一種可控硅維持電流補(bǔ)償電路的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型提供了一種可控硅維持電流補(bǔ)償電路，通過(guò)對(duì)通態(tài)電流或整流電路的輸出電壓進(jìn)行采樣及微分處理得到微分信號(hào)，當(dāng)通態(tài)電流的變化率或整流電路的輸出電壓的變化率較大時(shí)，依據(jù)微分信號(hào)產(chǎn)生一個(gè)相應(yīng)大的補(bǔ)償電流，當(dāng)通態(tài)電流的變化率或整流電路的輸出電壓的變化率較小時(shí)，在此時(shí)補(bǔ)償一個(gè)相應(yīng)小的補(bǔ)償電流，使得負(fù)載電流和補(bǔ)償電流之和大于維持電流，從而避免可控硅非正常關(guān)斷。本實(shí)用新型考慮了可控硅導(dǎo)通時(shí)的沖激和震蕩引起的維持電流變化的情況，并依據(jù)沖激和震蕩動(dòng)態(tài)調(diào)整補(bǔ)償電流的大小，所以本電路在通態(tài)電流存在沖擊和震蕩時(shí)解決LED燈閃的問(wèn)題，并提高補(bǔ)償電路的使用效率。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種可控硅維持電流補(bǔ)償電路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本實(shí)用新型涉及電路【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種可控硅維持電流補(bǔ)償電路。

【背景技術(shù)】
[0002]目前，利用可控硅進(jìn)行LED調(diào)光是常見(jiàn)的LED調(diào)光技術(shù)之一，如圖1所示為可控硅的調(diào)光電路，包括:可控硅調(diào)光器100、整流電路200、DC/DC轉(zhuǎn)換電路300、LED負(fù)載400和交流電源600，整流電路輸出電壓為Vl，輸出電流為11，電路中的通態(tài)電流電流1等于負(fù)載電流II。圖2為上述可控硅的調(diào)光電路的通態(tài)電流的曲線示意圖。
[0003]可控硅有一個(gè)維持電流，當(dāng)通態(tài)電流小于可控硅的電流時(shí)，可控硅便會(huì)關(guān)斷引起LED閃爍。并且在實(shí)際的可控硅LED調(diào)光系統(tǒng)中，由于LED負(fù)載及DC/DC轉(zhuǎn)換電路均為容性負(fù)載，所以可控硅導(dǎo)通瞬間會(huì)產(chǎn)生沖擊電流，如圖3所示在tl?tl'時(shí)間段內(nèi)存在沖擊和振蕩。而可控硅中的電流與通態(tài)電流的變化率有關(guān)。
[0004]因此現(xiàn)在需要一種補(bǔ)償電路，不僅可以解決可控硅在過(guò)零點(diǎn)的誤關(guān)斷問(wèn)題，也可以解決在通態(tài)電流存在沖擊和震蕩時(shí)可控硅誤關(guān)斷造成的LED燈閃的問(wèn)題，并提高補(bǔ)償電路的使用效率。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]本實(shí)用新型提供了一種可控硅維持電流補(bǔ)償電路，解決了可控硅在過(guò)零點(diǎn)的誤關(guān)斷問(wèn)題，也解決在通態(tài)電流存在沖擊和震蕩時(shí)可控硅誤關(guān)斷造成的LED燈閃的問(wèn)題，即解決了整個(gè)周期內(nèi)可控硅誤關(guān)斷的問(wèn)題，并提高了補(bǔ)償電路的使用效率。
[0006]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供的一種可控硅維持電流補(bǔ)償電路，包括交流電源、可控硅調(diào)光器，與容性負(fù)載相連的整流電路，其特征在于，還包括:
[0007]對(duì)所述整流電路的輸出電壓或電流進(jìn)行采樣并微分，并將得到的微分信號(hào)輸出至電流補(bǔ)償電路的采樣微分電路；
[0008]與采樣微分電路相連，根據(jù)所述微分信號(hào)和流過(guò)所述容性負(fù)載的電流以及一個(gè)基準(zhǔn)信號(hào)產(chǎn)生補(bǔ)償電流的所述電流補(bǔ)償電路。
[0009]優(yōu)選的，所述采樣微分電路包括:
[0010]對(duì)所述整流電路的輸出電壓進(jìn)行采樣，并對(duì)所述輸出電壓進(jìn)行微分獲得電壓微分信號(hào)的電壓采樣微分電路；或，
[0011]對(duì)所述整流電路的輸出電流進(jìn)行采樣，并對(duì)所述輸出電流進(jìn)行微分獲得電流微分信號(hào)的電流采樣微分電路。
[0012]優(yōu)選的，所述電流補(bǔ)償電路包括:
[0013]比較電路、反饋電路和負(fù)載電流采樣電阻，所述比較電路包括比較器；
[0014]所述比較器的第一輸入端經(jīng)第五電阻與所述采樣微分電路相連接收所述微分信號(hào)，所述第一輸入端經(jīng)第四電阻與所述負(fù)載電流采樣電阻相連接收負(fù)載電流轉(zhuǎn)換后的負(fù)載電壓，所述比較器的第二輸入端與所述基準(zhǔn)信號(hào)相連，所述微分信號(hào)經(jīng)過(guò)第五電阻與經(jīng)所述第四電阻的所述負(fù)載電流采樣電阻共同作用在所述比較電路的第一輸入端，所述第一輸入端為所述比較電路的采樣端；所述比較器將所述負(fù)載電壓和所述微分信號(hào)的和值與所述基準(zhǔn)信號(hào)進(jìn)行比較，并輸出比較結(jié)果；
[0015]所述反饋電路的一個(gè)輸入端與所述比較器的輸出端相連，所述反饋電路的輸出端經(jīng)所述負(fù)載電流采樣電阻和所述第四電阻與所述比較器的第一輸入端相連，所述反饋電路的輸出端接地，所述反饋電路的另一個(gè)輸入端與容性負(fù)載的輸入端相連，所述反饋電路依據(jù)接收到的所述比較結(jié)果輸出補(bǔ)償電流，并將所述補(bǔ)償電流與所述負(fù)載電流的和值轉(zhuǎn)換為所述負(fù)載電壓，輸入至所述比較器的第一輸入端。
[0016]優(yōu)選的，所述電流補(bǔ)償電路包括:
[0017]比較電路、反饋電路和負(fù)載電流采樣電阻，所述比較電路包括比較器；
[0018]所述比較器的第一輸入端經(jīng)第六電阻與所述采樣微分電路相連接收所述微分信號(hào)，所述微分信號(hào)經(jīng)過(guò)第六電阻與所述基準(zhǔn)信號(hào)共同作用在所述比較器的第一輸入端，所述第一輸入端為所述比較器的基準(zhǔn)端；所述比較器第二輸入端與所述負(fù)載電流采樣電阻的一端相連，用于接收所述負(fù)載電流轉(zhuǎn)換后的負(fù)載電壓，所述比較器將所述微分信號(hào)與基準(zhǔn)信號(hào)的和值與所述負(fù)載電壓進(jìn)行比較，并輸出比較結(jié)果，所述負(fù)載電流采樣電阻的另一端接地；
[0019]所述反饋電路的一個(gè)輸入端與所述比較器的輸出端相連，所述反饋電路輸出端與所述比較器的第一輸入端相連，所述反饋電路的另一個(gè)輸入端與容性負(fù)載的輸入端相連；所述反饋電路依據(jù)接收到的所述比較結(jié)果輸出補(bǔ)償電流，并將所述補(bǔ)償電流與所述負(fù)載電流的和值轉(zhuǎn)換為所述負(fù)載電壓，輸入至比較器的第二輸入端。
[0020]優(yōu)選的，所述電壓采樣微分電路包括:
[0021]與所述整流電路輸出端相連的第一電容；
[0022]與所述第一電容相連的第一電阻，與所述第一電阻并聯(lián)的第二電容，所述第一電阻的另一端接地；
[0023]所述第一電容與所述第一電阻的公共連接點(diǎn)與所述電流補(bǔ)償電路相連。
[0024]優(yōu)選的，所述電流采樣微分電路包括:
[0025]串聯(lián)于地與所述容性負(fù)載之間的采樣電阻；
[0026]與所述米樣電阻并聯(lián)的第一電容；
[0027]所述第一電容與所述采樣電阻的公共連接點(diǎn)與所述電流補(bǔ)償電路相連。
[0028]優(yōu)選的，還包括:
[0029]NPN型三極管和濾波電容；
[0030]所述第一電容與所述第一電阻的公共連接點(diǎn)與所述三極管的基極相連；
[0031]所述三極管的集電極與電源正極相連；
[0032]所述三極管的發(fā)射極通過(guò)發(fā)射極電阻與地相連；
[0033]所述濾波電容與所述發(fā)射極電阻并聯(lián)。
[0034]優(yōu)選的，還包括:
[0035]二極管，所述二極管串聯(lián)在整流橋輸出端和所述第一電容之間；所述二極管的陽(yáng)極連接整流橋輸出端，陰極連接第一電容；或，
[0036]所述二極管串聯(lián)在所述采樣電阻和所述第一電容之間；所述二極管的陽(yáng)極連接所述采樣電阻，陰極連接第一電容。
[0037]優(yōu)選的，所述反饋電路包括N型MOS管；
[0038]所述N型MOS管的柵極與所述比較器的輸出端相連；
[0039]所述N型MOS管的漏極與所述容性負(fù)載輸入端相連；
[0040]當(dāng)所述比較器用于將所述負(fù)載電壓和所述微分信號(hào)的和值與所述基準(zhǔn)信號(hào)進(jìn)行比較時(shí)，所述N型MOS管的源極與所述負(fù)載電流采樣電阻接地的一端相連；
[0041]當(dāng)所述比較器用于將所述微分信號(hào)與所述基準(zhǔn)信號(hào)的和值與所述負(fù)載電壓進(jìn)行比較時(shí)，所述N型MOS管的源極與所述負(fù)載電流采樣電阻接所述比較器第二輸入端的一端相連。
[0042]優(yōu)選的，所述的容性負(fù)載包括:LED驅(qū)動(dòng)器，與所述LED驅(qū)動(dòng)器輸入端并聯(lián)的濾波電容，與所述LED驅(qū)動(dòng)器輸出端并聯(lián)的LED光源。
[0043]優(yōu)選的，所述電流補(bǔ)償電路包括一集成電路和負(fù)載電流采樣電阻；
[0044]所述集成電路包括所述比較電路和所述反饋電路。
[0045]本實(shí)用新型提供了一種可控硅維持電流補(bǔ)償電路，由【背景技術(shù)】可知通態(tài)電流的變化率與維持電流的大小有關(guān)，加之通態(tài)電流即為回路電流，回路電流和整流橋后電壓的幅值變化趨勢(shì)一致，所以通態(tài)電流的變化率和整流橋后電壓的變化率均與維持電流成正比關(guān)系。本實(shí)用新型通過(guò)對(duì)通態(tài)電流或整流電路輸出的電壓進(jìn)行采樣并微分得到相應(yīng)的微分信號(hào)。
[0046]當(dāng)通態(tài)電流的變化率或整流電路的輸出電壓的變化率較大時(shí)，即微分信號(hào)較大時(shí)維持電流也較大，此時(shí)便依據(jù)微分信號(hào)產(chǎn)生一個(gè)相應(yīng)大的補(bǔ)償電流，當(dāng)通態(tài)電流的變化率或整流電路的輸出電壓的變化率較小時(shí)，即微分信號(hào)較小時(shí)維持電流也較小，在此時(shí)補(bǔ)償一個(gè)相應(yīng)小的補(bǔ)償電流，總之要使得負(fù)載電流和補(bǔ)償電流之和大于維持電流，從而避免可控娃關(guān)斷。
[0047]本實(shí)用新型相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)考慮了可控硅導(dǎo)通時(shí)的沖激和震蕩引起的維持電流變化的情況，并依據(jù)沖激和震蕩動(dòng)態(tài)調(diào)整補(bǔ)償電流的大小，而不是補(bǔ)償一個(gè)較大的補(bǔ)償電流，所以本電路在通態(tài)電流存在沖擊和震蕩時(shí)解決LED燈閃的問(wèn)題，并提高補(bǔ)償電路的使用效率。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0048]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0049]圖1為現(xiàn)有的可控硅調(diào)光電流補(bǔ)償電路結(jié)構(gòu)圖；
[0050]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例公開(kāi)的一通態(tài)電流的曲線示意圖；
[0051]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例公開(kāi)的一維持電流的曲線示意圖；
[0052]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例公開(kāi)的一種可控硅維持電流補(bǔ)償電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0053]圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例公開(kāi)的又一種可控硅維持電流補(bǔ)償電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0054]圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例公開(kāi)的一種可控硅維持電流補(bǔ)償電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0055]圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例公開(kāi)的又一種可控硅維持電流補(bǔ)償電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0056]圖8為本實(shí)用新型實(shí)施例公開(kāi)的經(jīng)過(guò)采樣微分電路處理后獲得的微分信號(hào)的曲線示意圖；
[0057]圖9為本實(shí)用新型實(shí)施例公開(kāi)的又一種可控硅維持電流補(bǔ)償電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0058]圖10為本實(shí)用新型實(shí)施例公開(kāi)的一種可控硅維持電流補(bǔ)償電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0059]圖11為本實(shí)用新型實(shí)施例公開(kāi)的又一種可控硅維持電流補(bǔ)償電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0060]圖12為本實(shí)用新型實(shí)施例公開(kāi)的又一種可控硅維持電流補(bǔ)償電路的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0061]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0062]如圖4所示，本實(shí)用新型提供了一種可控硅維持電流補(bǔ)償電路，該可控硅維持電流補(bǔ)償電路和容性負(fù)載相連，除包括交流電源600、可控硅調(diào)光器100、整流電路200之外還包括采樣微分電路700和電流補(bǔ)償電路800，所述容性負(fù)載包括DC/DC轉(zhuǎn)換電路和/或LED負(fù)載，為了清楚表示容性負(fù)載，說(shuō)明書(shū)中以標(biāo)號(hào)340進(jìn)行表示。圖8中示1為通態(tài)電流，Vl為整流電路200的輸出電壓，整流電路200的輸出電流為II，負(fù)載電流為II。
[0063]采樣微分電路700，用于對(duì)所述整流電路200的輸出信號(hào)進(jìn)行采樣并微分，獲得相應(yīng)的微分信號(hào)；
[0064]其中，需要說(shuō)明的是，當(dāng)該輸出信號(hào)為電流信號(hào)時(shí)，該采樣電路700需對(duì)該輸出電流進(jìn)行采樣后進(jìn)行微分處理，對(duì)電流信號(hào)進(jìn)行微分的幾何意義即為得到通態(tài)電流的變化率。
[0065]與所述采樣微分電路700和所述整流電路200的輸出端相連的電流補(bǔ)償電路800，用于獲取所述微分信號(hào)和所述容性負(fù)載340的負(fù)載電流，并依據(jù)所述微分信號(hào)和所述負(fù)載電流產(chǎn)生補(bǔ)償電流，使所述補(bǔ)償電流與所述負(fù)載電流之和大于可控硅的維持電流。
[0066]實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，維持電流的大小與通態(tài)電流的變化率有關(guān)，一般，變化率越大，維持電流越大。加之通態(tài)電流和整流橋后電壓的變化率趨勢(shì)一致，所以通態(tài)電流的變化率和整流橋后電壓的變化率均與維持電流正相關(guān)，在未進(jìn)行電流補(bǔ)償之前，通態(tài)電流=整流電路的輸出電流=負(fù)載電流，所以本實(shí)用新型將整流電路的輸出電流和負(fù)載電流作為未補(bǔ)償之前的通態(tài)電流，將整流電路的輸出電壓作為未補(bǔ)償之前的通態(tài)電壓。
[0067]本實(shí)用新型的主體思路為當(dāng)整流電路200的輸出電流變化率或輸出電壓變化率較大時(shí)，即維持電流較大時(shí)產(chǎn)生一個(gè)較大的補(bǔ)償電流，當(dāng)負(fù)載電流的變化率或整流電路的輸出電壓的變化率較小時(shí)，即維持電流較小時(shí)產(chǎn)生一個(gè)較小的補(bǔ)償電流，依據(jù)輸出電流的變化率或輸出電壓的變化率動(dòng)態(tài)調(diào)整補(bǔ)償電流的大小，使得負(fù)載電流和補(bǔ)償電流之和大于維持電流，從而避免可控硅關(guān)斷。
[0068]在具體實(shí)施時(shí)，通過(guò)采樣微分電路700對(duì)整流電路輸出電流或輸出電壓進(jìn)行采樣微分，對(duì)采樣后的電流信號(hào)進(jìn)行微分的幾何意義即為獲取信號(hào)變化率，得到的經(jīng)微分處理后的電流微分信號(hào)可作為輸出電流的變化率。
[0069]將微分信號(hào)發(fā)送至電流補(bǔ)償電路800，電流補(bǔ)償電路依據(jù)微分信號(hào)產(chǎn)生一個(gè)與微分信號(hào)成正比的補(bǔ)償電流，即微分信號(hào)越大補(bǔ)償電流越大，由此動(dòng)態(tài)調(diào)整補(bǔ)償電流的大小。
[0070]本實(shí)用新型相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)考慮了可控硅導(dǎo)通時(shí)的沖激和震蕩引起的維持電流變化的情況，并依據(jù)沖激和震蕩動(dòng)態(tài)調(diào)整補(bǔ)償電流的大小進(jìn)行補(bǔ)償電流，而不是固定補(bǔ)償一個(gè)很大的補(bǔ)償電流，本實(shí)用新型要使得負(fù)載電流和補(bǔ)償電流之和大于維持電流，從而避免可控硅關(guān)斷。并且提供的補(bǔ)償電流是根據(jù)沖激和震蕩實(shí)時(shí)變化的。所以本電路不僅解決了在通態(tài)電流存在沖擊和震蕩時(shí)LED燈閃的問(wèn)題，并提高補(bǔ)償電路的使用效率。
[0071]由于本實(shí)用新型中既可以使用整流電路的輸出電壓的變化率，又可以使用輸出電流的變化率，所以本實(shí)用新型中所述采樣微分電路700包括:電壓采樣微分電路701或電流采樣微分電路702 ；
[0072]其中電壓采樣微分電路701，用于對(duì)所述整流電路200的輸出電壓進(jìn)行采樣，并對(duì)所述輸出電壓進(jìn)行微分獲得電壓微分信號(hào)；電流采樣微分電路702，用于對(duì)所述整流電路200的輸出電流進(jìn)行采樣，并對(duì)所述輸出電流進(jìn)行微分處理后獲得的電流微分信號(hào)。
[0073]下面介紹所述電流補(bǔ)償電路800，如圖5所示，包括:
[0074]比較電路，反饋電路802和負(fù)載電流采樣電阻R3;其中，所述比較電路包括比較器801。
[0075]所述微分信號(hào)作用在采樣端，即所述比較器801的第一輸入端經(jīng)第五電阻R5與所述采樣微分電路700相連，用于接收所述微分信號(hào)，所述第一輸入端經(jīng)第四電阻R4與所述負(fù)載電流采樣電阻R3相連，用于接收負(fù)載電流轉(zhuǎn)換后的負(fù)載電壓，所述比較器801的第二輸入端與基準(zhǔn)信號(hào)相連，所述微分信號(hào)經(jīng)過(guò)第五電阻R5與經(jīng)所述第四電阻R4的所述負(fù)載電流采樣電阻R3共同作用在所述比較器的第一輸入端，所述第一輸入端為所述比較器的采樣端；所述比較器801用于將所述負(fù)載電壓和所述微分信號(hào)和值與基準(zhǔn)信號(hào)值進(jìn)行比較，并輸出比較結(jié)果；
[0076]所述反饋電路802的一個(gè)輸入端與所述比較器801的輸出端相連，所述反饋電路801的輸出端經(jīng)所述負(fù)載電流采樣電阻R3和所述第四電阻R4與所述比較器801的第一輸入端相連，所述反饋電路802的輸出端接地。所述反饋電路802依據(jù)接收到的所述比較結(jié)果輸出補(bǔ)償電流，并將所述補(bǔ)償電流與所述負(fù)載電流的和值轉(zhuǎn)換為所述負(fù)載電壓，輸入至所述比較器801的第一輸入端，
[0077]同樣，所述微分信號(hào)也可以作用在基準(zhǔn)端，使得新的基準(zhǔn)信號(hào)=設(shè)置的基準(zhǔn)信號(hào)+微分信號(hào)，再與負(fù)載電流微分信號(hào)進(jìn)行計(jì)較。當(dāng)負(fù)載電流微分信號(hào)小于新的基準(zhǔn)信號(hào)時(shí)，則進(jìn)行更多的補(bǔ)償。具體如圖6所示:
[0078]該電流補(bǔ)償電路800包括:比較電路、反饋電路802和負(fù)載電流采樣電阻R3，所述比較電路包括比較器801 ；
[0079]所述比較器801的第一輸入端經(jīng)第六電阻R6與所述采樣微分單元相連，用于接收所述微分信號(hào)，所述微分信號(hào)作用在基準(zhǔn)端，即所述微分信號(hào)經(jīng)過(guò)第六電阻R6與所述基準(zhǔn)信號(hào)共同作用在所述比較器801的第一輸入端，所述第一輸入端為所述比較器801的基準(zhǔn)端；所述比較器801第二輸入端與所述負(fù)載電流采樣電阻R3的一端相連，用于接收所述負(fù)載電流轉(zhuǎn)換后的負(fù)載電壓，所述比較器801用于將所述微分信號(hào)與所述基準(zhǔn)信號(hào)的和值與所述負(fù)載電壓進(jìn)行比較，并輸出比較結(jié)果，所述負(fù)載電流采樣電阻R3的另一端接地；
[0080]所述反饋電路802的一個(gè)輸入端與比較電路的輸出端相連，即與所述比較器801的輸出端相連，所述反饋電路802輸出端與所述比較器801的第一輸入端相連，所述反饋電路802的另一個(gè)輸入端與容性負(fù)載的輸入端相連。所述反饋電路802用于接收所述比較結(jié)果，依據(jù)比較結(jié)果輸出補(bǔ)償電流，并將所述補(bǔ)償電流與所述負(fù)載電流的和值轉(zhuǎn)換為所述負(fù)載電壓，輸入至比較器801的第一輸入端。
[0081]綜上，為了實(shí)現(xiàn)比較的功能，需要使用比較電路，利用負(fù)載電流采樣電阻將負(fù)載電流轉(zhuǎn)換為負(fù)載電壓，將采樣電壓和負(fù)載電壓的和值比較單元的一個(gè)輸入端。為了實(shí)現(xiàn)電壓比較的功能將比較單元的另一個(gè)輸入端與基準(zhǔn)信號(hào)相連，將基準(zhǔn)信號(hào)作為參考電壓。
[0082]反饋電路包括MOS管，當(dāng)負(fù)載電壓和微分電壓的和值小于參考電壓時(shí)，比較電路輸出一個(gè)電壓，該電壓能夠使MOS管工作在線性區(qū)，根據(jù)所述和值和參考電壓的差值動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)mos線性電阻，改變補(bǔ)償電流，對(duì)負(fù)載電流進(jìn)行補(bǔ)償，即將負(fù)載電流與補(bǔ)償電流進(jìn)行求和，獲得補(bǔ)償后的負(fù)載電流。
[0083]然后反饋電路802將補(bǔ)償后的負(fù)載電流與此時(shí)微分電壓的和值再次輸入至比較器801的第一輸入端，與參考電壓進(jìn)行對(duì)比，如果第一輸入端的輸入電壓還是小于參考電壓則繼續(xù)對(duì)負(fù)載電流進(jìn)行補(bǔ)償，如果第一輸入端的輸入電壓大于參考電壓則停止對(duì)負(fù)載電流進(jìn)行補(bǔ)償。
[0084]本實(shí)用新型還要解決過(guò)零點(diǎn)的閃爍問(wèn)題，所以本實(shí)用新型還包括:
[0085]與所述容性負(fù)載340相連的電流補(bǔ)償電路，用于接收所述負(fù)載電流，在所述負(fù)載電流小于可控硅調(diào)光器的維持電流時(shí)，對(duì)所述負(fù)載電流進(jìn)行補(bǔ)償，使所述負(fù)載電流與所述補(bǔ)償電流的和值大于可控硅調(diào)光器的維持電流。
[0086]電流補(bǔ)償電路，作用為如圖3所示的t2?T的部分，對(duì)負(fù)載電流進(jìn)行補(bǔ)償，用于避免可控硅關(guān)斷。
[0087]下面具體介紹具體的電路結(jié)構(gòu)圖，如圖7所示，所述電壓采樣微分電路701包括:
[0088]與所述整流電路200輸出端相連的第一電容Cl ；
[0089]與所述第一電容Cl相連的第一電阻R1，所述第一電阻Rl的另一端接地；
[0090]與所述第一電阻Rl并聯(lián)的第二電容C2 ；
[0091]所述第一電容Cl與所述第一電阻Rl的公共連接點(diǎn)與所述電流補(bǔ)償電路800相連。參見(jiàn)圖8:當(dāng)整流橋后輸出電壓存在過(guò)沖時(shí)，輸出電流1也會(huì)出現(xiàn)過(guò)沖，經(jīng)過(guò)采樣微分電路處理，可以獲得圖8所示微分信號(hào)。
[0092]如圖9所示,所述電流采樣微分電路702包括:
[0093]一端與所述容性負(fù)載340相連，另一端接地的采樣電阻Rs ；
[0094]與所述采樣電阻Rs接所述容性負(fù)載304的一端相連的第一電容Cl，所述第一電容Cl另一端接地；即所述采樣電阻Rs與所述第一電容Cl并聯(lián)；
[0095]所述第一電容Cl與所述采樣電阻Rs的公共連接點(diǎn)與所述電流補(bǔ)償電路800相連。
[0096]優(yōu)選的，如圖10或圖11所示，電壓采樣微分電路701和電流采樣微分電路702還包括:
[0097]NPN型三極管Q和濾波電容C3 ；
[0098]所述第一電容Cl與所述第一電阻Rl的公共連接點(diǎn)與所述三極管Q的基極相連；
[0099]所述三極管的集電極與電源正極VCC相連；
[0100]所述三極管的發(fā)射極通過(guò)發(fā)射極電阻R2與地相連；
[0101]所述濾波電容C3與所述發(fā)射極電阻R2并聯(lián)。
[0102]優(yōu)選的，基于圖10所示，在整流電路200輸出端與第一電容Cl之間還可以串聯(lián)一個(gè)二極管(圖中未標(biāo)出)，該二極管的陽(yáng)極連接所述整流電路200的輸出端，陰極連接所述第一電容Cl。
[0103]基于圖11所述，二極管在串在Rs和Cl之間，該二極管的陽(yáng)極連接Rs，陰極連接Cl。
[0104]優(yōu)選的，如圖12所示，所述電流補(bǔ)償電路800包括:
[0105]比較電路，反饋電路和負(fù)載電流采樣電阻R3，所述比較電路包括比較器M，第四電阻R4和第五電阻R5，所述反饋電路包括N型MOS管；
[0106]所述比較器M的同相輸入端“ + ”經(jīng)第四電阻R4與負(fù)載電流采樣電阻R3相連，同相輸入端“ + ”經(jīng)第五電阻R5與采樣微分電路700相連，反相輸入端基準(zhǔn)信號(hào)Vref相連，所述比較器M的輸出端與所述N型MOS管的柵極G相連；
[0107]所述N型MOS管的漏極D與所述整流電路200的輸出端相連，所述N型MOS管的源極S與所述負(fù)載電流采樣電阻R3接地的一端相連，所述負(fù)載電流采樣電阻R3 —端接地，一端與所述第四電阻R4相連。
[0108]綜上可知，本實(shí)用新型提供了一種可控硅維持電流補(bǔ)償電路，通態(tài)電流的變化率一定程度上決定維持電流的大小，加之通態(tài)電流和整流電路的輸出電壓的幅值變化趨勢(shì)一致，所以通態(tài)電流的變化率和整流電路的輸出電壓的變化率均與維持電流正相關(guān)。本實(shí)用新型通過(guò)對(duì)通態(tài)電流或整流電路的輸出電壓進(jìn)行采樣并微分得到微分信號(hào)，對(duì)信號(hào)進(jìn)行微分的幾何意義即為通態(tài)電流的變化率或整流電路的輸出電壓的變化率。
[0109]當(dāng)通態(tài)電流的變化率或整流電路的輸出電壓的變化率較大時(shí)，即微分信號(hào)較大時(shí)維持電流也較大，此時(shí)便依據(jù)微分信號(hào)產(chǎn)生一個(gè)相應(yīng)大的補(bǔ)償電流，當(dāng)通態(tài)電流的變化率或整流電路的輸出電壓的變化率較小時(shí)，即微分信號(hào)較小時(shí)維持電流也較小，在此時(shí)補(bǔ)償一個(gè)相應(yīng)小的補(bǔ)償電流，總之要使得負(fù)載電流和補(bǔ)償電流之和大于維持電流，從而避免可控娃關(guān)斷。
[0110]本實(shí)用新型相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)考慮了可控硅導(dǎo)通時(shí)的沖激和震蕩引起的維持電流變化的情況，并依據(jù)沖激和震蕩動(dòng)態(tài)調(diào)整補(bǔ)償電流的大小，而不是補(bǔ)償一個(gè)較大的補(bǔ)償電流，所以本電路在通態(tài)電流存在沖擊和震蕩時(shí)解決LED燈閃的問(wèn)題，并提高補(bǔ)償電路的使用效率。
[0111]本說(shuō)明書(shū)中各個(gè)實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說(shuō)明的都是與其它實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同或相似部分互相參見(jiàn)即可。
[0112]對(duì)所公開(kāi)的實(shí)施例的上述說(shuō)明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本實(shí)用新型。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實(shí)用新型的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本實(shí)用新型將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開(kāi)的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種可控硅維持電流補(bǔ)償電路，包括交流電源、可控硅調(diào)光器，與容性負(fù)載相連的整流電路，其特征在于，還包括: 對(duì)所述整流電路的輸出電壓或電流進(jìn)行采樣并微分，并將得到的微分信號(hào)輸出至電流補(bǔ)償電路的采樣微分電路； 與采樣微分電路相連，根據(jù)所述微分信號(hào)和流過(guò)所述容性負(fù)載的電流以及一個(gè)基準(zhǔn)信號(hào)產(chǎn)生補(bǔ)償電流的所述電流補(bǔ)償電路。
2.如權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述采樣微分電路包括: 對(duì)所述整流電路的輸出電壓進(jìn)行采樣，并對(duì)所述輸出電壓進(jìn)行微分獲得電壓微分信號(hào)的電壓米樣微分電路；或， 對(duì)所述整流電路的輸出電流進(jìn)行采樣，并對(duì)所述輸出電流進(jìn)行微分獲得電流微分信號(hào)的電流采樣微分電路。
3.如權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述電流補(bǔ)償電路包括: 比較電路、反饋電路和負(fù)載電流采樣電阻，所述比較電路包括比較器； 所述比較器的第一輸入端經(jīng)第五電阻與所述采樣微分電路相連接收所述微分信號(hào)，所述第一輸入端經(jīng)第四電阻與所述負(fù)載電流采樣電阻相連接收負(fù)載電流轉(zhuǎn)換后的負(fù)載電壓，所述比較器的第二輸入端與所述基準(zhǔn)信號(hào)相連，所述微分信號(hào)經(jīng)過(guò)第五電阻與經(jīng)所述第四電阻的所述負(fù)載電流采樣電阻共同作用在所述比較電路的第一輸入端，所述第一輸入端為所述比較電路的采樣端；所述比較器將所述負(fù)載電壓和所述微分信號(hào)的和值與所述基準(zhǔn)信號(hào)進(jìn)行比較，并輸出比較結(jié)果； 所述反饋電路的一個(gè)輸入端與所述比較器的輸出端相連，所述反饋電路的輸出端經(jīng)所述負(fù)載電流采樣電阻和所述第四電阻與所述比較器的第一輸入端相連，所述反饋電路的輸出端接地，所述反饋電路的另一個(gè)輸入端與容性負(fù)載的輸入端相連，所述反饋電路依據(jù)接收到的所述比較結(jié)果輸出補(bǔ)償電流，并將所述補(bǔ)償電流與所述負(fù)載電流的和值轉(zhuǎn)換為所述負(fù)載電壓，輸入至所述比較器的第一輸入端。
4.如權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述電流補(bǔ)償電路包括: 比較電路、反饋電路和負(fù)載電流采樣電阻，所述比較電路包括比較器； 所述比較器的第一輸入端經(jīng)第六電阻與所述采樣微分電路相連接收所述微分信號(hào)，所述微分信號(hào)經(jīng)過(guò)第六電阻與所述基準(zhǔn)信號(hào)共同作用在所述比較器的第一輸入端，所述第一輸入端為所述比較器的基準(zhǔn)端；所述比較器第二輸入端與所述負(fù)載電流采樣電阻的一端相連，用于接收所述負(fù)載電流轉(zhuǎn)換后的負(fù)載電壓，所述比較器將所述微分信號(hào)與基準(zhǔn)信號(hào)的和值與所述負(fù)載電壓進(jìn)行比較，并輸出比較結(jié)果，所述負(fù)載電流采樣電阻的另一端接地；所述反饋電路的一個(gè)輸入端與所述比較器的輸出端相連，所述反饋電路輸出端與所述比較器的第一輸入端相連，所述反饋電路的另一個(gè)輸入端與容性負(fù)載的輸入端相連；所述反饋電路依據(jù)接收到的所述比較結(jié)果輸出補(bǔ)償電流，并將所述補(bǔ)償電流與所述負(fù)載電流的和值轉(zhuǎn)換為所述負(fù)載電壓，輸入至比較器的第二輸入端。
5.如權(quán)利要求2所述的電路，其特征在于，所述電壓采樣微分電路包括: 與所述整流電路輸出端相連的第一電容； 與所述第一電容相連的第一電阻，與所述第一電阻并聯(lián)的第二電容，所述第一電阻的另一端接地； 所述第一電容與所述第一電阻的公共連接點(diǎn)與所述電流補(bǔ)償電路相連。
6.如權(quán)利要求2所述的電路，其特征在于，所述電流采樣微分電路包括: 串聯(lián)于地與所述容性負(fù)載之間的采樣電阻； 與所述采樣電阻并聯(lián)的第一電容； 所述第一電容與所述采樣電阻的公共連接點(diǎn)與所述電流補(bǔ)償電路相連。
7.如權(quán)利要求5或6所述的電路，其特征在于，還包括: NPN型三極管和濾波電容； 所述第一電容與所述第一電阻的公共連接點(diǎn)與所述三極管的基極相連； 所述三極管的集電極與電源正極相連； 所述三極管的發(fā)射極通過(guò)發(fā)射極電阻與地相連； 所述濾波電容與所述發(fā)射極電阻并聯(lián)。
8.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的電路，其特征在于，還包括: 二極管，所述二極管串聯(lián)在整流橋輸出端和所述第一電容之間；所述二極管的陽(yáng)極連接整流橋輸出端，陰極連接第一電容；或， 所述二極管串聯(lián)在所述采樣電阻和所述第一電容之間；所述二極管的陽(yáng)極連接所述采樣電阻，陰極連接第一電容。
9.如權(quán)利要求3或4所述的電路，其特征在于，所述反饋電路包括N型MOS管； 所述N型MOS管的柵極與所述比較器的輸出端相連； 所述N型MOS管的漏極與所述容性負(fù)載輸入端相連； 當(dāng)所述比較器用于將所述負(fù)載電壓和所述微分信號(hào)的和值與所述基準(zhǔn)信號(hào)進(jìn)行比較時(shí)，所述N型MOS管的源極與所述負(fù)載電流采樣電阻接地的一端相連； 當(dāng)所述比較器用于將所述微分信號(hào)與所述基準(zhǔn)信號(hào)的和值與所述負(fù)載電壓進(jìn)行比較時(shí)，所述N型MOS管的源極與所述負(fù)載電流采樣電阻接所述比較器第二輸入端的一端相連。
10.如權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述的容性負(fù)載包括:LED驅(qū)動(dòng)器，與所述LED驅(qū)動(dòng)器輸入端并聯(lián)的濾波電容，與所述LED驅(qū)動(dòng)器輸出端并聯(lián)的LED光源。
11.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的電路，其特征在于，所述電流補(bǔ)償電路包括一集成電路和負(fù)載電流采樣電阻； 所述集成電路包括所述比較電路和所述反饋電路。
【文檔編號(hào)】H05B37/02GK204190978SQ201420541550
【公開(kāi)日】2015年3月4日 申請(qǐng)日期:2014年9月19日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月19日
【發(fā)明者】羅世偉, 李鎮(zhèn)福 申請(qǐng)人:英飛特電子（杭州）股份有限公司