保護(hù)膜形成用復(fù)合片、帶有保護(hù)膜的芯片、以及帶有保護(hù)膜的芯片的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及能夠在例如半導(dǎo)體晶片、半導(dǎo)體芯片等工件的背面形成保護(hù)膜、能夠 提高半導(dǎo)體芯片的制造效率的保護(hù)膜形成用復(fù)合片、具有該復(fù)合片的帶有保護(hù)膜的芯片、 以及該帶有保護(hù)膜的芯片的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 近年來，使用被稱為所謂倒裝（face down)方式的安裝法進(jìn)行了半導(dǎo)體裝置的制 造。在倒裝方式中，使用在電路面上具有凸塊等電極的半導(dǎo)體芯片（以下，也簡稱為"芯 片"），將該電極與基板接合。因此，與芯片的電路面相反一側(cè)的面（芯片背面）有時(shí)會(huì)露 出。
[0003] 該露出的芯片背面有時(shí)通過由有機(jī)膜形成的保護(hù)膜進(jìn)行保護(hù)，以帶有保護(hù)膜的芯 片的形式安裝到半導(dǎo)體裝置中。
[0004] -般來說，該帶有保護(hù)膜的芯片可以如下獲得：利用旋涂法將液態(tài)樹脂涂布在晶 片背面而形成涂布膜，使該涂布膜干燥及固化而在晶片背面上形成保護(hù)膜，然后對帶有保 護(hù)膜的晶片進(jìn)行切割，從而得到帶有保護(hù)膜的芯片。
[0005] 然而，由液態(tài)樹脂形成的保護(hù)膜的厚度精度不充分，因此，多數(shù)情況下存在所得到 的帶有保護(hù)膜的芯片的成品率降低的問題。
[0006] 作為能夠形成厚度精度良好的保護(hù)膜的材料，例如在專利文獻(xiàn)1中公開了一種保 護(hù)膜形成用片，其具有保護(hù)膜形成層，所述保護(hù)膜形成層包含熱固性成分和能量線固化性 成分中的至少一種、以及粘合劑聚合物成分。
[0007] 但是，伴隨著近年來安裝有半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體裝置的高密度化及該半導(dǎo)體裝置 制造工序的高速化，半導(dǎo)體裝置的發(fā)熱成為了問題。由于半導(dǎo)體裝置的發(fā)熱，存在如下問 題：半導(dǎo)體裝置變形而成為故障、破損的原因，或者導(dǎo)致半導(dǎo)體裝置運(yùn)算速度的降低、誤動(dòng) 作而使半導(dǎo)體裝置的可靠性降低等。因此，對于安裝到高性能的半導(dǎo)體裝置中的半導(dǎo)體芯 片，要求具有優(yōu)異的散熱特性。
[0008] 另外，應(yīng)用于半導(dǎo)體芯片中的保護(hù)膜還要求與作為電路形成材料的銅箱等、以及 抗蝕層、工件等被粘附物具有良好的粘接性。
[0009] 從散熱性、以及與工件等被粘附物的粘接性的觀點(diǎn)考慮，由專利文獻(xiàn)1公開的保 護(hù)膜形成用片形成的保護(hù)膜仍不充分。
[0010] 作為使散熱性提高的保護(hù)膜的形成材料，本申請人提出了一種芯片用保護(hù)膜形成 用片，其具有剝離片和形成在該剝離片上的保護(hù)膜形成層，其中，該保護(hù)膜形成層含有粘合 劑聚合物成分、固化性成分、以及作為無機(jī)填料的金屬化合物，且該保護(hù)膜形成層的導(dǎo)熱系 數(shù)為0. 5~8. OW/m · K(參照專利文獻(xiàn)2)。
[0011] 在該芯片用保護(hù)膜形成用片的保護(hù)膜形成層中，作為無機(jī)填料配合的金屬化合物 承擔(dān)了提高保護(hù)膜形成層固化而形成的保護(hù)膜的導(dǎo)熱性的作用。該芯片用保護(hù)膜形成用片 可以在芯片背面簡便地形成均勻性高、導(dǎo)熱性良好的保護(hù)膜。
[0012] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0013] 專利文獻(xiàn)
[0014] 專利文獻(xiàn)1 :日本特開2002-280329號(hào)公報(bào)
[0015] 專利文獻(xiàn)2 :日本特開2012-158653號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0016] 發(fā)明要解決的課題
[0017] 但是，專利文獻(xiàn)2公開的芯片用保護(hù)膜形成用片的保護(hù)膜形成層固化而形成的保 護(hù)膜的與粘貼有工件等的面相反側(cè)的面的光澤值低，在提高激光標(biāo)記性方面有改進(jìn)的余 地。
[0018] 另外，對于專利文獻(xiàn)2公開的芯片用保護(hù)膜形成用片而言，為了使待形成的保護(hù) 膜的散熱性提高，需要增加該片的保護(hù)膜形成層中無機(jī)填料的配合量。但是，具有配合了大 量無機(jī)填料的保護(hù)膜形成層固化而形成的保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片在安裝到半導(dǎo)體裝置中的 情況下，由于反復(fù)放熱和冷卻引起的溫度變化，會(huì)產(chǎn)生下述新的問題：在與保護(hù)膜的接合部 產(chǎn)生浮起或剝離、裂紋，芯片的可靠性下降。
[0019] 本發(fā)明的目的在于提供一種能夠形成散熱性及標(biāo)記性優(yōu)異的保護(hù)膜、并且能夠 制造可靠性高的帶有保護(hù)膜的芯片的保護(hù)膜形成用復(fù)合片、具有該復(fù)合片的帶有保護(hù)膜的 芯片、以及該帶有保護(hù)膜的芯片的制造方法。
[0020] 解決問題的方法
[0021] 本發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)，下述保護(hù)膜形成用復(fù)合片可解決上述課題，所述保護(hù)膜形成用 復(fù)合片具備：在基材上具有粘合劑層的粘合片、以及在該粘合劑層的至少一部分上的由保 護(hù)膜形成用組合物形成的保護(hù)膜形成用膜，所述保護(hù)膜形成用組合物含有特定量的包含氮 化硼粒子的無機(jī)填料。
[0022] 即，本發(fā)明提供下述[1]~[15]。
[0023] [1] -種保護(hù)膜形成用復(fù)合片，其具備：在基材上具有粘合劑層的粘合片、以及在 該粘合劑層的至少一部分上的由保護(hù)膜形成用組合物形成的保護(hù)膜形成用膜，
[0024] 所述保護(hù)膜形成用組合物含有包含氮化硼粒子（C1)的無機(jī)填料（C)，且相對于該 保護(hù)膜形成用組合物的總量，（C)成分的含量為10~70質(zhì)量％。
[0025] [2]上述[1]所述的保護(hù)膜形成用復(fù)合片，其具有在所述粘合劑層的至少一部分 上直接疊層所述保護(hù)膜形成用膜的結(jié)構(gòu)。
[0026] [3]上述[1]或[2]所述的保護(hù)膜形成用復(fù)合片，其中，所述基材是包含聚丙烯膜 的基材。
[0027] [4]上述[1]~[3]中任一項(xiàng)所述的保護(hù)膜形成用復(fù)合片，其中，相對于（C)成分 的總量，所述保護(hù)膜形成用組合物中（C1)成分的含量為10~80質(zhì)量％。
[0028] [5]上述[1]~[4]中任一項(xiàng)所述的保護(hù)膜形成用復(fù)合片，其中，所述保護(hù)膜形成 用組合物中的（C)成分包含（C1)成分，同時(shí)還包含金屬化合物粒子（C2)。
[0029] [6]上述[1]~[5]中任一項(xiàng)所述的保護(hù)膜形成用復(fù)合片，其中，所述保護(hù)膜形成 用組合物還含有聚合物成分（A)及固化性成分（B)。
[0030] [7]上述[6]所述的保護(hù)膜形成用復(fù)合片，其中，（A)成分是丙烯酸類聚合物，所述 丙烯酸類聚合物包含來源于具有碳原子數(shù)1~18的烷基的（甲基）丙烯酸烷基酯的結(jié)構(gòu) 單元（al)，且來源于選自含有環(huán)氧基團(tuán)的（甲基）丙烯酸酯及含有環(huán)氧基團(tuán)的非丙烯酸類 單體中的一種以上含有環(huán)氧基團(tuán)的單體的結(jié)構(gòu)單元的含量為〇~20質(zhì)量％。
[0031] [8]上述[1]~[7]中任一項(xiàng)所述的保護(hù)膜形成用復(fù)合片，其中，所述保護(hù)膜形成 用組合物還含有著色劑（D)。
[0032] [9]上述[1]~[8]中任一項(xiàng)所述的保護(hù)膜形成用復(fù)合片，其中，所述保護(hù)膜形成 用膜中含有的（C)成分的含量為10~50體積％。
[0033] [10]上述[1]~[9]中任一項(xiàng)所述的保護(hù)膜形成用復(fù)合片，其中，所述粘合劑層是 由能量線固化型粘合劑組合物形成的層。
[0034] [11]上述[10]所述的保護(hù)膜形成用復(fù)合片，其具有如下結(jié)構(gòu)：具有所述粘合劑層 的至少一部分預(yù)先通過能量輻射而固化的固化區(qū)域，且在該粘合劑層的該固化區(qū)域上直接 疊層了所述保護(hù)膜形成用膜。
[0035] [12]上述[1]~[11]中任一項(xiàng)所述的保護(hù)膜形成用復(fù)合片，其中，所述保護(hù)膜形 成用膜固化而形成的保護(hù)膜的導(dǎo)熱系數(shù)為1. 5WAm · K)以上。
[0036] [13] -種帶有保護(hù)膜的芯片，其在芯片的背面具有保護(hù)膜，所述保護(hù)膜是上述 [1]~[12]中任一項(xiàng)所述的保護(hù)膜形成用復(fù)合片的所述保護(hù)膜形成用膜固化而形成的。
[0037] [14]上述[13]所述的帶有保護(hù)膜的芯片，其中，從所述帶有保護(hù)膜的芯片的與具 有芯片一側(cè)的相反側(cè)測定的保護(hù)膜的光澤值為25以上。
[0038] [15] -種帶有保護(hù)膜的芯片的制造方法，該方法包括下述工序⑴~（4)，
[0039] 工序（1):在工件的背面粘貼上述[1]~[12]中任一項(xiàng)所述的保護(hù)膜形成用復(fù)合 片的保護(hù)膜形成用膜，得到帶有保護(hù)膜形成用膜的工件的工序；
[0040] 工序（2):將帶有保護(hù)膜形成用膜的工件或帶有保護(hù)膜的工件進(jìn)行切割的工序；
[0041] 工序（3):使保護(hù)膜形成用膜固化的工序；
[0042] 工序（4):拾取經(jīng)過工序（1)~（3)而得到的切割后的帶有保護(hù)膜的工件，從而得 到帶有保護(hù)膜的芯片的工序。
[0043] 發(fā)明的效果
[0044] 本發(fā)明的保護(hù)膜形成用復(fù)合片能夠形成散熱性及標(biāo)記性優(yōu)異的保護(hù)膜，并且能夠 制造可靠性高的帶有保護(hù)膜的芯片。
【附圖說明】
[0045] 圖1是示出本發(fā)明的保護(hù)膜形成用復(fù)合片的第1~第3構(gòu)成的保護(hù)膜形成用復(fù)合 片的剖面圖。
[0046] 圖2是示出本發(fā)明的保護(hù)膜形成用復(fù)合片的第4~第6構(gòu)成的保護(hù)膜形成用復(fù)合 片的剖面圖。
[0047] 符號(hào)說明
[0048] la、lb、lc、2a、2b、2c保護(hù)膜形成用復(fù)合片
[0049] 10、10' 粘合片
[0050] 11 基材
[0051] 11a基材側(cè)
[0052] 12粘合劑層
[0053] 12a固化區(qū)域
[0054] 13能量線遮蔽層
[0055] 20保護(hù)膜形成用膜
[0056] 31夾具粘接層
[0057] 41夾具粘接用粘合劑層
【具體實(shí)施方式】
[0058] 在以下的本說明書的記載中，"重均分子量（Mw) "是用凝膠滲透色譜（GPC)法測定 的換算成聚苯乙烯的值，具體而言，是基于實(shí)施例中記載的方法測得的值。
[0059] 另外，例如"（甲基）丙烯酸酯"是用于表示"丙烯酸酯"及"甲基丙烯酸酯"兩者 的用語，其它類似用語也相同。
[0060] 此外，在本說明書的記載中，"能量線"是指例如紫外線及電子束等，優(yōu)選紫外線。
[0061] 需要說明的是，在本發(fā)明中所說的組合物中的有效成分是指，從該組合物中所含 的成分中除去了水及有機(jī)溶劑等溶劑的成分。
[0062] [保護(hù)膜形成用復(fù)合片]
[0063] 本發(fā)明的保護(hù)膜形成用復(fù)合片是具備在基材上具有粘合劑層的粘合片、以及在該 粘合劑層的至少一部分上的由保護(hù)膜形成用組合物形成的保護(hù)膜形成用膜的復(fù)合片。
[0064] 圖1及圖2是示出本發(fā)明的保護(hù)膜形成用復(fù)合片的構(gòu)成的一例的保護(hù)膜形成用復(fù) 合片的剖面圖。
[0065] 如圖1及圖2所示，從提高所要形成的保護(hù)膜的標(biāo)記性的觀點(diǎn)考慮，本發(fā)明的保護(hù) 膜形成用復(fù)合片優(yōu)選具有在粘合劑層12上的至少一部分直接疊層有保護(hù)膜形成用膜20的 結(jié)構(gòu)。
[0066] 作為本發(fā)明的保護(hù)膜形成用復(fù)合片的第1構(gòu)成，可以舉出如圖1 (a)所示在基材11 上具有粘合劑層12的粘合片10與在粘合劑層12上的一部分上的保護(hù)膜形成用膜20直接 疊層而成的保護(hù)膜形成用復(fù)合片la。
[0067] 另外，作為本發(fā)明的保護(hù)膜形成用復(fù)合片的第2構(gòu)成，可以舉出如圖1(b)所示在 粘合劑層12的整個(gè)面上直接疊層保護(hù)膜形成用膜20而成的保護(hù)膜形成用復(fù)合片lb。需要 說明的是，在該保護(hù)膜形成用復(fù)合片lb中，保護(hù)膜形成用膜20與粘合片10形狀相同。
[0068] 需要說明的是，本發(fā)明的保護(hù)膜形成用復(fù)合片只要是保護(hù)膜形成用膜20的形狀 被調(diào)整為與半導(dǎo)體晶片等工件基本相同的形狀或者能夠完全包含工件的形狀即可。另外， 本發(fā)明的保護(hù)膜形成用復(fù)合片還可以是具備比保護(hù)膜形成用膜20大的粘合片10的保護(hù)膜 形成用復(fù)合片la這樣的構(gòu)成的復(fù)合片。
[0069] 作為本發(fā)明的保護(hù)膜形成用復(fù)合片的第3構(gòu)成，可以舉出如圖1(c)所示的保護(hù)膜 形成用復(fù)合片lc，該保護(hù)膜形成用復(fù)合片lc具有如下結(jié)構(gòu)：粘合劑層12為由能量線固化 性粘合劑形成的層，該粘合劑層12的至少一部分具有預(yù)先通過能量線輻射而固化的固化 區(qū)域12a，在該固化區(qū)域12a上直接疊層有保護(hù)膜形成用膜20。
[0070] 需要說明的是，優(yōu)選在該保護(hù)膜形成用復(fù)合片lc中固化區(qū)域12a以外的粘合劑層 的區(qū)域未進(jìn)行能量線的輻射而保持了高粘合力。
[0071] 需要說明的是，為了僅對粘合劑層12中待形成固化區(qū)域12a的位置進(jìn)行能量線的 輻射，例如可以在基材11與待形成固化區(qū)域12a的位置以外的粘合劑層12的邊界通過印 刷等來設(shè)置能量線遮蔽層13,并從基材側(cè)11a進(jìn)行能量線的輻射。
[0072] 作為本發(fā)明的保護(hù)膜形成用復(fù)合片的第4構(gòu)成，可以舉出如圖2 (a)所示的保護(hù)膜 形成用復(fù)合片2a，該保護(hù)膜形成用復(fù)合片2a具有如下結(jié)構(gòu)：在粘合劑層12上的未疊層保 護(hù)膜形成用膜20的表面上設(shè)置了夾具粘接層31。
[0073] 另外，如圖2(b)所示，作為本發(fā)明的保護(hù)膜形成用復(fù)合片的第5構(gòu)成，還可以是保 護(hù)膜形成用復(fù)合片2b，該保護(hù)膜形成用復(fù)合片2b具有如下結(jié)構(gòu)：保護(hù)膜形成用膜20與粘 合片10為相同形狀，并且在保護(hù)膜形成用膜20的表面的外周部設(shè)置有夾具粘接層31。
[0074] 通過設(shè)置夾具粘接層31，在保護(hù)膜形成用膜20的表面的外周部粘接環(huán)狀框等夾 具時(shí)，可以使與該夾具的粘接力變得良好。
[0075] 夾具粘接層31可以由具有基材（芯材）的雙面粘合片形成，或者由包含粘合劑的 層形成。
[0076] 作為用于形成夾具粘接層31的基材（芯材），可以使用與粘合片10的基材11同 樣的基材。另外，作為用于形成夾具粘接層31的粘合劑，可以使用與構(gòu)成粘合片10的粘合 劑層12的粘合劑同樣的粘合劑。
[0077] 夾具粘接層31的厚度優(yōu)選為1~80 μ m，更優(yōu)選為5~60 μ m，進(jìn)一步優(yōu)選為10~ 40 μ m〇
[0078] 另外，作為保護(hù)膜形成用復(fù)合片的第6構(gòu)成，可以舉出如圖2(c)所示的具有保護(hù) 膜形成用膜20和粘合片10'的保