安全殼水膜覆蓋率的測量方法及裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種安全殼水膜覆蓋率的測量方法及裝置，其中，該方法包括：將點陣式雙頭電容探針的金屬探頭介入安全殼水膜獲得m個電容值C，其中，m為正整數(shù)；將m個電容值C轉(zhuǎn)換為m個電壓信號，并通過閾值法對m個電壓信號處理輸出高電平1和低電平0；根據(jù)高電平1的個數(shù)占高電平1和低電平0的全部個數(shù)的百分比判斷安全殼水膜覆蓋率。該方法操作簡單，抗干擾性強，不受水的導電率及溫度的影響，進而獲取到精度高、誤差小的測量結果。
【專利說明】
安全殼水膜覆蓋率的測量方法及裝置
技術領域
[0001] 本發(fā)明涉及反應堆安全技術領域，尤其涉及一種安全殼水膜覆蓋率的測量方法及 裝置。
【背景技術】
[0002] 大型先進壓水堆是我國反應堆技術發(fā)展的重要堆型，非能動安全殼冷卻系統(tǒng) (PCCS)的應用是先進壓水堆設計的主要特點之一，該系統(tǒng)在事故工況下防止安全殼壓力超 過安全限值，安全殼的壓力高或溫度高信號自動觸發(fā)安全殼上方水箱的隔離閥動作，水箱 內(nèi)的常溫冷卻水經(jīng)流量分配器分配后向鋼制安全殼噴灑。冷卻水依靠重力沿安全殼表面自 上而下流動時形成水膜即液體薄膜流。
[0003] 液體薄膜流作為一項高效的傳熱傳質(zhì)技術被廣泛應用，其優(yōu)點為流量小、溫差小、 具有高傳熱傳質(zhì)系數(shù)和熱流密度，特別是用來解決技術領域中遇到的高熱流密度下的換熱 強化問題。非能動安全殼冷卻系統(tǒng)的水膜流動就是基于此原理，是安全殼的一項非常重要 的冷卻措施，可在事故工況下較長時間內(nèi)繼續(xù)降低安全殼的壓力和溫度。能否及時有效的 冷卻安全殼直接影響到安全殼的完整性和對放射性物質(zhì)的包容，也將影響堆芯冷卻系統(tǒng)等 安全相關系統(tǒng)的正常功能，最終影響整個核電廠的安全。
[0004] 隨著水箱水量慢慢減少，噴灑的水的流量會逐漸降低。水膜從安全殼穹頂向下流 動，由于安全殼溫度較高，水膜在流動過程中達到飽和并且蒸發(fā)，流向安全殼圓柱體的冷卻 水膜會越來越少，甚至干涸。水膜不能完全覆蓋安全殼表面。只有對水膜在安全殼上流動中 的物理現(xiàn)象及其對實際工程應用產(chǎn)生的影響有深刻的認識和掌握，才能為設計大型先進壓 水堆相關非能動安全殼冷卻系統(tǒng)提供基礎理論和技術支撐。
[0005] 冷卻水在安全殼表面流動過程的各種物理特性研究中，需要測量的物理量主要包 括水膜厚度，水膜的覆蓋率以及水膜的局部流量等等。在國內(nèi)外研究中，目前對安全殼水膜 覆蓋率測量，還沒有一個行之有效的方法，也沒有這方面的專利申請。美國西屋公司在研發(fā) AP600型反應堆的過程中進行了水膜試驗，通過施加不同速度的水流到試驗板上并采用不 同的分配裝置，驗證了涂層Carbo Zinc 11良好的濕潤性以及圍堰裝置分配水膜的有效性。 但試驗對形成的水膜也僅限于觀察，沒有測量水膜厚度以及覆蓋率。
[0006] 相關技術的研究中，例如，對大尺度實驗體表面水膜覆蓋率進行了測量。采用工業(yè) CCD相機采集試驗體表面的圖像信息，傳輸給計算機后采用邊緣檢測算子，計算得到試驗體 表面的液膜覆蓋率。但該方法對邊緣檢測算法的精度要求過高，測量不具有精確性和實時 性等特點。再例如，獲得水膜覆蓋區(qū)和非覆蓋區(qū)界限比較明顯的熱圖后，通過計算機計算水 膜覆蓋區(qū)和非覆蓋區(qū)的灰度數(shù)得到水膜覆蓋率。該方法具有明顯的缺點，如誤差率大、對紅 外熱圖的拍攝要求苛刻、水膜數(shù)據(jù)采集不同步等。還有的采用十字激光定位儀測量水膜覆 蓋率，在某一個實驗工況下，取6個不同高度水膜覆蓋率平均值計算，顯然測量方法同樣明 顯的不具有精確性和實時性等特點。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0007] 本發(fā)明的目的旨在至少在一定程度上解決上述的技術問題之一。
[0008] 為此，本發(fā)明的第一個目的在于提出一種安全殼水膜覆蓋率的測量方法。該方法 操作簡單，抗干擾性強，不受水的導電率及溫度的影響，進而獲取到精度高、誤差小的測量 結果。
[0009] 本發(fā)明的第二個目的在于提出了一種安全殼水膜覆蓋率的測量裝置。
[0010]為達上述目的，本發(fā)明第一方面實施例的安全殼水膜覆蓋率的測量方法，包括:將 點陣式雙頭電容探針的金屬探頭介入安全殼水膜獲得m個電容值C，其中，m為正整數(shù);將所 述m個電容值C轉(zhuǎn)換為m個電壓信號，并通過閾值法對m個電壓信號所述處理輸出高電平1和 低電平〇;根據(jù)所述高電平1的個數(shù)占所述高電平1和低電平〇的全部個數(shù)的百分比判斷安全 殼水膜覆蓋率。
[0011] 本發(fā)明實施例的安全殼水膜覆蓋率的測量方法，首先將點陣式雙頭電容探針的金 屬探頭介入安全殼水膜獲得m個電容值C，接著將m個電容值C轉(zhuǎn)換為m個電壓信號，并通過閾 值法對m個電壓信號處理輸出高電平1和低電平0,最后根據(jù)高電平1的個數(shù)占高電平1和低 電平0的全部個數(shù)的百分比判斷安全殼水膜覆蓋率。該方法操作簡單，抗干擾性強，不受水 的導電率及溫度的影響，進而獲取到精度高、誤差小的測量結果。
[0012] 在一些示例中，所述電容值C與實際待測電容C測通過
得到，其中， Cii為測量電路的固定電容，C為儀表測量電容值結果，R為測量電路的固定電阻，ω為電容的 采樣頻率。
[0013] 在一些示例中，所述高電平1表示所述安全殼有水膜覆蓋;所述低電平0表示所述 安全殼沒有水膜覆蓋。
[0014] 在一些示例中，所述將所述m個電容值C轉(zhuǎn)換為m個電壓信號，并通過閾值法處理輸 出高電平1和低電平〇具體包括:將所述m個電壓信號分別與預設的電壓閾值進行比較，將高 于所述預設的電壓閾值的電壓信號設置為1，低于所述預設的電壓閾值的電壓信號設置為 0〇
[0015] 為達上述目的，本發(fā)明第二方面實施例的安全殼水膜覆蓋率的測量裝置，包括:獲 取模塊，用于將點陣式雙頭電容探針的金屬探頭介入安全殼水膜獲得m個電容值C，其中，m 為正整數(shù);處理模塊，用于將所述m個電容值C轉(zhuǎn)換為m個電壓信號，并通過閾值法處理輸出 高電平1和低電平0;判斷模塊，用于根據(jù)所述高電平1的個數(shù)占所述高電平1和低電平0的全 部個數(shù)的百分比判斷安全殼水膜覆蓋率。
[0016] 本發(fā)明實施例的安全殼水膜覆蓋率的測量裝置，首先獲取模塊將點陣式雙頭電容 探針的金屬探頭介入安全殼水膜獲得m個電容值C，接著處理模塊將m個電容值C轉(zhuǎn)換為m個 電壓信號，并通過閾值法對m個電壓信號處理輸出高電平1和低電平0,最后判斷模塊根據(jù)高 電平1的個數(shù)占高電平1和低電平〇的全部個數(shù)的百分比判斷安全殼水膜覆蓋率。該裝置操 作簡單，抗干擾性強，不受水的導電率及溫度的影響，進而獲取到精度高、誤差小的測量結 果。
[0017] 在一些示例中，所述電容值C與實際待測電容Cii通過
Cii為測量電路的固定電容，C為儀表測量電容值結果，R為測量電路的固定電阻，ω為電容的 采樣頻率。
[0018] 在一些示例中，所述高電平1表示所述安全殼有水膜覆蓋;所述低電平0表示所述 安全殼沒有水膜覆蓋。
[0019] 在一些示例中，所述處理模塊具體用于:將所述m個電壓信號分別與預設的電壓閾 值進行比較，將高于所述預設的電壓閾值的電壓信號設置為1，低于所述預設的電壓閾值的 電壓信號設置為0。
[0020] 在一些示例中，高于所述預設的電壓閾值的電壓信號對應的水膜覆蓋為導電相； 低于所述預設的電壓閾值的電壓信號對應的區(qū)域為不導電相。
[0021] 本發(fā)明附加的方面和優(yōu)點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變 得明顯，或通過本發(fā)明的實踐了解到。
【附圖說明】
[0022] 本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點從結合下面附圖對實施例的描述中將變得 明顯和容易理解，其中：
[0023] 圖1是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的安全殼水膜覆蓋率的測量方法的流程圖；
[0024] 圖2是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的點陣式雙頭電容探針系統(tǒng)的結構示意圖；
[0025] 圖3是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的單個電容測量電路的結構示意圖；
[0026] 圖4是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的電壓信號示意圖；
[0027] 圖5是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的閾值法處理的電壓信號示意圖；
[0028] 圖6根據(jù)本發(fā)明一個實施例的點陣式電容探針的結構示意圖；
[0029]圖7根據(jù)本發(fā)明一個實施例的點陣式電容探針的剖面圖；
[0030] 圖8是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的安全殼水膜覆蓋率的測量裝置的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0031] 下面詳細描述本發(fā)明的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終 相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附 圖描述的實施例是示例性的，旨在用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對本發(fā)明的限制。
[0032] 圖1是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的安全殼水膜覆蓋率的測量方法的流程圖。
[0033] 如圖1所示，該安全殼水膜覆蓋率的測量方法可以包括：
[0034] S101，將點陣式雙頭電容探針的金屬探頭介入安全殼水膜獲得m個電容值C，其中， m為正整數(shù)。
[0035] 具體地，當金屬探針介入水膜時，電路導通，電容電壓測量裝置就會測得一個電容 值。
[0036] 需要說明的是，金屬探頭為兩根長度一致的金屬探針作為測量電路的兩極，與電 阻電容串聯(lián)后作為輸入端接入電容電壓轉(zhuǎn)換電路。
[0037] 為了本領域人員更加了解獲得電容值的具體過程，下面結合圖2具體說明。如圖2 所示的點陣式雙頭電容探針系統(tǒng)，其中，點陣式電容探針系統(tǒng)的每一"點"都為一個電容測 量電路，由兩根金屬探針和外接電路組成。每一 "點"代表一定面積的測量區(qū)域，這些"點"均 勻布置在一塊平板上面。當探針腳介入安全殼水膜時，單個電容測量電路將測量值轉(zhuǎn)化為 電壓信號，輸出高電平或低電平，分別對應有水膜覆蓋和沒有水膜覆蓋。通過計算高電平的 個數(shù)占總"點"的百分比可以測量出安全殼的水膜覆蓋率。
[0038] 其中，點與點之間的電容探針測量電路，各自形成獨立的回路，每個回路都有電容 電壓轉(zhuǎn)換電路，采集器將每個電容電壓轉(zhuǎn)換電路輸出信號送入計算機。設置點陣式雙頭電 容探針的平板，其大小可由實際目標測量區(qū)域確定，其形狀可任意，只須保證點分布均勻即 可。
[0039] 更具體地，單個電容測量電路如圖3所示，結合圖3詳細說明，將兩根
[0040] 長度一致的金屬探針作為測量電路的兩極，與電阻電容串聯(lián)后作為輸入端接入電 容電壓轉(zhuǎn)換電路。當金屬探針介入水膜時，電路導通，電容電壓測量裝置就會測得一個電容 值，并將之轉(zhuǎn)換為電壓信號輸入計算機。電容電壓測量裝置測得的電容值Cm與實際待測電 容C之間并不完全一致。
[0041] 在一些示例中，電容值C與實際待測電容Qi通過
得到，其中，C測為 測量電路的固定電容，C為儀表測量電容值結果，R為測量電路的固定電阻，ω為電容的采樣 頻率。
[0042]需要說明的是，在一塊平板上布置點陣式電容探針。每個點都是一個電容電壓測 量電路。每個點的兩根金屬探針直徑為1mm，長度為10mm，頭部相距為0.5mm。金屬探針表面 敷設一層絕緣材料，只在探針針尖是裸露的金屬導體部分，所有點的探針長度一致。為了防 止金屬探針介入水膜時觸碰到鋼制安全殼表面影響測量結果，在平板四周布置4個支柱?？?慮到流過安全殼水膜特別薄，支柱的長度為11mm。
[0043] 另外，在安全殼表面可以根據(jù)需要，布置多個點陣式電容探針的平板，能夠測量安 全殼表面任意區(qū)域的水膜覆蓋率。
[0044] S102,將m個電容值C轉(zhuǎn)換為m個電壓信號，并通過閾值法對m個電壓信號處理輸出 高電平1和低電平0。
[0045]具體地，用閾值法進行信號處理。理想情況下，單個電容電壓轉(zhuǎn)換電路只輸出高電 平或者低電平信號，分別對應數(shù)字信號"〇"和"1"，但實際測量電路中，由于水的電導率的影 響，測量結果是一個從0到Cm的不規(guī)則連續(xù)輸出曲線，轉(zhuǎn)化成電壓信號之后，介于0到Um之 間。如圖4所示。
[0046]其中，采用閾值法進行信號處理，將輸出的電壓信號，與預先設置的閾值Ut進行比 較，高于閾值的信號輸出為"Γ，低于閾值的信號輸出為"〇"，對應圖4的輸出結果，如圖5所 示。輸出高電平的地方代表有水膜覆蓋，輸出低電平的地方代表沒有水膜覆蓋。
[0047] S103,根據(jù)高電平1的個數(shù)占高電平1和低電平0的全部個數(shù)的百分比判斷安全殼 水膜覆蓋率。
[0048]需要說明的是，將電容測量電路測得的電壓值與設定的電壓閾值進行比較，將高 于閾值電壓的信號區(qū)域?qū)じ采w的導電相，低于閾值電壓的信號區(qū)域?qū)獩]有水膜覆 蓋的不導電相，以將不規(guī)則的，隨時間變化實際輸出信號，修正為由高低電平組成的信號， 分別對應導電相和非導電相，只須計算高電平占整個測量總"點"數(shù)的百分比，就能測出水 膜覆蓋率。
[0049] 本發(fā)明實施例的安全殼水膜覆蓋率的測量方法，首先將點陣式雙頭電容探針的金 屬探頭介入安全殼水膜獲得m個電容值C，接著將m個電容值C轉(zhuǎn)換為m個電壓信號，并通過閾 值法對m個電壓信號處理輸出高電平1和低電平0,最后根據(jù)高電平1的個數(shù)占高電平1和低 電平0的全部個數(shù)的百分比判斷安全殼水膜覆蓋率。該方法操作簡單，抗干擾性強，不受水 的導電率及溫度的影響，進而獲取到精度高、誤差小的測量結果。
[0050] 圖6是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的點陣式電容探針的結構示意圖。
[0051]如圖6所示，在一塊正方形平板上布置5*5的電容探針陣列，陣列上的每個空心圓 點代表單個電容電壓測量電路的兩根探針觸角。平板四個角4個實心圓點代表4個支柱，支 柱比探針略長，可防止探針介入水膜時，破壞安全殼表面。每個點的兩根金屬探針直徑為 1mm，長度為10mm，頭部相距為0.5mm。金屬探針表面敷設一層絕緣材料，只在探針針尖是裸 露的金屬導體部分。陣列所有點的探針長度一致。支柱的長度為11mm。
[0052] 其中，平板上相鄰兩點之間距離△ D= 10mm，單個雙頭電容探針所代表的測量區(qū)域 為圖5中的陰影部分的面積，其尺寸為10Χ10Π 1ΠΛ25個點將平板平均分成面積大小相同的 區(qū)域。
[0053] 另外，將兩個探針腳與一個定值電阻R和一個定值電容C串聯(lián)接入電容電壓轉(zhuǎn)換電 路。兩個探針腳作為電路兩級，當探針介入安全殼水膜，兩探針腳被空氣包裹，電路斷開，電 容電壓測量電路輸出為〇;若兩個探針腳被水膜包裹，電路導通。
[0054] 可以理解的是，每一點的電容探針都與一個電容電壓轉(zhuǎn)換測量電路相連，如圖7所 示。電容電壓轉(zhuǎn)換測量電路采用CAV444芯片，同時運用25塊CAV444芯片的多路集成電路，可 以同時進行25路C/V信號轉(zhuǎn)換，便于同時高效工作。CAV444芯片實現(xiàn)C/V信號轉(zhuǎn)換，測量電容 C作為內(nèi)置的測量振蕩器的電容器，通過對它充放電產(chǎn)生振蕩周期，該振蕩周期與測量電容 大小成線性關系。通過頻率/電壓轉(zhuǎn)換電路和低通濾波器最后輸出一個直流電壓信號。 [0055]其中，芯片CAV444輸出的電壓信號經(jīng)過信號采集卡并輸入到計算機記錄，便于進 行數(shù)據(jù)后處理。采集卡采用NI公司的USB-6218數(shù)據(jù)采集器。利用MATLAB軟件可以對采樣信 號進行閾值法處理，得到一組方波信號圖。通過計算高電平的個數(shù)占25的百分比可以得到 測量目標區(qū)域的水膜覆蓋率。
[0056] 需要說明的是，可以根據(jù)需要，用多個布置點陣式電容探針的平板介入安全殼水 膜，測量目標區(qū)域水膜覆蓋率。
[0057] 本發(fā)明實施例的安全殼水膜覆蓋率的測量方法，首先將點陣式雙頭電容探針的金 屬探頭介入安全殼水膜獲得m個電容值C，接著將m個電容值C轉(zhuǎn)換為m個電壓信號，并通過閾 值法對m個電壓信號處理輸出高電平1和低電平0,最后根據(jù)高電平1的個數(shù)占高電平1和低 電平0的全部個數(shù)的百分比判斷安全殼水膜覆蓋率。該方法操作簡單，抗干擾性強，不受水 的導電率及溫度的影響，進而獲取到精度高、誤差小的測量結果。
[0058] 與上述實施例提供的安全殼水膜覆蓋率的測量方法相對應，本發(fā)明的一種實施例 還提供一種安全殼水膜覆蓋率的測量裝置，由于本發(fā)明實施例提供的安全殼水膜覆蓋率的 測量裝置與上述實施例提供的安全殼水膜覆蓋率的測量方法具有相同或相似的技術特征， 因此在前述安全殼水膜覆蓋率的測量方法的實施方式也適用于本實施例提供的安全殼水 膜覆蓋率的測量裝置，在本實施例中不再詳細描述。如圖7所示，該安全殼水膜覆蓋率的測 量裝置可包括:獲取模塊10、處理模塊20和判斷模塊30。
[0059] 其中，獲取模塊10用于將點陣式雙頭電容探針的金屬探頭介入安全殼水膜獲得m 個電容值C，其中，m為正整數(shù)。
[0060] 具體地，當金屬探針介入水膜時，電路導通，電容電壓測量裝置就會測得一個電容 值。
[0061 ]處理模塊20用于將m個電容值C轉(zhuǎn)換為m個電壓信號，并通過閾值法處理輸出高電 平1和低電平0。
[0062] 具體地，采用閾值法進行信號處理，將輸出的電壓信號，與預先設置的閾值Ut進行 比較，高于閾值的信號輸出為T，低于閾值的信號輸出為"0"。
[0063] 判斷模塊30用于根據(jù)高電平1的個數(shù)占高電平1和低電平0的全部個數(shù)的百分比判 斷安全殼水膜覆蓋率。
[0064] 具體地，通過計算高電平的個數(shù)占總"點"的百分比可以測量出安全殼的水膜覆蓋 率。
[0065] 在一些示例中，電容值C與實際待測電容C測通過
得到，其中，C測為 測量電路的固定電容，C為儀表測量電容值結果，R為測量電路的固定電阻，ω為電容的采樣 頻率。
[0066] 在一些示例中，高電平1表示安全殼有水膜覆蓋;低電平0表示安全殼沒有水膜覆 蓋。
[0067]在一些示例中，處理模塊20具體用于:將m個電壓信號分別與預設的電壓閾值進行 比較，將高于預設的電壓閾值的電壓信號設置為1，低于預設的電壓閾值的電壓信號設置為 0〇
[0068] 在一些示例中，高于預設的電壓閾值的電壓信號對應的水膜覆蓋為導電相;低于 預設的電壓閾值的電壓信號對應的區(qū)域為不導電相。
[0069] 本發(fā)明實施例的安全殼水膜覆蓋率的測量裝置，首先獲取模塊將點陣式雙頭電容 探針的金屬探頭介入安全殼水膜獲得m個電容值C，接著處理模塊將m個電容值C轉(zhuǎn)換為m個 電壓信號，并通過閾值法對m個電壓信號處理輸出高電平1和低電平0,最后判斷模塊根據(jù)高 電平1的個數(shù)占高電平1和低電平〇的全部個數(shù)的百分比判斷安全殼水膜覆蓋率。該裝置操 作簡單，抗干擾性強，不受水的導電率及溫度的影響，進而獲取到精度高、誤差小的測量結 果。
[0070] 在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術語"第一"、"第二"僅用于描述目的，而不能 理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特征的數(shù)量。由此，限定有"第 一"、"第二"的特征可以明示或者隱含地包括至少一個該特征。在本發(fā)明的描述中，"多個" 的含義是至少兩個，例如兩個，三個等，除非另有明確具體的限定。
[0071] 在本說明書的描述中，參考術語"一個實施例"、"一些實施例"、"示例"、"具體示 例"、或"一些示例"等的描述意指結合該實施例或示例描述的具體特征、結構、材料或者特 點包含于本發(fā)明的至少一個實施例或示例中。在本說明書中，對上述術語的示意性表述不 必須針對的是相同的實施例或示例。而且，描述的具體特征、結構、材料或者特點可以在任 一個或多個實施例或示例中以合適的方式結合。此外，在不相互矛盾的情況下，本領域的技 術人員可以將本說明書中描述的不同實施例或示例以及不同實施例或示例的特征進行結 合和組合。
[0072]流程圖中或在此以其他方式描述的任何過程或方法描述可以被理解為，表示包括 一個或更多個用于實現(xiàn)特定邏輯功能或過程的步驟的可執(zhí)行指令的代碼的模塊、片段或部 分，并且本發(fā)明的優(yōu)選實施方式的范圍包括另外的實現(xiàn)，其中可以不按所示出或討論的順 序，包括根據(jù)所涉及的功能按基本同時的方式或按相反的順序，來執(zhí)行功能，這應被本發(fā)明 的實施例所屬技術領域的技術人員所理解。
[0073] 盡管上面已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實施例，可以理解的是，上述實施例是示例 性的，不能理解為對本發(fā)明的限制，本領域的普通技術人員在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以對上述 實施例進行變化、修改、替換和變型。
【主權項】
1. 一種安全殼水膜覆蓋率的測量方法，其特征在于，包括以下步驟： 將點陣式雙頭電容探針的金屬探頭介入安全殼水膜獲得m個電容值C，其中，m為正整 數(shù)； 將所述m個電容值C轉(zhuǎn)換為m個電壓信號，并通過閾值法對m個電壓信號所述處理輸出高 電平1和低電平0; 根據(jù)所述高電平1的個數(shù)占所述高電平1和低電平〇的全部個數(shù)的百分比判斷安全殼水 膜覆蓋率。2. 如權利要求1所述的測量方法，其特征在于，所述電容值C與實際待測電容C測通過辱到，其中，Gi為測量電路的固定電容，C為儀表測量電容值結果，R為測量 電路的固定電阻，ω為電容的采樣頻率。3. 如權利要求1所述的測量方法，其特征在于，所述高電平1表示所述安全殼有水膜覆 蓋;所述低電平〇表示所述安全殼沒有水膜覆蓋。4. 如權利要求1所述的測量方法，其特征在于，所述將所述m個電容值C轉(zhuǎn)換為m個電壓 信號，并通過閾值法處理輸出高電平1和低電平0具體包括： 將所述m個電壓信號分別與預設的電壓閾值進行比較，將高于所述預設的電壓閾值的 電壓信號設置為1，低于所述預設的電壓閾值的電壓信號設置為0。5. 如權利要求4所述的測量方法，其特征在于，高于所述預設的電壓閾值的電壓信號對 應的水膜覆蓋為導電相;低于所述預設的電壓閾值的電壓信號對應的區(qū)域為不導電相。6. -種安全殼水膜覆蓋率的測量裝置，其特征在于，包括： 獲取模塊，用于將點陣式雙頭電容探針的金屬探頭介入安全殼水膜獲得m個電容值C， 其中，m為正整數(shù)； 處理模塊，用于將所述m個電容值C轉(zhuǎn)換為m個電壓信號，并通過閾值法處理輸出高電平 1和低電平〇; 判斷模塊，用于根據(jù)所述高電平1的個數(shù)占所述高電平1和低電平〇的全部個數(shù)的百分 比判斷安全殼水膜覆蓋率。7. 如權利要求6所述的測量裝置，其特征在于，所述電容值C與實際待測電容C測通過得到，其中，Gi為測量電路的固定電容，C為儀表測量電容值結果，R為測量 電路的固定電阻，ω為電容的采樣頻率。8. 如權利要求6所述的測量裝置，其特征在于，所述高電平1表示所述安全殼有水膜覆 蓋;所述低電平〇表示所述安全殼沒有水膜覆蓋。9. 如權利要求6所述的測量裝置，其特征在于，所述處理模塊具體用于： 將所述m個電壓信號分別與預設的電壓閾值進行比較，將高于所述預設的電壓閾值的 電壓信號設置為1，低于所述預設的電壓閾值的電壓信號設置為0。10. 如權利要求9所述的測量裝置，其特征在于，高于所述預設的電壓閾值的電壓信號 對應的水膜覆蓋為導電相;低于所述預設的電壓閾值的電壓信號對應的區(qū)域為不導電相。
【文檔編號】G21C17/022GK105869688SQ201610282205
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年4月29日
【發(fā)明人】黃善仿, 雷興林, 郭嘯宇
【申請人】清華大學