一種業(yè)務(wù)恢復(fù)方法及裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明實(shí)施例涉及一種業(yè)務(wù)恢復(fù)方法及裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在現(xiàn)有的通信設(shè)備系統(tǒng)或計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，將大量系統(tǒng)運(yùn)行相關(guān)的配置數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在系統(tǒng)芯片外部的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(英文全稱為Dynamic Random Access Memory，英文縮寫為DRAM)中。這些配置數(shù)據(jù)對(duì)系統(tǒng)正常運(yùn)行起著至關(guān)重要的作用，如果配置數(shù)據(jù)丟失，系統(tǒng)業(yè)務(wù)將會(huì)出現(xiàn)中斷。
[0003]然而，當(dāng)遇到系統(tǒng)故障或者系統(tǒng)需要升級(jí)時(shí)，往往需要對(duì)設(shè)備進(jìn)行復(fù)位重啟，這時(shí)存儲(chǔ)在所述DRAM中的配置數(shù)據(jù)將會(huì)全部丟失。隨著通信設(shè)備帶寬和處理能力的增加，DRAM中存儲(chǔ)的配置數(shù)據(jù)量也越來(lái)越大。因此，如何快速恢復(fù)配置數(shù)據(jù)、減少業(yè)務(wù)中斷時(shí)間成為一個(gè)亟需解決的問(wèn)題。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)存在兩種方法在設(shè)備復(fù)位重啟時(shí)來(lái)恢復(fù)配置數(shù)據(jù)，一種是在設(shè)備復(fù)位重啟前將DRAM中的全部配置數(shù)據(jù)保存在硬盤中，設(shè)備復(fù)位后再?gòu)挠脖P恢復(fù)所述配置數(shù)據(jù)；一種是在設(shè)備復(fù)位重啟前不保存配置數(shù)據(jù)，而是在設(shè)備復(fù)位后由主控制器重新下發(fā)相關(guān)配置數(shù)據(jù)以進(jìn)行業(yè)務(wù)恢復(fù)。這兩種方法均存在配置數(shù)據(jù)恢復(fù)時(shí)間長(zhǎng)、業(yè)務(wù)中斷時(shí)間長(zhǎng)的缺陷，特別是當(dāng)DRAM中存儲(chǔ)的配置數(shù)據(jù)量較多時(shí)，配置數(shù)據(jù)恢復(fù)的時(shí)間需要幾十秒甚至幾分鐘的時(shí)間。因此，亟需一種在系統(tǒng)重啟時(shí)快速恢復(fù)業(yè)務(wù)的方法和裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)存在的配置數(shù)據(jù)恢復(fù)時(shí)間長(zhǎng)、業(yè)務(wù)中斷時(shí)間長(zhǎng)的問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種業(yè)務(wù)恢復(fù)方法和裝置，可以有效減少系統(tǒng)重啟時(shí)的配置數(shù)據(jù)恢復(fù)時(shí)間，有效提高系統(tǒng)業(yè)務(wù)恢復(fù)速度，減少業(yè)務(wù)中斷時(shí)間。
[0006]為此，本發(fā)明實(shí)施例提供如下技術(shù)方案:
[0007]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的第一方面，提供了一種業(yè)務(wù)恢復(fù)方法，所述方法包括:
[0008]當(dāng)接收到系統(tǒng)復(fù)位重啟請(qǐng)求時(shí)，保存芯片內(nèi)部狀態(tài)、芯片內(nèi)部配置數(shù)據(jù)以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM中的部分配置數(shù)據(jù)，所述DRAM中的部分配置數(shù)據(jù)為在所述DRAM初始化過(guò)程中需要使用的數(shù)據(jù)；
[0009]配置所述DRAM從第一狀態(tài)切換為第二狀態(tài)；其中，所述DRAM在所述第一狀態(tài)下由外部控制器向所述DRAM發(fā)送刷新命令以維持所述DRAM中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)狀態(tài)不變；所述DRAM在所述第二狀態(tài)下由所述DRAM自身控制所述DRAM執(zhí)行刷新操作以維持所述DRAM中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)狀態(tài)不變；
[0010]對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行復(fù)位重啟操作；
[0011 ] 配置所述DRAM從所述第二狀態(tài)切換為所述第一狀態(tài)；
[0012]利用保存的所述芯片內(nèi)部狀態(tài)、所述芯片內(nèi)部配置數(shù)據(jù)以及所述DRAM中的部分配置數(shù)據(jù)進(jìn)行業(yè)務(wù)恢復(fù)。
[0013]在第一方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述保存芯片內(nèi)部狀態(tài)、所述芯片內(nèi)部配置數(shù)據(jù)以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM中的部分配置數(shù)據(jù)包括:
[0014]保存芯片內(nèi)部狀態(tài)、所述芯片內(nèi)部配置數(shù)據(jù)以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM中的部分配置數(shù)據(jù)至所述DRAM、硬盤或者主機(jī)系統(tǒng)中的一個(gè)或多個(gè)上。
[0015]在第一方面的第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述DRAM在所述系統(tǒng)進(jìn)行復(fù)位重啟操作過(guò)程中處于所述第二狀態(tài)。
[0016]在第一方面的第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述外部控制器具體為DRAM控制器，所述配置所述DRAM從第一狀態(tài)切換為第二狀態(tài)包括:
[0017]判斷所述系統(tǒng)是否處于快速恢復(fù)模式；
[0018]如果是，則由所述DRAM控制器控制所述DRAM從所述第一狀態(tài)切換為所述第二狀
??τ O
[0019]在第一方面的第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述外部控制器具體為DRAM控制器，所述方法還包括:
[0020]確定所述DRAM控制器的當(dāng)前工作模式；所述DRAM控制器的工作模式包括第一工作模式和第二工作模式，其中，所述DRAM控制器在所述第一工作模式下向所述DRAM發(fā)送刷新命令以維持所述DRAM中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)狀態(tài)不變；所述DRAM控制器在所述第二工作模式下向所述DRAM發(fā)送復(fù)位命令以改變所述DRAM的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)狀態(tài)；
[0021 ] 所述配置所述DRAM從所述第二狀態(tài)切換為所述第一狀態(tài)包括:
[0022]當(dāng)確定所述DRAM控制器的當(dāng)前工作模式為所述第一工作模式時(shí)，由所述DRAM控制器控制所述DRAM從所述第二狀態(tài)切換為所述第一狀態(tài)，對(duì)所述DRAM進(jìn)行初始化操作，避免對(duì)所述DRAM中的數(shù)據(jù)進(jìn)行全空間自檢操作。
[0023]結(jié)合第一方面的第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第五種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述方法還包括:
[0024]當(dāng)確定所述DRAM控制器的當(dāng)前工作模式為所述第二工作模式時(shí)，對(duì)所述DRAM進(jìn)行初始化操作，對(duì)所述DRAM中的數(shù)據(jù)進(jìn)行全空間自檢操作。
[0025]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的第二方面，提供了一種業(yè)務(wù)恢復(fù)裝置，所述裝置包括:
[0026]保存單元，用于當(dāng)接收到系統(tǒng)復(fù)位重啟請(qǐng)求時(shí)，保存芯片內(nèi)部狀態(tài)、芯片內(nèi)部配置數(shù)據(jù)以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM中的部分配置數(shù)據(jù)，所述DRAM中的部分配置數(shù)據(jù)為在所述DRAM初始化過(guò)程中需要使用的數(shù)據(jù)；
[0027]第一配置單元，用于配置所述DRAM從第一狀態(tài)切換為第二狀態(tài)；其中，所述DRAM在所述第一狀態(tài)下由外部控制器向所述DRAM發(fā)送刷新命令以維持所述DRAM中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)狀態(tài)不變；所述DRAM在所述第二狀態(tài)下由所述DRAM自身控制所述DRAM執(zhí)行刷新操作以維持所述DRAM中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)狀態(tài)不變；
[0028]復(fù)位重啟單元，用于對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行復(fù)位重啟操作；
[0029]第二配置單元，用于配置所述DRAM從所述第二狀態(tài)切換為所述第一狀態(tài)；
[0030]恢復(fù)單元，用于利用所述保存單元保存的所述芯片內(nèi)部狀態(tài)、芯片內(nèi)部配置數(shù)據(jù)以及所述DRAM中的部分配置數(shù)據(jù)進(jìn)行業(yè)務(wù)恢復(fù)。
[0031]在第二方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述保存單元具體用于:
[0032]保存芯片內(nèi)部狀態(tài)、芯片內(nèi)部配置數(shù)據(jù)以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM中的部分配置數(shù)據(jù)至所述DRAM、硬盤和主機(jī)系統(tǒng)中的一個(gè)或多個(gè)上。
[0033]在第二方面的第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述DRAM在所述系統(tǒng)進(jìn)行復(fù)位重啟操作過(guò)程中處于所述第二狀態(tài)。
[0034]在第二方面的第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述外部控制器具體為DRAM控制器，所述第一配置單元包括:
[0035]判斷單元，用于判斷所述系統(tǒng)是否處于快速恢復(fù)模式；
[0036]切換單元，用于當(dāng)所述判斷單元的判斷結(jié)果為是時(shí)，由所述DRAM控制器控制所述DRAM從所述第一狀態(tài)切換為所述第二狀態(tài)。
[0037]在第二方面的第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述外部控制器具體為DRAM控制器，所述裝置還包括:
[0038]確定單元，用于確定所述DRAM控制器的當(dāng)前工作模式；所述DRAM控制器的工作模式包括第一工作模式和第二工作模式，其中，所述DRAM控制器在所述第一工作模式下向所述DRAM發(fā)送刷新命令以維持所述DRAM中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)狀態(tài)不變；所述DRAM控制器在所述第二工作模式下向所述DRAM發(fā)送復(fù)位命令以改變所述DRAM的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)狀態(tài)；
[0039]所述第二配置單元具體用于:
[0040]當(dāng)所述確定單元確定所述DRAM控制器的當(dāng)前工作模式為所述第一工作模式時(shí)，由所述DRAM控制器控制所述DRAM從所述第二狀態(tài)切換為所述第一狀態(tài)，對(duì)所述DRAM進(jìn)行初始化操作，避免對(duì)所述DRAM中的數(shù)據(jù)進(jìn)行全空間自檢操作。
[0041]結(jié)合第二方面的第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第二方面的第五種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述裝置還包括:
[0042]初始自檢單元，用于當(dāng)所述確定單元確定所述DRAM控制器的當(dāng)前工作模式為所述第二工作模式時(shí)，對(duì)所述DRAM進(jìn)行初始化操作，對(duì)所述DRAM中的數(shù)據(jù)進(jìn)行全空間自檢操作。
[0043]本發(fā)明實(shí)施例提供的業(yè)務(wù)恢復(fù)方法及裝置，在系統(tǒng)復(fù)位重啟前，保存芯片內(nèi)部狀態(tài)、芯片內(nèi)部配置數(shù)據(jù)以及少量DRAM配置數(shù)據(jù)，并配置所述DRAM從第一狀態(tài)切換為第二狀態(tài)，其中，所述DRAM在所述第二狀態(tài)下處于自刷新狀態(tài)可以維持自身保存的數(shù)據(jù)不丟失；當(dāng)系統(tǒng)復(fù)位重啟后，只需利