第一導電類型襯底的正面中形成第一導電類型摻雜層，并且在擴散摻雜過程中在該第一導電類型摻雜層上形成第一氧化層；
[0008]S2:在第一導電類型襯底的背面上淀積形成第二導電類型摻雜源；
[0009]S3:圖形化蝕刻該第二導電類型摻雜源以暴露出預(yù)定區(qū)域的第一導電類型襯底；
[0010]S4:通過離子注入的方式在該預(yù)定區(qū)域的表面中形成第一導電類型摻雜區(qū)域；
[0011]S5:在退火的同時使該第二導電類型摻雜源中的第二導電類型離子擴散至該第一導電類型襯底中形成第二導電類型摻雜區(qū)域。
[0012]在該技術(shù)方案中，將第二導電類型擴散源作為掩膜，用于局部的離子注入，而無需額外的掩膜工序，工藝之間的連貫性更強。
[0013]另外，將退火和擴散摻雜相結(jié)合，使得離子注入后的損傷修復(fù)與第二導電類型摻雜區(qū)域的形成在同一步驟中實現(xiàn)，利用了離子注入和熱擴散工藝的特點，將兩者有機結(jié)合，簡化了工藝步驟。
[0014]再者，由于該技術(shù)方案中襯底的兩個面中均需要形成摻雜，利用了形成第一導電類型摻雜層時在正面上形成的第一氧化層作為正面掩膜，來保護該第一導電類型摻雜層，免受步驟S5的擴散影響。
[0015]該技術(shù)方案充分利用了熱擴散和離子注入的特點，將摻雜步驟和掩膜的形成相結(jié)合，高度集成了每個步驟，由此簡化整體的工藝。
[0016]優(yōu)選地，步驟SI之前包括步驟SO:在該第一導電類型襯底的正面和背面形成絨面。
[0017]優(yōu)選地，步驟SI之后、步驟S2之前還包括:蝕刻該第一導電類型襯底的背面的邊緣并拋光該第一導電類型襯底的背面。
[0018]優(yōu)選地，步驟S3中通過激光或者蝕刻漿料來蝕刻預(yù)定區(qū)域的第二導電類型摻雜源。
[0019]優(yōu)選地，該第一氧化層為第一導電類型摻雜硅玻璃，和/或，該第二導電類型摻雜源為第二導電類型摻雜娃玻璃。
[0020]優(yōu)選地，步驟S5之后包括:去除該第一氧化層和該第二導電類型摻雜源。
[0021]優(yōu)選地，步驟SI中的熱擴散工藝為背靠背擴散。
[0022]優(yōu)選地，步驟S2中通過APCVD(常壓化學氣相沉積)淀積該第二導電類型摻雜源。
[0023]本發(fā)明還提供一種摻雜方法，其特點在于，其包括以下步驟:
[0024]Tl:通過熱擴散工藝在第一導電類型襯底的正面中形成第一導電類型摻雜層，并且在擴散摻雜過程中在該第一導電類型摻雜層上形成第一氧化層；
[0025]T2:在第一導電類型襯底的背面上淀積形成第二導電類型摻雜源；
[0026]T3:圖形化蝕刻該第二導電類型摻雜源以暴露出預(yù)定區(qū)域的第一導電類型襯底；
[0027]SP:通過熱擴散工藝在該預(yù)定區(qū)域的表面中形成第一導電類型摻雜區(qū)域，同時使該第二導電類型摻雜源中的第二導電類型離子擴散至該第一導電類型襯底中形成第二導電類型摻雜區(qū)域。
[0028]在該技術(shù)方案中，將第二導電類型擴散源作為掩膜，用于形成局部的第一導電類型摻雜區(qū)域，而無需額外的掩膜工序，工藝之間的連貫性更強。
[0029]再者，由于該技術(shù)方案中襯底的兩個面中均需要形成摻雜，利用了形成第一導電類型摻雜層時在正面上形成的第一氧化層作為正面掩膜，來保護該第一導電類型摻雜層，免受步驟SP的擴散影響。
[0030]優(yōu)選地，步驟Tl之前包括步驟TO:在該第一導電類型襯底的正面和背面形成絨面。
[0031]優(yōu)選地，步驟Tl之后、步驟T2之前還包括:蝕刻該第一導電類型襯底的背面的邊緣并拋光該第一導電類型襯底的背面。
[0032]優(yōu)選地，步驟T3中通過激光或者蝕刻漿料來蝕刻預(yù)定區(qū)域的第二導電類型摻雜源。
[0033]優(yōu)選地，該第一氧化層為第一導電類型摻雜娃玻璃，和/或，該第二導電類型摻雜源為第二導電類型摻雜娃玻璃。
[0034]優(yōu)選地，步驟SP之后包括:去除該第一氧化層和該第二導電類型摻雜源。
[0035]優(yōu)選地，步驟Tl中的熱擴散工藝為背靠背擴散。
[0036]優(yōu)選地，步驟T2中通過APCVD淀積該第二導電類型摻雜源。
[0037]在符合本領(lǐng)域常識的基礎(chǔ)上，上述各優(yōu)選條件，可任意組合，即得本發(fā)明各較佳實例。
[0038]本發(fā)明的積極進步效果在于:
[0039]1、本發(fā)明利用了熱擴散工藝中的擴散源(例如BSG(硼硅玻璃)或者PSG(磷硅玻璃))作為掩膜，來實現(xiàn)后續(xù)離子注入的局部摻雜，由此，省去了額外的形成掩膜的工藝，由此各個步驟之間的連貫性更強。
[0040]2、將退火和擴散摻雜相結(jié)合，使得離子注入后的損傷修復(fù)與第二導電類型摻雜區(qū)域的形成在同一步驟中實現(xiàn)，利用了離子注入和熱擴散工藝的特點，將兩者有機結(jié)合，簡化了工藝步驟。
[0041]3、在本發(fā)明的一個技術(shù)方案中，利用擴散源作為掩膜，用于阻擋背面的第一導電類型雜質(zhì)，并且同時使擴散源中的第二導電類型雜質(zhì)進入襯底背面，即在一道工序中同時形成背面的P區(qū)和N區(qū)，簡化了制作工藝。
[0042]4、采用熱擴散工藝形成襯底正面的摻雜層和第一氧化層，并以第一氧化層作為背面擴散的保護掩膜，以免正面已經(jīng)形成的摻雜層受到背面擴散的影響，充分利用熱擴散工藝的特點，使得整體工藝的集成度更高。
【附圖說明】
[0043]圖1-7為本發(fā)明實施例1的工藝流程圖。
[004