亚洲狠狠干,亚洲国产福利精品一区二区,国产八区,激情文学亚洲色图

一種高溫氣冷堆冷卻劑優(yōu)化凈化系統(tǒng)及再生方法

文檔序號(hào):9549053閱讀:1138來源:國(guó)知局
一種高溫氣冷堆冷卻劑優(yōu)化凈化系統(tǒng)及再生方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種高溫氣冷堆冷卻劑優(yōu)化凈化系統(tǒng)及再生方法,屬于核反應(yīng)堆技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]高溫氣冷堆是以氦為冷卻劑,具有第四代核能系統(tǒng)主要特征的新型核反應(yīng)堆,具有固有安全性、發(fā)電效率高、系統(tǒng)簡(jiǎn)單和用途廣泛等特點(diǎn)。在運(yùn)行過程中會(huì)有多種化學(xué)雜質(zhì)和放射性雜質(zhì)進(jìn)入一回路氦冷卻劑中,通常設(shè)置氦凈化系統(tǒng)用于控制氦冷卻劑中的化學(xué)和放射性雜質(zhì)濃度。
[0003]目前,氦凈化系統(tǒng)通常依次設(shè)置氧化銅床、分子篩床和低溫活性炭床對(duì)氦中氣體雜質(zhì)進(jìn)行凈化。其中,氧化銅床主要將氫氣、氚和一氧化碳分別氧化為水、氚水和二氧化碳,并脫除微量氧氣;分子篩床主要吸附水、氚水和二氧化碳;低溫活性炭床用于吸附氮?dú)?、甲烷及氪、氙等放射性核素和剩余雜質(zhì)氣體。氧化銅床、分子篩床和低溫活性炭床通常為間歇操作,通過設(shè)置的氦凈化再生系統(tǒng)為氧化銅床、分子篩床和低溫活性炭床提供再生,在對(duì)分子篩床再生時(shí)收集含氚廢水并排至放射性廢液系統(tǒng)。
[0004]然而,實(shí)際運(yùn)行中,當(dāng)分子篩床中含氚廢水量較少時(shí),很難將其脫附并有效收集起來,致使含氚廢水在分子篩床內(nèi)的滯留;而分子篩床用于同時(shí)吸附水和二氧化碳,分子篩床內(nèi)的滯留水會(huì)導(dǎo)致分子篩對(duì)二氧化碳吸附容量的嚴(yán)重下降;因此在分子篩床再生時(shí)必須增設(shè)輔助水吸附床將分子篩床內(nèi)的滯留含氚廢水脫除干凈,使含氚廢水先轉(zhuǎn)移到輔助水吸附床中,再通過再生輔助水吸附床收集含氚廢水,如此大大增加了含氚廢水收集復(fù)雜程度;并且由于含氚廢水的存在,致使整個(gè)分子篩床的再生操作需在較高溫度條件下進(jìn)行,引起再生能耗的增加,降低了二氧化碳再生效率,不適合現(xiàn)代化工業(yè)發(fā)展需求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的是提供一種高溫氣冷堆冷卻劑優(yōu)化凈化系統(tǒng)及再生方法。本發(fā)明將水和二氧化碳凈化進(jìn)行吸附分離切割,避免水對(duì)二氧化碳吸附性能的影響;而且氦凈化系統(tǒng)內(nèi)的含氚廢水可直接收集,無需轉(zhuǎn)移,提高了高溫氣冷堆含氚廢水收集運(yùn)行效率;同時(shí)還降低了二氧化碳吸附劑的再生溫度,提高二氧化碳吸附劑的再生效率。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
[0007]一種高溫氣冷堆冷卻劑優(yōu)化凈化系統(tǒng)(即氦優(yōu)化凈化系統(tǒng)),包括水吸附床、與水吸附床連接的二氧化碳吸附床;
[0008]其中,所述水吸附床用于脫除氦中含氚廢水至0.lppm以下;二氧化碳吸附床用于脫除氦中二氧化碳至0.lppm以下。
[0009]其中,所述水吸附床內(nèi)裝填對(duì)水、氚水有強(qiáng)吸附作用的吸附劑,優(yōu)選沸石分子篩,進(jìn)一步優(yōu)選3A、4A、5A、10X、13X等類型沸石分子篩。
[0010]其中,所述二氧化碳吸附床內(nèi)裝填對(duì)二氧化碳有強(qiáng)吸附作用的吸附劑,優(yōu)選沸石分子篩,進(jìn)一步優(yōu)選4A、5A、10X、13X等類型沸石分子篩。
[0011]本發(fā)明通過將水和二氧化碳凈化進(jìn)行吸附分離切割,避免水對(duì)二氧化碳吸附性能的影響,有利于進(jìn)一步提高二氧化碳吸附效率;而且利用水吸附床的再生系統(tǒng)可直接對(duì)冷卻劑凈化系統(tǒng)內(nèi)的含氚廢水進(jìn)行收集,無需轉(zhuǎn)移,從而提高了高溫氣冷堆含氚廢水收集運(yùn)行效率。
[0012]本發(fā)明所述的氦優(yōu)化凈化系統(tǒng)中,還可包括氧化銅床、低溫活性炭床等其它用于凈化氦氣的裝置。
[0013]本發(fā)明所述的高溫氣冷堆氦優(yōu)化凈化系統(tǒng)在運(yùn)行時(shí),所述水吸附床和二氧化碳吸附床的正常凈化工作溫度均為5-25 °C。當(dāng)水吸附床出口水濃度、二氧化碳吸附床出口二氧化碳濃度到達(dá)穿透點(diǎn)時(shí),須對(duì)水吸附床、二氧化碳吸附床分別進(jìn)行再生。
[0014]本發(fā)明提供為上述氦優(yōu)化凈化系統(tǒng)提供再生的氦凈化再生系統(tǒng),其由隔膜壓縮機(jī)、電加熱器、水/氦冷卻器1、氣/水分離器、輔助水吸附床和內(nèi)設(shè)卸放管路的抽真空裝置組成;可形成水吸附床再生回路、二氧化碳吸附床再生回路、輔助水吸附床再生回路。
[0015]下面將對(duì)水吸附床再生回路、二氧化碳吸附床再生回路、輔助水吸附床再生回路及其再生運(yùn)行工藝進(jìn)行重點(diǎn)說明。
[0016]本發(fā)明所述的氦凈化再生系統(tǒng)中,所述水吸附床再生回路為:將水吸附床與氦凈化再生系統(tǒng)相連,由隔膜壓縮機(jī)、電加熱器、水吸附床、水/氦冷卻器1、氣/水分離器依次連接組成;
[0017]本發(fā)明所述的氦凈化再生系統(tǒng)中,所述二氧化碳吸附床再生回路為:將二氧化碳吸附床與氦凈化再生系統(tǒng)相連,由隔膜壓縮機(jī)、電加熱器、二氧化碳吸附床、水/氦冷卻器
1、氣/水分離器、輔助水吸附床依次連接組成;優(yōu)選地,在水/氦冷卻器1和氣/水分離器處還可設(shè)一帶有水/氦冷卻器2的旁路,并由此得到由隔膜壓縮機(jī)、電加熱器、二氧化碳吸附床、水/氦冷卻器2、輔助水吸附床依次連接組成的二氧化碳吸附床再生回路。
[0018]本發(fā)明所述的氦凈化再生系統(tǒng)中,所述輔助水吸附床再生回路為:由氦凈化再生系統(tǒng)形成輔助水吸附床再生自循環(huán)回路,由隔膜壓縮機(jī)、電加熱器、輔助水吸附床、水/氦冷卻器1、氣/水分離器依次連接組成。其中,所述輔助水吸附床中裝填對(duì)水、氚水有強(qiáng)吸附作用的吸附劑,優(yōu)選沸石分子篩,進(jìn)一步優(yōu)選3A、4A、5A、10X、13X等類型沸石分子篩。
[0019]本發(fā)明為所述氦優(yōu)化凈化系統(tǒng)提供再生的氦凈化再生系統(tǒng)還可包括氧化銅床再生回路、低溫活性炭床再生回路。
[0020]本發(fā)明所述的氦優(yōu)化凈化系統(tǒng)的氦凈化再生系統(tǒng)中,所有再生回路上均設(shè)有抽真空裝置;優(yōu)選地,所述抽真空裝置設(shè)在輔助水吸附床出口處。
[0021]本發(fā)明還提供針對(duì)上述氦優(yōu)化凈化系統(tǒng)的再生方法,具體包括水吸附床的再生運(yùn)行工藝、二氧化碳吸附床的再生運(yùn)行工藝和輔助水吸附床的再生運(yùn)行工藝。
[0022]其中,所述水吸附床再生運(yùn)行方法具體為:向水吸附床再生回路內(nèi)充氦至低壓,啟動(dòng)氦凈化再生系統(tǒng)隔膜壓縮機(jī),然后啟動(dòng)氦凈化再生系統(tǒng)電加熱器;氦氣經(jīng)氦凈化再生系統(tǒng)隔膜壓縮機(jī)進(jìn)入氦凈化再生系統(tǒng)電加熱器加熱后進(jìn)入水吸附床,使其在高溫下加熱再生;從水吸附床出來的熱氦氣經(jīng)氦凈化再生系統(tǒng)水/氦冷卻器1降溫后進(jìn)入氦凈化再生系統(tǒng)氣/水分離器,其中飽和含氚廢水冷凝后分離收集,最終排至高溫氣冷堆放射性廢液系統(tǒng);最后,水吸附床再生回路和水吸附床降溫并充氦至大于0.llMPa備用。
[0023]其中,優(yōu)選地,所述低壓條件為0.5MPa-0.75MPa ;所述水吸附床再生溫度為200-350°C ;所述氦凈化再生系統(tǒng)水/氦冷卻器將氦氣降溫至5°C-25°C。所述水吸附床的再生流向優(yōu)選與正常凈化運(yùn)行流向相反。水吸附床的再生流向與正常凈化運(yùn)行流向相反,可提高水吸附床再生效率,避免含氚廢水由高濃度區(qū)向低濃度區(qū)轉(zhuǎn)移。
[0024]所述二氧化碳吸附床再生運(yùn)行工藝為:向二氧化碳吸附床再生回路內(nèi)充氦至低壓,啟動(dòng)氦凈化再生系統(tǒng)隔膜壓縮機(jī),然后啟動(dòng)氦凈化再生系統(tǒng)電加熱器;氦氣經(jīng)氦凈化再生系統(tǒng)隔膜壓縮機(jī)進(jìn)入氦凈化再生系統(tǒng)電加熱器加熱后進(jìn)入二氧化碳吸附床,使其在較高再生溫度下加熱再生;從二氧化碳吸附床出來的熱氦氣經(jīng)氦凈化再生系統(tǒng)水/氦冷卻器降溫后進(jìn)入輔助水吸附床吸附微量水;隔離輔助水吸附床,對(duì)二氧化碳吸附床再生回路和二氧化碳吸附床進(jìn)行抽真空操作;最后,二氧化碳吸附床降溫并充氦至大于0.llMPa備用。
[0025]其中,優(yōu)選地,所述低壓條件為0.5MPa-0.75MPa ;所述二氧化碳吸附床再生溫度為100-350°C,進(jìn)一步優(yōu)選1
當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3 
網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
  • 還沒有人留言評(píng)論。精彩留言會(huì)獲得點(diǎn)贊!
1