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雙層點陣式加熱層壓機(jī)的制作方法

文檔序號:9718996閱讀:899來源:國知局
雙層點陣式加熱層壓機(jī)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本發(fā)明涉及一種雙層點陣式加熱層壓機(jī)。
【背景技術(shù)】
[0002]目前,光伏組件用油加熱、油電混合加熱層壓機(jī)升溫、傳熱速度普遍較慢,而目前傳統(tǒng)的電加熱層壓機(jī),雖然升溫速度快,但機(jī)臺內(nèi)腔四周及組件四角散熱程度大于中心區(qū)域,整體溫度差異較大。組件進(jìn)入腔體后,存在回溫時間長、不同位置交聯(lián)率差異大等問題,為了解決這些問題,需要選擇不同的熱源,細(xì)分上下腔室的每個加熱區(qū)域來代替?zhèn)鹘y(tǒng)的加熱方式。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷,提供一種雙層點陣式加熱層壓機(jī),它能夠保證組件封裝過程中組件上下表面溫度以及交聯(lián)率的均勻性,同時提升組件層壓產(chǎn)能。
[0004]為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明的技術(shù)方案是:一種雙層點陣式加熱層壓機(jī),它包括:
[0005]上層加熱構(gòu)件,所述上層加熱構(gòu)件具有至少一個上層模塊單元,所述上層模塊單元具有多個紅外光輻射熱源;
[0006]下層加熱構(gòu)件,所述下層加熱構(gòu)件具有至少一個下層模塊單元,所述下層模塊單元具有多個點陣式電加熱模塊,所述下層加熱構(gòu)件和上層加熱構(gòu)件之間形成組件壓腔。
[0007]進(jìn)一步為了在層壓時更好地使組件上表面溫度均勻,所述上層模塊單元設(shè)置有多個,并且多個上層模塊單元呈陣列狀排列結(jié)構(gòu)。
[0008]進(jìn)一步為了在層壓時更好地使組件下表面溫度均勻,所述下層模塊單元設(shè)置有多個,并且多個下層模塊單元呈陣列狀排列結(jié)構(gòu)。
[0009]進(jìn)一步提供了一種具體的上層加熱構(gòu)件的結(jié)構(gòu),所述上層加熱構(gòu)件還包括上蓋、熱源防護(hù)網(wǎng)和傳熱膠板,所述上蓋、上層模塊單元、熱源防護(hù)網(wǎng)和傳熱膠板由上而下依次設(shè)置。
[0010]進(jìn)一步為了能夠?qū)ι蠈幽K單元的溫度進(jìn)行調(diào)節(jié),每個上層模塊單元對應(yīng)配有一上層溫控調(diào)節(jié)裝置。
[0011]進(jìn)一步為了能夠?qū)ο聦幽K單元的溫度進(jìn)行調(diào)節(jié),每個下層模塊單元對應(yīng)配有一下層溫控調(diào)節(jié)裝置。
[0012]采用了上述技術(shù)方案后,層壓機(jī)的上層采用紅外光輻射熱源進(jìn)行輻射傳熱,層壓機(jī)的下腔室采用點陣式電加熱模塊進(jìn)行穿到加熱,當(dāng)組件進(jìn)入腔體后,EVA能均勻快速交聯(lián),減少了因玻璃翹曲及背板面受熱傳導(dǎo)慢而導(dǎo)致的熱傳導(dǎo)速率不均勻帶來的交聯(lián)率差異的問題,從而提升了層壓產(chǎn)能20?30%,減少了人力,降低了 EVA膠聯(lián)的不均勻性,增加了組件長期可靠性以及客戶滿意度,而且層壓機(jī)內(nèi)放置的組件四周、四個角均能快速加熱,本層壓機(jī)無污染,無噪音,免維護(hù),使用壽命在20年以上。
【附圖說明】
[0013]圖1為本發(fā)明的上層加熱構(gòu)件的爆炸圖;
[0014]圖2為本發(fā)明的下層模塊單元的連接原理圖;
[0015]圖3為本發(fā)明的上層加熱構(gòu)件的布置結(jié)構(gòu)示意圖;
[0016]圖4為本發(fā)明的下層加熱構(gòu)件的布置結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0017]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚地理解,下面根據(jù)具體實施例并結(jié)合附圖,對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0018]如圖1?4所不,一種雙層點陣式加熱層壓機(jī),它包括:
[0019]上層加熱構(gòu)件,所述上層加熱構(gòu)件具有至少一個上層模塊單元1,所述上層模塊單元1具有多個紅外光輻射熱源;紅外光輻射熱源可以獨立或者聯(lián)動模式工作;
[0020]下層加熱構(gòu)件,所述下層加熱構(gòu)件具有至少一個下層模塊單元,所述下層模塊單元具有多個點陣式電加熱模塊2,所述下層加熱構(gòu)件和上層加熱構(gòu)件之間形成組件壓腔。
[0021]紅外光輻射加熱可以保證層壓件的上表面的溫度均勻,熱源通過膠板傳遞到組件的上表面,使得組件的上表面溫度更均勻,同時彌補EVA熔融所需的熱量;
[0022]如圖3所示,所述上層模塊單元1設(shè)置有多個,并且多個上層模塊單元1呈陣列狀排列結(jié)構(gòu)。
[0023]如圖4所示,所述下層模塊單元設(shè)置有多個,并且多個下層模塊單元呈陣列狀排列結(jié)構(gòu)。
[0024]如圖1所示,所述上層加熱構(gòu)件還包括上蓋2、熱源防護(hù)網(wǎng)3和傳熱膠板4,所述上蓋
2、上層模塊單元1、熱源防護(hù)網(wǎng)3和傳熱膠板4由上而下依次設(shè)置。
[0025]每個上層模塊單元1對應(yīng)配有一上層溫控調(diào)節(jié)裝置。
[0026]每個下層模塊單元對應(yīng)配有一下層溫控調(diào)節(jié)裝置,下層溫控調(diào)節(jié)裝置可以補償各下層模塊單元之間的溫差,有效保證腔體的溫度均衡性。
[0027]本發(fā)明的工作原理如下:
[0028]層壓機(jī)的上層采用紅外光輻射熱源進(jìn)行輻射傳熱,層壓機(jī)的下腔室采用點陣式電加熱模塊2進(jìn)行穿到加熱,當(dāng)組件進(jìn)入腔體后,EVA能均勻快速交聯(lián),減少了因玻璃翹曲及背板面受熱傳導(dǎo)慢而導(dǎo)致的熱傳導(dǎo)速率不均勻帶來的交聯(lián)率差異的問題,從而提升了層壓產(chǎn)能20?30%,減少了人力,降低了 EVA膠聯(lián)的不均勻性,增加了組件長期可靠性以及客戶滿意度,而且層壓機(jī)內(nèi)放置的組件四周、四個角均能快速加熱,本層壓機(jī)無污染,無噪音,免維護(hù),使用壽命在20年以上。
[0029]以上所述的具體實施例,對本發(fā)明解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明,所應(yīng)理解的是,以上所述僅為本發(fā)明的具體實施例而已,并不用于限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種雙層點陣式加熱層壓機(jī),其特征在于,它包括: 上層加熱構(gòu)件,所述上層加熱構(gòu)件具有至少一個上層模塊單元(1),所述上層模塊單元(1)具有多個紅外光輻射熱源; 下層加熱構(gòu)件,所述下層加熱構(gòu)件具有至少一個下層模塊單元,所述下層模塊單元具有多個點陣式電加熱模塊(2),所述下層加熱構(gòu)件和上層加熱構(gòu)件之間形成組件壓腔。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙層點陣式加熱層壓機(jī),其特征在于:所述上層模塊單元(1)設(shè)置有多個,并且多個上層模塊單元(1)呈陣列狀排列結(jié)構(gòu)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙層點陣式加熱層壓機(jī),其特征在于:所述下層模塊單元設(shè)置有多個,并且多個下層模塊單元呈陣列狀排列結(jié)構(gòu)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙層點陣式加熱層壓機(jī),其特征在于:所述上層加熱構(gòu)件還包括上蓋(2)、熱源防護(hù)網(wǎng)(3)和傳熱膠板(4),所述上蓋(2)、上層模塊單元(1)、熱源防護(hù)網(wǎng)(3)和傳熱膠板(4)由上而下依次設(shè)置。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙層點陣式加熱層壓機(jī),其特征在于:每個上層模塊單元(1)對應(yīng)配有一上層溫控調(diào)節(jié)裝置。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙層點陣式加熱層壓機(jī),其特征在于:每個下層模塊單元對應(yīng)配有一下層溫控調(diào)節(jié)裝置。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種雙層點陣式加熱層壓機(jī),它包括:上層加熱構(gòu)件,所述上層加熱構(gòu)件具有至少一個上層模塊單元,所述上層模塊單元具有多個紅外光輻射熱源;下層加熱構(gòu)件,所述下層加熱構(gòu)件具有至少一個下層模塊單元,所述下層模塊單元具有多個點陣式電加熱模塊,所述下層加熱構(gòu)件和上層加熱構(gòu)件之間形成組件壓腔。本發(fā)明能夠保證組件封裝過程中組件上下表面溫度以及交聯(lián)率的均勻性,同時提升組件層壓產(chǎn)能。
【IPC分類】B32B37/06, B32B37/10
【公開號】CN105479908
【申請?zhí)枴緾N201610016768
【發(fā)明人】徐連榮, 傅家勤, 華敏洪, 王樂, 朱寶平, 許貴軍
【申請人】常州天合光能有限公司
【公開日】2016年4月13日
【申請日】2016年1月11日
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