移動(dòng)設(shè)備散熱結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種移動(dòng)設(shè)備散熱結(jié)構(gòu)，包括：一承載體，具有一第一容置空間，該第一容置空間具有一吸熱部及一散熱部，該散熱部相鄰該吸熱部，并該散熱部形成有一散熱層，通過(guò)該吸熱部可令承載體快速吸附所承載的電子組件所產(chǎn)生的熱量，并傳遞給該散熱部的散熱層快速擴(kuò)散散熱，進(jìn)而達(dá)到快速散熱。
【專利說(shuō)明】移動(dòng)設(shè)備散熱結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種移動(dòng)設(shè)備散熱結(jié)構(gòu)，尤指一種可提升移動(dòng)設(shè)備的散熱結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有移動(dòng)裝置(如薄型筆電、平板、智慧手機(jī)等)隨著運(yùn)算速率越快，其內(nèi)部計(jì)算執(zhí)行單元所產(chǎn)生的熱量也相對(duì)大幅提升，且其又為了具有能攜帶方便的前提考量下，該等裝置是越作越薄化；此外所述移動(dòng)裝置為能防止異物及水氣進(jìn)入內(nèi)部，該等移動(dòng)裝置除耳機(jī)孔或連接器的設(shè)置孔外，甚少具有呈開(kāi)放的孔口與外界空氣形成對(duì)流，故因薄化的先天因素下，該等移動(dòng)裝置內(nèi)部因計(jì)算執(zhí)行單元及電池所產(chǎn)生之熱量無(wú)法向外界快速排出，且又因?yàn)橐苿?dòng)裝置之內(nèi)部呈密閉空間，故甚難產(chǎn)生對(duì)流散熱，進(jìn)而易于移動(dòng)裝置內(nèi)部產(chǎn)生積熱或聚熱等情事，嚴(yán)重影響移動(dòng)裝置之工作效率或熱當(dāng)?shù)葐?wèn)題。
[0003]再，由于有上述問(wèn)題也有欲于該等移動(dòng)裝置內(nèi)部設(shè)置被動(dòng)式散熱元件諸如熱板、均溫板、散熱器等被動(dòng)散熱元件進(jìn)行解熱，但仍由于移動(dòng)裝置薄化的原因致使裝置內(nèi)部空間受限，也此所設(shè)置之散熱元件勢(shì)必縮減至超薄之尺寸厚度，方可設(shè)置于有限的內(nèi)部空間中，但隨著尺寸受限縮減的熱板、均溫板內(nèi)部的毛細(xì)結(jié)構(gòu)及蒸汽通道因?yàn)樵O(shè)置成超薄則因上述的要求受限縮減，令該等熱板、均溫板在整體熱傳導(dǎo)之工作效率上大打折扣，無(wú)法有效達(dá)到提升散熱效能；因此當(dāng)移動(dòng)裝置的內(nèi)部計(jì)算單元功率過(guò)高時(shí)，現(xiàn)有技術(shù)熱板、均溫板均無(wú)法有效的因應(yīng)對(duì)其進(jìn)行解熱或散熱，故如何在狹窄的密閉空間內(nèi)設(shè)置有效的解熱元件。
[0004]又，因移動(dòng)設(shè)備內(nèi)部第一容置空間狹窄且內(nèi)部電子元件緊密堆棧設(shè)置不易將電子元件所產(chǎn)生的熱量傳遞至外部散熱，容易積熱于手持式裝置的內(nèi)部第一容置空間中，則如何進(jìn)行解熱即為該項(xiàng)業(yè)目前首重的待改良的技術(shù)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]因此，為有效解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的主要目的在于提供一種移動(dòng)設(shè)備散熱結(jié)構(gòu)，包括:一承載體，具有一第一容置空間，該第一容置空間具有一吸熱部及一散熱部，該散熱部相鄰該吸熱部，并該散熱部形成有一散熱層，其中散熱層通過(guò)微弧氧化(Micro ArcOxidat1n, MAO)或電衆(zhòng)電解氧化(Plasma Electrolytic Oxidat1n, ΡΕ0)、陽(yáng)極火花沉積(Anodic Spark Deposit1n, ASD),火花沉積陽(yáng)極氧化(Anodic Oxidat1n by SparkDeposit1n, AN0F)其中任一形成于該散熱部。
[0006]優(yōu)選的是，所述承載體為金屬或非金屬其中任一。
[0007]優(yōu)選的是，所述承載體為一不銹鋼板體。
[0008]優(yōu)選的是，所述散熱層為一陶瓷材質(zhì)或石墨材質(zhì)其中任一。
[0009]優(yōu)選的是，所述吸熱部為一導(dǎo)熱良導(dǎo)體，該承載體對(duì)應(yīng)該導(dǎo)熱部處設(shè)有一凹槽，所述導(dǎo)熱部嵌設(shè)于該凹槽內(nèi)，該散熱部對(duì)應(yīng)設(shè)置于該凹槽的另一側(cè)，并該散熱部形成有前述散熱層。
[0010]優(yōu)選的是，所述吸熱部為一導(dǎo)熱良導(dǎo)體，該承載體設(shè)置該吸熱部處對(duì)應(yīng)設(shè)有一凹孔，并該凹孔貫穿該承載體，所述吸熱部嵌設(shè)于前述承載體上，該吸熱部對(duì)應(yīng)的另一側(cè)的散熱部形成有前述散熱層，該導(dǎo)熱良導(dǎo)體為銅、鋁、等金屬其中任一，并該吸熱部及該散熱層兩者分別切齊所述承載體兩側(cè)平面。
[0011]優(yōu)選的是，所述吸熱部及該散熱部為一導(dǎo)熱良導(dǎo)體，該承載體設(shè)置該吸熱部處對(duì)應(yīng)設(shè)有一凹孔，并該凹孔貫穿該承載體，所述吸熱部嵌設(shè)于前述承載體上，該吸熱部對(duì)應(yīng)之另一側(cè)之散熱部形成有前述散熱層，該導(dǎo)熱良導(dǎo)體為銅、鋁、等金屬其中任一，并該吸熱部及該散熱層兩者切齊所述承載體兩側(cè)平面。
[0012]優(yōu)選的是，所述散熱層為一種多孔結(jié)構(gòu)或奈米結(jié)構(gòu)體其中任一。
[0013]優(yōu)選的是，所述散熱層呈黑色或亞黑色或深色的顏色其中任一。
[0014]優(yōu)選的是，所述散熱層為一種高輻射陶瓷結(jié)構(gòu)或高硬度陶瓷結(jié)構(gòu)其中任一。
[0015]優(yōu)選的是，所述吸熱部及散熱部通過(guò)膠合接合或無(wú)介質(zhì)擴(kuò)散接合其中任一方式相互貼合。
[0016]本發(fā)明通過(guò)吸熱部快速吸收容置于該承載體的第一容置空間內(nèi)的電子元件所產(chǎn)生的熱量，迅速傳遞至散熱部的散熱層將熱量快速被導(dǎo)出進(jìn)行散熱，進(jìn)而提升整體散熱效率。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1為本發(fā)明移動(dòng)設(shè)備散熱結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例立體分解圖；
[0018]圖2為本發(fā)明移動(dòng)設(shè)備散熱結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例組合剖視圖；
[0019]圖3為本發(fā)明移動(dòng)設(shè)備散熱結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例分解剖視圖；
[0020]圖4為本發(fā)明移動(dòng)設(shè)備散熱結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例組合剖視圖；
[0021]圖5為本發(fā)明移動(dòng)設(shè)備散熱結(jié)構(gòu)的第三實(shí)施例分解剖視圖；
[0022]圖6為本發(fā)明移動(dòng)設(shè)備散熱結(jié)構(gòu)的第三實(shí)施例組合剖視圖；
[0023]圖7為本發(fā)明移動(dòng)設(shè)備散熱結(jié)構(gòu)的第四實(shí)施例分解剖視圖；
[0024]圖8為本發(fā)明移動(dòng)設(shè)備散熱結(jié)構(gòu)的第四實(shí)施例組合剖視圖；
[0025]圖9為本發(fā)明移動(dòng)設(shè)備散熱結(jié)構(gòu)的第五實(shí)施例分解剖視圖；
[0026]圖10為本發(fā)明移動(dòng)設(shè)備散熱結(jié)構(gòu)的第六實(shí)施例組合剖視圖。
[0027]符號(hào)說(shuō)明
[0028]承載體I
[0029]第一容置空間11
[0030]凹槽111
[0031]凹孔112
[0032]吸熱部12
[0033]散熱部13
[0034]散熱層14

【具體實(shí)施方式】
[0035]下面結(jié)合附圖目的及其結(jié)構(gòu)與功能上的特性，將依據(jù)所附圖式的較佳實(shí)施例予以說(shuō)明。
[0036]請(qǐng)參閱圖1、2，為本發(fā)明移動(dòng)設(shè)備散熱結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例立體圖及剖視圖，如圖所示，所述移動(dòng)設(shè)備散熱結(jié)構(gòu)，包括一承載體I ;
[0037]所述承載體I具有一第一容置空間11，該第一容置空間11具有一吸熱部12及一散熱部13，該散熱部13相鄰該吸熱部12，并該散熱部13形成有一散熱層14。
[0038]本實(shí)施例的所述散熱部13與該吸熱部12設(shè)置于該第一容置空間13內(nèi)，并設(shè)置于同一側(cè)，并該散熱部13設(shè)置于該吸熱部12以外的部分。
[0039]所述承載體I為金屬或非金屬其中任一，本實(shí)施例以金屬作為說(shuō)明但并不引以為限，并該金屬為不銹鋼板體。
[0040]該散熱層14通過(guò)微弧氧化(Micro Arc Oxidat1n,MAO)或電衆(zhòng)電解氧化(PlasmaElectrolytic Oxidat1n, ΡΕ0)、陽(yáng)極火花沉積(Anodic Spark Deposit1n, ASD),火花沉積陽(yáng)極氧化(Anodic Oxidat1n by Spark Deposit1n, AN0F)其中任一形成于該散熱部13，并所述散熱層14為一陶瓷材質(zhì)或石墨材質(zhì)或銅材質(zhì)或鋁材質(zhì)或其他導(dǎo)熱效率佳之材質(zhì)其中任一。
[0041]請(qǐng)參閱圖3、4，為本發(fā)明移動(dòng)設(shè)備散熱結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例分解及組合剖視圖，如圖所示，本實(shí)施例部分結(jié)構(gòu)與前述第一實(shí)施例相同，故在此將不再贅述，惟本實(shí)施例與前述第一實(shí)施例之差異在于所述散熱部13相對(duì)應(yīng)設(shè)置于該吸熱部12相反之另一側(cè)，即散熱部13與吸熱部12分別設(shè)置于該承載體I之兩側(cè)。
[0042]請(qǐng)參閱圖5、6，為本發(fā)明移動(dòng)設(shè)備散熱結(jié)構(gòu)的第三實(shí)施例分解及組合剖視圖，如圖所示，本實(shí)施例部分結(jié)構(gòu)與前述第一實(shí)施例相同，故在此將不再贅述，惟本實(shí)施例與前述第一實(shí)施例的差異在于所述吸熱部12為一導(dǎo)熱良導(dǎo)體，嵌設(shè)于前述承載體I上，該吸熱部12對(duì)應(yīng)嵌設(shè)于該承載體I處具有一凹槽111，所述吸熱部12嵌設(shè)于該凹槽111內(nèi)，該散熱部13對(duì)應(yīng)設(shè)置于該凹槽12的另一側(cè)，該散熱部13形成有前述散熱層14。
[0043]請(qǐng)參閱圖7、8，為本發(fā)明移動(dòng)設(shè)備散熱結(jié)構(gòu)的第四實(shí)施例分解及組合剖視圖，如圖所示，本實(shí)施例部分結(jié)構(gòu)技術(shù)特征與前述第一實(shí)施例相同，故在此將不再贅述，惟本實(shí)施例與前述第一實(shí)施例的不同處在于所述移動(dòng)設(shè)備散熱結(jié)構(gòu)的所述吸熱部12為一導(dǎo)熱良導(dǎo)體，并該承載體I設(shè)置該吸熱部12的處具有一貫穿該承載體I的凹孔112，并該吸熱部12嵌設(shè)于該凹孔112中，該吸熱部12對(duì)應(yīng)之另一側(cè)的散熱部13形成有前述散熱層14，該導(dǎo)熱良導(dǎo)體為銅、鋁、等金屬其中任一，并該吸熱部12及該散熱層14兩分別切齊所述承載體I兩側(cè)平面。
[0044]請(qǐng)參閱圖9、10，為本發(fā)明移動(dòng)設(shè)備散熱結(jié)構(gòu)的第五實(shí)施例分解及組合剖視圖，如圖所示，本實(shí)施例部分結(jié)構(gòu)技術(shù)特征與前述第一實(shí)施例相同，故在此將不再贅述，惟本實(shí)施例與前述第三實(shí)施例的不同處在于所述吸熱部12及該散熱部13為一導(dǎo)熱良導(dǎo)體，并該承載體I設(shè)置有該吸熱部12之處具有一凹孔112，并該凹孔112貫穿該承載體1，另該吸熱部12嵌設(shè)于前述承載體I之凹孔112內(nèi)，該吸熱部12對(duì)應(yīng)的另一側(cè)之散熱部13形成有前述散熱層14，該導(dǎo)熱良導(dǎo)體為銅、鋁、等金屬其中任一，本實(shí)施例的吸熱部12為銅材質(zhì)，該散熱部13為鋁材質(zhì)，所述吸熱部12及散熱部13通過(guò)膠合接合或無(wú)介質(zhì)擴(kuò)散接合其中任一方式相互貼合，并該吸熱部12及該散熱層14兩分別切齊所述承載體I兩側(cè)平面。
[0045]前述第一至五實(shí)施例中所述散熱層14為一種多孔結(jié)構(gòu)或奈米結(jié)構(gòu)體其中任一，或所述散熱層14呈黑色或亞黑色或深色之顏色其中任一。
[0046]又或，所述散熱層14為一種高輻射陶瓷結(jié)構(gòu)或高硬度陶瓷結(jié)構(gòu)其中任一。
[0047]本發(fā)明的移動(dòng)設(shè)備散熱結(jié)構(gòu)主要欲解決移動(dòng)設(shè)備的積熱或聚熱問(wèn)題，改善現(xiàn)有技術(shù)移動(dòng)設(shè)備內(nèi)部封閉空間無(wú)法確實(shí)有效解熱的缺失。
[0048]本發(fā)明通過(guò)以部分貼設(shè)或局部設(shè)置導(dǎo)熱良導(dǎo)體于吸熱部12，借以提升承載體I的吸熱效率，于散熱部13設(shè)置黑色的輻射散熱層14增加其散熱接觸面積提升熱輻射散熱效率。
[0049]本發(fā)明應(yīng)用熱的熱輻射傳導(dǎo)作為散熱的應(yīng)用，而熱傳導(dǎo)和對(duì)流作用，都必須靠物質(zhì)作為媒介，才能傳播熱能。熱輻射則不需要介質(zhì)，即能直接傳播熱能，故在密閉空間中得以在僅存的微小空間中將熱量傳遞至移動(dòng)裝置的殼體，再通過(guò)殼體與外界作熱交換。
[0050]熱輻射就是物質(zhì)以電磁波的形式來(lái)傳播，但電磁波以光速傳播，需要介質(zhì)傳播，物體會(huì)持續(xù)產(chǎn)生熱輻射，同時(shí)也吸收外界給予的熱輻射。物體發(fā)出熱的能力，與其表面溫度、顏色與粗糙程度有關(guān)，故本發(fā)明所設(shè)置的輻射散熱層則以相關(guān)應(yīng)用原理設(shè)置一可提升表面散熱面積及散熱效率的自然散熱的輻射散熱層，物體表面的熱輻射強(qiáng)度，除了與溫度有關(guān)之外，也和其表面的特性有關(guān)，例如黑色表面的物體容易吸收，也容易發(fā)出熱輻射，故本發(fā)明輻射散熱層設(shè)置為黑色或令其表面為黑色更可進(jìn)一步提升其熱輻射效率。
[0051]另，當(dāng)承載體I選用結(jié)構(gòu)較薄之板體時(shí)，該吸熱部可更進(jìn)一步提升該承載體I的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。
[0052]雖然本發(fā)明以實(shí)施方式揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求書(shū)所定為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種移動(dòng)設(shè)備散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 一承載體，具有一第一容置空間，該第一容置空間具有一吸熱部及一散熱部，該散熱部相鄰該吸熱部，并該散熱部形成有一散熱層，其中散熱層通過(guò)微弧氧化或電漿電解氧化、陽(yáng)極火花沉積，火花沉積陽(yáng)極氧化其中任一形成于該散熱部。
2.如權(quán)利要求1所述的移動(dòng)設(shè)備散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述承載體為金屬或非金屬其中任一。
3.如權(quán)利要求1所述的移動(dòng)設(shè)備散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述承載體為一不銹鋼板體。
4.如權(quán)利要求1所述的移動(dòng)設(shè)備散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述散熱層為一陶瓷材質(zhì)或石墨材質(zhì)其中任一。
5.如權(quán)利要求1所述的移動(dòng)設(shè)備散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述吸熱部為一導(dǎo)熱良導(dǎo)體，該承載體對(duì)應(yīng)該導(dǎo)熱部處設(shè)有一凹槽，所述導(dǎo)熱部嵌設(shè)于該凹槽內(nèi)，該散熱部對(duì)應(yīng)設(shè)置于該凹槽的另一側(cè)，并該散熱部形成有前述散熱層。
6.如權(quán)利要求1所述的移動(dòng)設(shè)備散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述吸熱部為一導(dǎo)熱良導(dǎo)體，該承載體設(shè)置該吸熱部處對(duì)應(yīng)設(shè)有一凹孔，并該凹孔貫穿該承載體，所述吸熱部嵌設(shè)于前述承載體上，該吸熱部對(duì)應(yīng)的另一側(cè)之散熱部形成有前述散熱層，該導(dǎo)熱良導(dǎo)體為銅、鋁、等金屬其中任一，并該吸熱部及該散熱層兩者分別切齊所述承載體兩側(cè)平面。
7.如權(quán)利要求1所述的移動(dòng)設(shè)備散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述吸熱部及該散熱部為一導(dǎo)熱良導(dǎo)體，該承載體設(shè)置該吸熱部處對(duì)應(yīng)設(shè)有一凹孔，并該凹孔貫穿該承載體，所述吸熱部嵌設(shè)于前述承載體上，該吸熱部對(duì)應(yīng)之另一側(cè)之散熱部形成有前述散熱層，該導(dǎo)熱良導(dǎo)體為銅、鋁、等金屬其中任一，并該吸熱部及該散熱層兩者切齊所述承載體兩側(cè)平面。
8.如權(quán)利要求1所述的移動(dòng)設(shè)備散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述散熱層為一種多孔結(jié)構(gòu)或奈米結(jié)構(gòu)體其中任一。
9.如權(quán)利要求1所述的移動(dòng)設(shè)備散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述散熱層呈黑色或亞黑色或深色的顏色其中任一。
10.如權(quán)利要求1所述的移動(dòng)設(shè)備散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述散熱層為一種高輻射陶瓷結(jié)構(gòu)或高硬度陶瓷結(jié)構(gòu)其中任一。
11.如權(quán)利要求7所述的移動(dòng)設(shè)備散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述吸熱部及散熱部通過(guò)膠合接合或無(wú)介質(zhì)擴(kuò)散接合其中任一方式相互貼合。
【文檔編號(hào)】H05K7/20GK204069600SQ201420379695
【公開(kāi)日】2014年12月31日 申請(qǐng)日期:2014年7月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月10日
【發(fā)明者】江貴鳳 申請(qǐng)人:奇鋐科技股份有限公司