本發(fā)明涉及一種高光亮、低摩擦、熒光bopet聚酯基膜及其生產(chǎn)工藝。
背景技術(shù)：
目前市場上流行的具有熒光效應(yīng)的聚酯薄膜均是通過涂布具有熒光特性的高分子溶液在聚酯薄膜表層來達(dá)到這一效果的。本發(fā)明通過對聚酯原料共混改性后通過熔體直拉實現(xiàn)bopet基膜芯層具有熒光特性；通過折光系數(shù)接近聚酯pet的納米級baso4作為抗粘結(jié)劑，使膜面低摩擦，更光滑，更光亮；相比涂布法而言，本發(fā)明減少后道加工工序及成本，熒光特性穩(wěn)定永久，不易脫落，且熒光鮮艷。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供了一種高光亮、低摩擦、熒光bopet聚酯基膜及其生產(chǎn)工藝。
為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了如下技術(shù)方案：
一種高光亮、熒光bopet聚酯基膜，包括abcde五層結(jié)構(gòu)，c層為中間芯層，材料為大有光聚酯熔體；a/e層為上、下表層，材料包括納米級baso4抗粘結(jié)母粒及有光聚酯熔體，b/d層為熒光特性層，材料包括納米級稀土熒光特性母粒、有光聚酯熔體；a層與e層材料具有如下質(zhì)量百分比的組分：1％～2％的baso4抗粘結(jié)母粒及98％～99％有光聚酯熔體；b/d層材料具有如下質(zhì)量百分比的組分：20％～30％的熒光特性母粒及70％～80％有光聚酯熔體；c層材料為100%有光聚酯熔體。
優(yōu)選的，a/e層厚度占10％～15％，b/d層厚度占15％～20％，c層厚度占40%。
優(yōu)選的，納米級baso4抗粘結(jié)母粒及納米級稀土熒光特性母粒均是由有納米級baso4、納米級稀土熒光粉末分別與有光聚酯熔體采用共混方法制備所得。
一種高光亮、低摩擦、熒光bopet聚酯基膜的生產(chǎn)工藝，包括如下步驟：
步驟一：分別將40～100nmbaso4粉末和50～100nm稀土熒光粉與有光聚酯熔體共混后，經(jīng)鑄帶切粒制成3%的baso4抗粘結(jié)母粒和10%熒光母粒；
步驟二：將a/e表層的baso4母粒、b/d特性層中間芯層的有光聚酯熔體與中間芯層聚酯熔體分別送入五層共擠雙向拉伸設(shè)備并擠出；
步驟三：將a/e表層抗粘結(jié)母粒在275℃～285℃擠出熔融，經(jīng)有光聚酯熔體混合稀釋成baso4含量為1500～2000ppm有光聚酯熔體，經(jīng)過計量泵計量輸送至過濾器過濾后至五層共擠模頭；b/d熒光特性層母粒在275℃～285℃擠出熔融，經(jīng)有光聚酯熔體混合稀釋成熒光介質(zhì)含量為20000～35000ppm有光聚酯熔體，經(jīng)過計量泵計量輸送過濾器過濾后至五層共擠模頭；c層中間芯層由聚酯熔體泵直接輸送有光聚酯熔體經(jīng)主料計量泵計量后至五層共擠模頭；
步驟四：經(jīng)五層共擠模頭擠出鑄片，擠出壓力控制40～50bar；在運轉(zhuǎn)的冷鼓上面快速冷卻，冷卻溫度控制30～35℃；
步驟五：再通過80℃～110℃預(yù)熱縱向拉伸和105℃～120℃橫向拉伸，并測厚，縱向拉伸比控制3.2～3.5，橫向拉伸比控制在3.5～3.8；
步驟六：完成雙向拉伸后經(jīng)230℃～240℃定型處理冷卻后收卷，制成厚度50～200μm的熒光bopet聚酯基膜母卷，然后進(jìn)行母卷分切。
優(yōu)選的，步驟一中稀土三基色熒光粉的顏色可選。
優(yōu)選的，步驟二中b/d層由一臺雙螺桿擠出機擠出；a/e層由一臺雙螺桿擠出機擠出。
優(yōu)選的，步驟三中的過濾器均為精度為5um～10um的碟片。
優(yōu)選的，步驟四中從模頭擠出的鑄片在接觸冷鼓前通過高壓靜電吸附在冷鼓上。
優(yōu)選的，步驟五中測厚裝置設(shè)有兩個，其中一個設(shè)置在拉伸之前，另一個安裝在拉伸之后，并反饋連接。
優(yōu)選的，在縱向拉伸過程中，采用差速兩段式拉伸。
綜上所述本發(fā)明發(fā)明了一種高光亮、低摩擦、熒光bopet聚酯基膜，并針對現(xiàn)有熒光特性bopet薄膜涂布技術(shù)加工成本高、特性層易脫落、表層粗糙、不夠光亮等缺點，提供了一種生產(chǎn)成本低、熒光穩(wěn)定永久不易脫落、熒光色澤鮮艷的高光亮、低摩擦、熒光bopet基膜生產(chǎn)工藝，高壓靜電可以使鑄片很好的貼合在冷鼓上，使冷缺效果更好，兩個互相反饋的測厚裝置可以對鑄片的厚度進(jìn)行監(jiān)控，隨時對鑄片的厚度進(jìn)行調(diào)節(jié)，差速兩段式拉伸可以在保證拉伸效果的前提下，降低轉(zhuǎn)軸的轉(zhuǎn)速。
附圖說明
圖1為本發(fā)明一種高光亮、低摩擦、熒光bopet聚酯基膜的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
通過圖1對本發(fā)明一種高光亮、低摩擦、熒光bopet聚酯基膜及其生產(chǎn)工藝作進(jìn)一步的說明。
實施例一：
一種高光亮、低摩擦、熒光bopet聚酯基膜，包括abcde五層結(jié)構(gòu)，c層為中間芯層，材料為大有光聚酯熔體；a/e層為上、下表層，材料包括納米級baso4抗粘結(jié)母粒及有光聚酯熔體，b/d層為熒光特性層，材料包括納米級稀土熒光特性母粒、有光聚酯熔體；a層與e層材料具有如下質(zhì)量百分比的組分：1％的baso4抗粘結(jié)母粒及99％有光聚酯熔體；b/d層材料具有如下質(zhì)量百分比的組分：20％的熒光特性母粒及80％有光聚酯熔體；c層材料為100%有光聚酯熔體。
優(yōu)選的，a/e層厚度占10％，b/d層厚度占20％，c層厚度占40%。
優(yōu)選的，納米級baso4抗粘結(jié)母粒及納米級稀土熒光特性母粒均是由有納米級baso4、納米級熒光粉末分別與有光聚酯熔體采用共混方法制備所得。
一種高光亮、低摩擦、熒光bopet聚酯基膜的生產(chǎn)工藝，包括如下步驟：
步驟一：分別將40nmbaso4粉末和50nm熒光粉與有光聚酯熔體共混后，經(jīng)鑄帶切粒制成3%的baso4抗粘結(jié)母粒和10%熒光母粒；
步驟二：將a/e表層的baso4母粒、b/d特性層中間芯層的有光聚酯熔體與中間芯層聚酯熔體分別送入五層共擠雙向拉伸設(shè)備并擠出；
步驟三：將a/e表層在275℃擠出熔融，經(jīng)有光聚酯熔體混合稀釋成baso4含量為1500ppm有光聚酯熔體，經(jīng)過計量泵計量輸送至過濾器過濾后至五層共擠模頭；b/d特性層在275℃擠出熔融，經(jīng)有光聚酯熔體混合稀釋成熒光介質(zhì)含量為20000ppm有光聚酯熔體，經(jīng)過計量泵計量輸送過濾器過濾后至五層共擠模頭；c層中間芯層由聚酯熔體泵直接輸送有光聚酯熔體經(jīng)主料計量泵計量后至五層共擠模頭；
步驟四：經(jīng)五層共擠模頭擠出鑄片，擠出壓力控制40bar；在運轉(zhuǎn)的冷鼓上面快速冷卻，冷卻溫度控制30℃；
步驟五：再通過80℃預(yù)熱縱向拉伸和105℃橫向拉伸，并測厚，縱向拉伸比控制3.2，橫向拉伸比控制在3.5；
步驟六：完成雙向拉伸后經(jīng)230℃定型處理冷卻后收卷，制成厚度50μm的熒光bopet聚酯基膜母卷，然后進(jìn)行母卷分切。
優(yōu)選的，步驟一中稀土熒光粉的顏色可選，色溫可調(diào)。
優(yōu)選的，步驟二中b/d層由一臺雙螺桿擠出機擠出；a/e層由一臺雙螺桿擠出機擠出。
優(yōu)選的，步驟三中的過濾器均為精度為5um的碟片。
優(yōu)選的，步驟四中從模頭擠出的鑄片在接觸冷鼓前通過導(dǎo)入靜電。
優(yōu)選的，步驟五中測厚裝置設(shè)有兩個，其中一個設(shè)置在拉伸之前，另一個安裝在拉伸之后，并反饋連接。
優(yōu)選的，在縱向拉伸過程中，采用差速兩段式拉伸。
實施例二：
一種高光亮、熒光bopet聚酯基膜，包括abcde五層結(jié)構(gòu)，c層為中間芯層，材料為大有光聚酯熔體；a/e層為上、下表層，材料包括納米級baso4抗粘結(jié)母粒及有光聚酯熔體，b/d層為熒光特性層，材料包括納米級熒光特性母粒、有光聚酯熔體；a層與e層材料具有如下質(zhì)量百分比的組分：2％的baso4抗粘結(jié)母粒及98％有光聚酯熔體；b/d層材料具有如下質(zhì)量百分比的組分：30％的熒光特性母粒及70％有光聚酯熔體；c層材料為100%有光聚酯熔體。
優(yōu)選的，a/e層厚度占15％，b/d層厚度占15％，c層厚度占40%。
優(yōu)選的，納米級baso4抗粘結(jié)母粒及納米級熒光特性母粒均是由有納米級baso4、納米級稀土熒光粉末分別與有光聚酯熔體采用共混方法制備所得。
一種高光亮、低摩擦、熒光bopet聚酯基膜的生產(chǎn)工藝，包括如下步驟：
步驟一：分別將100nmbaso4粉末和100nm熒光粉與有光聚酯熔體共混后，經(jīng)鑄帶切粒制成3%的baso4抗粘結(jié)母粒和10%熒光母粒；
步驟二：將a/e表層的baso4母粒、b/d特性層中間芯層的有光聚酯熔體與中間芯層聚酯熔體分別送入五層共擠雙向拉伸設(shè)備并擠出；
步驟三：將a/e表層在285℃擠出熔融，經(jīng)有光聚酯熔體混合稀釋成baso4含量為2000ppm有光聚酯熔體，經(jīng)過計量泵計量輸送至過濾器過濾后至五層共擠模頭；b/d特性層在285℃擠出熔融，經(jīng)有光聚酯熔體混合稀釋成熒光介質(zhì)含量為35000ppm有光聚酯熔體，經(jīng)過計量泵計量輸送過濾器過濾后至五層共擠模頭；c層中間芯層由聚酯熔體泵直接輸送有光聚酯熔體經(jīng)主料計量泵計量后至五層共擠模頭；
步驟四：經(jīng)五層共擠模頭擠出鑄片，擠出壓力控制50bar；在運轉(zhuǎn)的冷鼓上面快速冷卻，冷卻溫度控制35℃；
步驟五：再通過110℃預(yù)熱縱向拉伸和120℃橫向拉伸，并測厚，縱向拉伸比控制3.5，橫向拉伸比控制在3.8；
步驟六：完成雙向拉伸后經(jīng)240℃定型處理冷卻后收卷，制成厚度200μm的熒光bopet聚酯基膜母卷，然后進(jìn)行母卷分切。
優(yōu)選的，步驟一中稀土熒光分離的顏色可選，色溫可調(diào)。
優(yōu)選的，步驟二中b/d層由一臺雙螺桿擠出機擠出；a/e層由一臺雙螺桿擠出機擠出。
優(yōu)選的，步驟三中的過濾器均為精度為10um的碟片。
優(yōu)選的，步驟四中從模頭擠出的鑄片在接觸冷鼓前通過高壓靜電吸附在冷鼓上。
優(yōu)選的，步驟五中測厚裝置設(shè)有兩個，其中一個設(shè)置在拉伸之前，另一個安裝在拉伸之后，并反饋連接。
優(yōu)選的，在縱向拉伸過程中，采用差速兩段式拉伸。
實施例三：
一種高光亮、熒光bopet聚酯基膜，包括abcde五層結(jié)構(gòu)，c層為中間芯層，材料為大有光聚酯熔體；a/e層為上、下表層，材料包括納米級baso4抗粘結(jié)母粒及有光聚酯熔體，b/d層為熒光特性層，材料包括納米級熒光特性母粒、有光聚酯熔體；a層與e層材料具有如下質(zhì)量百分比的組分：1.5％baso4抗粘結(jié)母粒及98.5％有光聚酯熔體；b/d層材料具有如下質(zhì)量百分比的組分：25％的熒光特性母粒及75％有光聚酯熔體；c層材料為100%有光聚酯熔體。
優(yōu)選的，a/e層厚度占12％，b/d層厚度占18％，c層厚度占40%。
優(yōu)選的，納米級baso4抗粘結(jié)母粒及納米級熒光特性母粒均是由有納米級baso4、納米級稀土熒光粉末分別與有光聚酯熔體采用共混方法制備所得。
一種高光亮、低摩擦、熒光bopet聚酯基膜的生產(chǎn)工藝，包括如下步驟：
步驟一：分別將60nmbaso4粉末和80nm熒光粉與有光聚酯熔體共混后，經(jīng)鑄帶切粒制成3%的baso4抗粘結(jié)母粒和10%稀土熒光母粒；
步驟二：將a/e表層的baso4母粒、b/d特性層中間芯層的有光聚酯熔體與中間芯層聚酯熔體分別送入五層共擠雙向拉伸設(shè)備并擠出；
步驟三：將a/e表層在280℃擠出熔融，經(jīng)有光聚酯熔體混合稀釋成baso4含量為1800ppm有光聚酯熔體，經(jīng)過計量泵計量輸送至過濾器過濾后至五層共擠模頭；b/d特性層在280℃擠出熔融，經(jīng)有光聚酯熔體混合稀釋成熒光介質(zhì)含量為30000ppm有光聚酯熔體，經(jīng)過計量泵計量輸送過濾器過濾后至五層共擠模頭；c層中間芯層由聚酯熔體泵直接輸送有光聚酯熔體經(jīng)主料計量泵計量后至五層共擠模頭；
步驟四：經(jīng)五層共擠模頭擠出鑄片，擠出壓力控制45bar；在運轉(zhuǎn)的冷鼓上面快速冷卻，冷卻溫度控制32℃；
步驟五：再通過90℃預(yù)熱縱向拉伸和110℃橫向拉伸，并測厚，縱向拉伸比控制3.3，橫向拉伸比控制在3.6；
步驟六：完成雙向拉伸后經(jīng)235℃定型處理冷卻后收卷，制成厚度150μm的熒光bopet聚酯基膜母卷，然后進(jìn)行母卷分切。
優(yōu)選的，步驟一中稀土熒光粉的顏色可選，色溫可調(diào)。
優(yōu)選的，步驟二中b/d層由一臺雙螺桿擠出機擠出；a/e層由一臺雙螺桿擠出機擠出。
優(yōu)選的，步驟三中的過濾器均為精度為8um的碟片。
優(yōu)選的，步驟四中從模頭擠出的鑄片在接觸冷鼓前通過導(dǎo)入靜電。
優(yōu)選的，步驟五中測厚裝置設(shè)有兩個，其中一個設(shè)置在拉伸之前，另一個安裝在拉伸之后，并反饋連接。
優(yōu)選的，在縱向拉伸過程中，采用差速兩段式拉伸。
以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，本發(fā)明的保護范圍并不僅局限于上述實施例，凡屬于本發(fā)明思路下的技術(shù)方案均屬于本發(fā)明的保護范圍。應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理前提下的若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護范圍。