介質(zhì)阻擋增強(qiáng)型多電極輝光放電低溫等離子體刷陣列發(fā)生裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種介質(zhì)阻擋增強(qiáng)型多電極輝光放電低溫等離子體刷陣列發(fā)生裝置，其結(jié)構(gòu)包括由絕緣材料制備的氣體放電腔室、一對(duì)附著在氣體放電腔室上下兩側(cè)壁上的介質(zhì)阻擋放電平板電極和兩個(gè)設(shè)置在氣體放電腔室左右兩端壁上的第一類輝光放電電極，所述氣體放電腔室具有工作氣體進(jìn)口和等離子體出口，氣體放電腔室內(nèi)靠近等離子體出口的部分為窄縫結(jié)構(gòu)，等離子體出口為窄縫狀，在兩個(gè)第一類輝光放電電極之間的窄縫結(jié)構(gòu)的腔體處還設(shè)有至少一個(gè)第二類輝光放電電極，每?jī)蓚€(gè)相鄰的輝光放電電極之間構(gòu)成輝光放電電極對(duì)。本實(shí)用新型較之現(xiàn)有技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)在較低的擊穿電壓和較低的總能量消耗下產(chǎn)生更大體積的等離子體刷，對(duì)大面積物體進(jìn)行快速有效處理。
【專利說明】介質(zhì)阻擋增強(qiáng)型多電極輝光放電低溫等離子體刷陣列發(fā)生裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于等離子體發(fā)生裝置領(lǐng)域，特別涉及一種介質(zhì)阻擋增強(qiáng)型多電極輝光放電低溫等離子體刷陣列發(fā)生裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]中國專利ZL201120020842.5公開了一種大氣壓低溫等離子體電刷發(fā)生裝置及陣列組合，包括氣體放電腔室，一對(duì)輝光放電電極，限流電阻，電源及質(zhì)量流量控制器。氣體放電腔室由陶瓷材料或聚四氟乙烯一類的聚合物制成，具有進(jìn)氣端口和出氣端口，出氣端口為窄縫狀，氣體放電腔室內(nèi)靠近出氣端口的部分形成窄縫腔體。兩個(gè)輝光放電電極的放電端位于窄縫腔體處，與限流電阻一起串聯(lián)在電源的兩端，電源用于提供電壓，限流電阻用于限制兩個(gè)輝光放電電極之間的電流大小，避免輝光放電轉(zhuǎn)變?yōu)榛」夥烹姟Ｔ撗b置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，操作安全，但是其能耗、擊穿電壓以及產(chǎn)生的焦耳熱都較高。
[0003]為了對(duì)上述裝置的不足進(jìn)行改進(jìn)，申請(qǐng)?zhí)枮?01210006023.4的中國專利申請(qǐng)公開了一種介質(zhì)阻擋放電增強(qiáng)型低溫等離子體電刷發(fā)生裝置，在進(jìn)氣端口與輝光放電放電電極之間增加了一對(duì)介質(zhì)阻擋放電平板電極對(duì)工作氣體進(jìn)行預(yù)電離，采用交流電源為平板電極提供放電電壓。工作時(shí)，工作氣體從進(jìn)氣端口流入氣體放電腔室，流經(jīng)平板電極所對(duì)應(yīng)的區(qū)域時(shí)，被介質(zhì)阻擋放電平板電極施加的電壓預(yù)電離，接著再流經(jīng)窄縫腔體，兩個(gè)輝光放電電極上施加的電壓再次將預(yù)電離的工作氣體激發(fā)，形成穩(wěn)定的輝光放電，工作氣體等離子體化。等離子體氣流快速從氣體放電腔室的出口端噴出，向外延伸成刷狀穩(wěn)定的低溫等離子體射流，形成大氣壓低溫等離子體刷。雖然介質(zhì)阻擋放電平板電極的預(yù)處理使得該改進(jìn)的等離子體電刷發(fā)生裝置比中國專利ZL201120020842.5所述的裝置產(chǎn)生等離子體的起始電壓更低，正常輝光放電時(shí)額定工作電壓和電流更小，產(chǎn)生相同體積等離子體的總能耗僅為原有裝置的25%。但是為了對(duì)大面積物體進(jìn)行快速有效的處理，只能增大輝光放電電極之間的距離以獲得更大體積的等離子體，在輝光放電電極之間間距增大的同時(shí)，輝光放電電極之間的擊穿電壓以及等離子體的放電功率都會(huì)大增，這樣不僅需要消耗更多的能量，也對(duì)電源設(shè)備提出了更高的要求。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種介質(zhì)阻擋增強(qiáng)型多電極輝光放電低溫等離子體刷發(fā)生裝置，以實(shí)現(xiàn)在較低擊穿電壓和較低的總能量消耗下產(chǎn)生更大體積的等離子體刷，對(duì)大面積物體進(jìn)行快速有效處理。
[0005]針對(duì)本實(shí)用新型的目的，本實(shí)用新型提供的介質(zhì)阻擋增強(qiáng)型多電極輝光放電低溫等離子體刷陣列發(fā)生裝置，包括由絕緣材料制備的氣體放電腔室、一對(duì)附著在氣體放電腔室上下兩側(cè)壁上的介質(zhì)阻擋放電平板電極和兩個(gè)位于介質(zhì)阻擋放電平板電極下游設(shè)置在氣體放電腔室左右兩端壁上的第一類輝光放電電極，所述氣體放電腔室具有工作氣體進(jìn)口和等離子體出口，氣體放電腔室內(nèi)靠近等離子體出口的部分為窄縫結(jié)構(gòu)，等離子體出口為窄縫口，在所述兩個(gè)位于氣體放電腔室左右兩端壁上的第一類輝光放電電極之間窄縫結(jié)構(gòu)的腔體處還設(shè)有至少一個(gè)第二類輝光放電電極，每?jī)蓚€(gè)相鄰的輝光放電電極之間構(gòu)成輝光放電電極對(duì)，形成輝光放電電場(chǎng)。
[0006]上述裝置中，相鄰兩個(gè)輝光放電電極之間的距離以能保證輝光放電電極之間的工作氣體被擊穿形成輝光放電為限，而擊穿工作氣體形成輝光放電的電壓與工作氣體的種類、工作氣體的溫度、工作氣體被平板電極預(yù)電離的情況以及相鄰兩個(gè)輝光放電電極之間的距尚等因素有關(guān)。
[0007]上述裝置中，所述輝光放電電極均勻地分布在窄縫結(jié)構(gòu)腔體處，各輝光放電電極可以分布在同一條直線上，也可以不分布在同一條直線上，最好是沿垂直于工作氣體流動(dòng)方向的方向均勻地分布在窄縫結(jié)構(gòu)腔體處；工作時(shí)，相鄰的輝光放電電極接在電源的不同輸出端上，以保證每?jī)蓚€(gè)相鄰的輝光放電電極之間具有大小相等的電壓差，從而產(chǎn)生強(qiáng)度相等的等離子體刷。
[0008]上述裝置中，輝光放電電極與電源形成的輝光放電回路上最好串聯(lián)有限流電阻，以防止輝光放電轉(zhuǎn)變?yōu)榛」夥烹姟?br> [0009]上述裝置中，所述輝光放電電極的放電端可為平面，也可針狀或其他的現(xiàn)狀。安裝在窄縫結(jié)構(gòu)腔體處的所述第二類輝光放電電極最好采用以平面為放電端的薄片輝光放電電極，其厚度在0.0Of 10_，不超過0.1mm時(shí)效果最佳，以使相鄰兩個(gè)電場(chǎng)產(chǎn)生的等離子體從氣體放電腔室等離子體出口流出合并成一個(gè)完整的等離子體刷。
[0010]上述裝置中，所述介質(zhì)阻擋放電平板電極及輝光放電電極可由銅、鐵、鋁、鎢、鉬或其合金等制備而成。最好是，與電源低壓端相連的輝光放電電極由相同的材料制備、與電源高壓端相連的輝光放電電極由相同的材料制備，以保證每?jī)蓚€(gè)相鄰的輝光放電電極之間的電場(chǎng)強(qiáng)度均相等，從而產(chǎn)生強(qiáng)度相等的等離子體；所述氣體放電腔室可由絕緣陶瓷、聚四氟乙烯制備而成，或者由絕緣陶瓷與聚四氟乙烯的混合物制備而成。
[0011]上述裝置中，沿工作氣體流動(dòng)方向位于所述介質(zhì)阻擋放電平板電極下游的輝光放電電極，其位置距介質(zhì)阻擋放電平板電極的距離一般不小于0.01mm，最好在f 10cm。
[0012]上述裝置中，所述氣體放電腔室的形狀可以是自工作氣體進(jìn)口至等離子體窄縫出口方向?yàn)橹饾u趨于扁平的腔室形狀，也可以是整個(gè)氣體放電腔室為窄縫結(jié)構(gòu)的腔室，所述等離子體窄縫出口的寬度與高度之比為5?200:1。
[0013]上述裝置中，所述氣體放電腔室最好整體為長(zhǎng)方體形的窄縫結(jié)構(gòu)腔室，介質(zhì)阻擋放電平板電極緊貼窄縫結(jié)構(gòu)腔體的上下兩外側(cè)壁，且與等離子體出口的寬邊平行，以保證進(jìn)入氣體放電腔室的工作氣體能夠被均勻地預(yù)電離，窄縫結(jié)構(gòu)腔體壁作為所述介質(zhì)阻擋平板電極的放電端面的絕緣介質(zhì)。
[0014]若將介質(zhì)阻擋放電平板電極置于所述窄縫腔體的內(nèi)部則會(huì)導(dǎo)致制作工藝更加復(fù)雜，而且經(jīng)理論分析和實(shí)踐驗(yàn)證，介質(zhì)阻擋放電平板電極置于所述窄縫腔體的外部與內(nèi)部所產(chǎn)生的預(yù)電離效果基本相當(dāng)。
[0015]進(jìn)入上述等離子體刷發(fā)生裝置氣體放電腔室的工作氣體，可以上是等離子體維持氣體，也可以是活性氣體，或者是等離子體維持氣體與活性氣體的混合氣體。所述等離子體維持氣體可為惰性氣體、氮?dú)?、氧氣、空氣中的至少一種；所述活性氣體為碳氟化合物、碳氟氧化物、鹵素等活性氣體中的至少一種；工作氣體的流量一般可控制在0.1?200L/min。
[0016]為所述介質(zhì)阻擋放電平板電極提供放電電壓的電源為交流電源，所述交流電源的頻率從工頻至13.56 MHz的射頻范圍內(nèi)可調(diào)；電源模式可為連續(xù)或脈沖模式；介質(zhì)阻擋放電功率不大于1W。
[0017]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有以下有益顯著效果:
[0018]1、本實(shí)用新型所述裝置與申請(qǐng)?zhí)枮?01210006023.4的中國專利申請(qǐng)相比，產(chǎn)生相同體積的等離子體所需要的擊穿電壓和維持電壓更低，正常輝光放電時(shí)額定工作電壓更小，工作氣體的擊穿能量和等離子體的維持能量都更小，不僅可以減小能耗，而且對(duì)電源設(shè)備的要求也可顯著降低。
[0019]2、本實(shí)用新型所述裝置具有更低的擊穿電壓和維持電壓，使得裝置對(duì)輝光放電電源的要求更低，因而采用同樣的電源設(shè)備能夠產(chǎn)生體積更大的等離子體刷，有利于該裝置發(fā)展成為便攜式大面積處理設(shè)備。
[0020]3、本實(shí)用新型所述裝置中相鄰輝光放電電場(chǎng)產(chǎn)生的等離子體能夠在工作氣體流速的帶動(dòng)下合并成一個(gè)完整的等離子體刷，與ZL201120020842.5所述陣列組合相比，縮短了相鄰電場(chǎng)產(chǎn)生的等離子體之間的間距，更容易實(shí)現(xiàn)對(duì)大面積物體進(jìn)行均勻處理。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]圖1為本實(shí)用新型設(shè)有I個(gè)第二類輝光放電電極的等離子體刷陣列發(fā)生裝置的等尚子體出口結(jié)構(gòu)不思圖；
[0022]圖2為本實(shí)用新型設(shè)有I個(gè)第二類輝光放電電極的等離子體刷陣列發(fā)生裝置的立體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖3為本實(shí)用新型設(shè)有I個(gè)第二類輝光放電電極的等離子體刷陣列發(fā)生裝置的工作原理示意圖；
[0024]圖4為本實(shí)用新型設(shè)有I個(gè)第二類輝光放電電極的等離子體刷陣列發(fā)生裝置的介質(zhì)阻擋放電平板電極對(duì)工作氣體進(jìn)行預(yù)電離的瞬間電流和電壓(傳導(dǎo)電流)波形圖；
[0025]圖5為本實(shí)用新型設(shè)有I個(gè)第二類輝光放電電極與未設(shè)置第二輝類光放電電極的等離子體刷陣列發(fā)生裝置輝光放電回路的電流隨電壓的變化關(guān)系對(duì)比曲線；
[0026]圖6為本實(shí)用新型設(shè)有3個(gè)第二類輝光放電電極時(shí)輝光放電回路的連接示意圖。
[0027]在上述附圖中，各圖示標(biāo)號(hào)標(biāo)識(shí)的對(duì)象分別為:10—等離子體刷陣列發(fā)生裝置的主體結(jié)構(gòu)部分；12—?dú)怏w放電腔室；14一工作氣體進(jìn)口 ；16—等離子體出口 ；17、18—介質(zhì)阻擋放電平板電極；20、21—第一類輝光放電電極；22、23、24—第二輝類光放電電極；25—等離子體刷射流；28—限流電阻；30—輝光放電電源；32—第二流量控制器；34—第一流量控制器；38—三通管接頭；40—介質(zhì)阻擋放電電源。
【具體實(shí)施方式】
[0028]下面結(jié)合【專利附圖】

【附圖說明】給出實(shí)施例，通過實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型所述介質(zhì)阻擋增強(qiáng)型多電極輝光放電低溫等離子體刷陣列發(fā)生裝置的結(jié)構(gòu)和工作過程作進(jìn)一步說明。
[0029]實(shí)施例1-裝置結(jié)構(gòu)
[0030]本實(shí)施例的介質(zhì)阻擋增強(qiáng)型多電極輝光放電低溫等離子體刷陣列發(fā)生裝置的結(jié)構(gòu)如圖1、圖2和圖3所示。裝置的主體結(jié)構(gòu)部分10包括由絕緣陶瓷制備的氣體放電腔室12、一對(duì)附著在氣體放電腔室上下兩側(cè)壁上用于對(duì)工作氣體進(jìn)行預(yù)電離的介質(zhì)阻擋放電平板電極17、18，以及兩個(gè)位于介質(zhì)阻擋放電平板電極下游設(shè)置在氣體放電腔室左右兩端壁上的第一類輝光放電電極20、21，所述氣體放電腔室具有工作氣體進(jìn)口 14和等離子體出口16，氣體放電腔室整體為長(zhǎng)方體形的窄縫結(jié)構(gòu)腔體，介質(zhì)阻擋放電平板電極緊貼窄縫結(jié)構(gòu)腔體的上下兩外側(cè)壁，且與等離子體出口的寬邊平行，窄縫結(jié)構(gòu)腔體壁作為所述介質(zhì)阻擋平板電極的放電端面的絕緣介質(zhì)；在所述兩個(gè)位于氣體放電腔室左右兩端壁上的第一類輝光放電電極之間的窄縫結(jié)構(gòu)腔體處還設(shè)有一個(gè)第二類輝光放電電極22,與兩個(gè)相鄰的輝光放電電極之間構(gòu)成輝光放電電極對(duì)，形成輝光放電電場(chǎng)。
[0031]本實(shí)施例中，所述等離子體出口的寬度為28 mm、高度為I mm，各輝光放電電極分布在同一條直線上，第二類輝光放電電極22與兩個(gè)第一類輝光放電電極20、21之間的距離均為14 mm;兩個(gè)第一類輝光放電電極都是直徑為0.9 mm的圓柱形不銹鋼，第二類輝光放電電極是厚度為0.1 mm的長(zhǎng)方形鉬片電極，鉬片電極的寬度為1.5 mm。
[0032]本實(shí)施例中，所述介質(zhì)阻擋放電平板電極17、18均為厚1mm、寬3mm、長(zhǎng)30mm的長(zhǎng)條狀銅片，所述介質(zhì)阻擋放電平板電極和輝光放電電極之間的距離為3mm。
[0033]圖3為本實(shí)用新型所述設(shè)有I個(gè)第二類輝光放電電極的等離子體刷陣列發(fā)生裝置的工作原理示意圖，介質(zhì)阻擋放電平板電極17、18與介質(zhì)阻擋放電電源40形成介質(zhì)阻擋放電回路，用于對(duì)工作氣體進(jìn)行預(yù)電離；所述第一類輝光放電電極20、21，第二類輝光放電電極22與限流電阻28串聯(lián)并與輝光放電電源30形成輝光放電回路，限流電阻28可以限制輝光放電電極之間的電流大小和抑制陰極區(qū)域的電場(chǎng)波動(dòng)，防止輝光放電電極之間的輝光放電轉(zhuǎn)變成弧光放電。該裝置工作時(shí)，工作氣體氬氣通過第一流量控制器34以8L/min的流量持續(xù)地由工作氣體進(jìn)口 14流入氣體放電腔室12，工作氣體流入氣體放電腔室12后首先流經(jīng)介質(zhì)阻擋放電平板電極17和18所對(duì)應(yīng)的放電區(qū)域發(fā)生預(yù)電離，預(yù)電離后的工作氣體流入輝光放電電極所對(duì)應(yīng)的放電區(qū)域，被第二類輝光放電電極22平均分配到左右兩個(gè)電場(chǎng)，被預(yù)電離的工作氣體被再次擊穿，形成等離子體，等離子體在工作氣體流速的帶動(dòng)下由等離子體出口噴出即形成穩(wěn)定的等離子體刷射流25。將所形成的等離子體刷射流25觸及到被處理物體的表面，并與其適當(dāng)?shù)亟佑|及來回移動(dòng)，即可實(shí)現(xiàn)對(duì)物體整個(gè)表面進(jìn)行均勻的處理。
[0034]若進(jìn)入氣體放電腔室的工作氣體為等離子體維持氣體與活性氣體的混合氣體，等離子體維持氣體在第一流量控制器34控制下和活性氣體在第二流量控制器32控制下經(jīng)由三通管接頭38混合形成工作氣體，再經(jīng)由氣體放電腔室12的工作氣體進(jìn)口 14流入氣體放電腔室。
[0035]實(shí)施例2-裝置結(jié)構(gòu)
[0036]本實(shí)施例的介質(zhì)阻擋增強(qiáng)型多電極輝光放電低溫等離子體刷陣列發(fā)生裝置的結(jié)構(gòu)如圖6所示。本實(shí)施例裝置與實(shí)施例1中的裝置結(jié)構(gòu)基本相同，所不同的地方是本實(shí)施例的裝置設(shè)置有3個(gè)第二類輝光放電電極。第一類輝光放電電極20、21與第二類輝光放電電極22、23、24均勻分布在窄縫結(jié)構(gòu)腔體處，相鄰的輝光放電電極接在輝光放電電源的不同輸出端上，以使得每?jī)蓚€(gè)相鄰輝光放電電極之間的電場(chǎng)強(qiáng)度相等，從而產(chǎn)生強(qiáng)度相同的等離子體。[0037]本實(shí)用新型提供介質(zhì)阻擋增強(qiáng)型多電極輝光放電低溫等離子體刷陣列發(fā)生裝置，可根據(jù)實(shí)際應(yīng)用的需要設(shè)置多個(gè)第二類輝光放電電極以擴(kuò)大等離子體刷的尺寸。對(duì)于尺寸為某一特定值的氣體放電腔室而言，所設(shè)置的第二類輝光放電電極的個(gè)數(shù)越多，高壓輝光放電電極與低壓輝光放電電極之間的距離就越近(但相鄰兩個(gè)輝光放電電極之間的距離最好不要小于2_)，擊穿各輝光放電電極之間的工作氣體所需要的擊穿電壓將會(huì)更低。
[0038]實(shí)施例3-對(duì)比實(shí)驗(yàn)
[0039]以下通過實(shí)驗(yàn)證實(shí)本實(shí)用新型的等離子體刷發(fā)生裝置能夠顯著降低輝光放電部分的擊穿電壓及能耗。在常壓下，采用實(shí)施例1所述裝置及與原有裝置(中國專利ZL201210006023.4所述裝置)進(jìn)行對(duì)比實(shí)驗(yàn)。
[0040]原有裝置與實(shí)施例1所述裝置的區(qū)別在于實(shí)施例1所述裝置在原有裝置的基礎(chǔ)上增加了 I個(gè)第二類輝光放電電極，將原有的一個(gè)輝光放電擊穿電場(chǎng)分割為兩個(gè)輝光放電擊穿電場(chǎng)。原有裝置的兩個(gè)輝光放電電極位于介質(zhì)阻擋放電平板電極下游的氣體放電腔室左右兩端壁上，兩個(gè)輝光放電電極之間的距離為28 mm。
[0041]原有裝置與實(shí)施例1所述裝置的介質(zhì)阻擋放電部分保持在相同的電壓及電流下工作，工作氣體均為氬氣，工作氣體的流量均為8 L/min，圖4為本實(shí)用新型所述設(shè)有I個(gè)第二類輝光放電電極的等離子體刷陣列發(fā)生裝置的介質(zhì)阻擋放電平板電極對(duì)工作氣體進(jìn)行預(yù)電離的瞬間電流和電壓(傳導(dǎo)電流)波形圖，由圖4可知，此時(shí)放電電壓峰值約為2.5 KV,在外加電壓的半個(gè)周期內(nèi)，只出現(xiàn)了一個(gè)脈沖峰，電流幅值約為10 mA，介質(zhì)阻擋放電功率
Pdbd= 17 mW。
[0042]圖5是實(shí)施例1所述裝置和原有裝置在工作氣體獲得相同預(yù)電離效果的情況下，二者輝光放電回路的電流隨電壓的變化關(guān)系對(duì)比曲線，由圖5可知，二者輝光放電回路的放電電壓皆隨著電流的增大先降低后增大，它們隨電流變化的走勢(shì)基本一致；原有裝置的擊穿電壓為1.15 KV，而本實(shí)用新型所述裝置擊穿電壓為0.8 KV，僅為原有裝置的2/3，隨著電流的增大，維持電壓僅為原有裝置的1/2。
[0043]由該實(shí)施例可知，本實(shí)用新型所述裝置在原有裝置的基礎(chǔ)上增加第二類輝光放電電極，能有效降低輝光放電部分的工作氣體的擊穿電壓，減少等離子體放電功率；并且本實(shí)用新型所述裝置在相同的介質(zhì)阻擋放電電源及輝光放電電源的條件下能夠產(chǎn)生體積更大的等離子體，相鄰電場(chǎng)中產(chǎn)生的等離子體能夠合并成一個(gè)完整的等離子體刷，因而本實(shí)用新型所述裝置在物質(zhì)表面清理、材料性質(zhì)改良、殺菌和環(huán)境凈化的領(lǐng)域有著巨大潛在的應(yīng)用價(jià)值。
[0044]本實(shí)用新型不限于上述實(shí)施例，可根實(shí)際應(yīng)用需要，設(shè)計(jì)和制造權(quán)利要求所限定的多種結(jié)構(gòu)的介質(zhì)阻擋增強(qiáng)型多電極輝光放電低溫等離子體刷陣列發(fā)生裝置。
【權(quán)利要求】
1.一種介質(zhì)阻擋增強(qiáng)型多電極輝光放電低溫等離子體刷陣列發(fā)生裝置，包括由絕緣材料制備的氣體放電腔室、一對(duì)附著在氣體放電腔室上下兩側(cè)壁上的介質(zhì)阻擋放電平板電極和兩個(gè)位于介質(zhì)阻擋放電平板電極下游設(shè)置在氣體放電腔室左右兩端壁上的第一類輝光放電電極，所述氣體放電腔室具有工作氣體進(jìn)口和等離子體出口，氣體放電腔室內(nèi)靠近等離子體出口的部分為窄縫結(jié)構(gòu)，等離子體出口為窄縫口，其特征在于:在所述兩個(gè)位于氣體放電腔室左右兩端壁上的第一類輝光放電電極之間窄縫結(jié)構(gòu)的腔體處設(shè)有至少一個(gè)第二類輝光放電電極，每?jī)蓚€(gè)相鄰的輝光放電電極之間構(gòu)成輝光放電電極對(duì)，形成輝光放電電場(chǎng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述介質(zhì)阻擋增強(qiáng)型多電極輝光放電低溫等離子體刷陣列發(fā)生裝置，其特征在于相鄰兩個(gè)輝光放電電極之間的距離以能保證輝光放電電極之間的工作氣體被擊穿形成輝光放電為限。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述介質(zhì)阻擋增強(qiáng)型多電極輝光放電低溫等離子體刷陣列發(fā)生裝置，其特征在于所述輝光放電電極沿垂直于工作氣體流動(dòng)方向的方向均勻地分布在窄縫結(jié)構(gòu)腔體處。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述介質(zhì)阻擋增強(qiáng)型多電極輝光放電低溫等離子體刷陣列發(fā)生裝置，其特征在于所述輝光放電電極的放電端為平面或針狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述介質(zhì)阻擋增強(qiáng)型多電極輝光放電低溫等離子體刷陣列發(fā)生裝置，其特征在于所述第二類輝光放電電極是以平面為放電端的薄片輝光放電電極，其厚度在0.001?IOmm之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一權(quán)利要求所述介質(zhì)阻擋增強(qiáng)型多電極輝光放電低溫等離子體刷陣列發(fā)生裝置，其特征在于輝光放電電極與電源形成的輝光放電回路上串聯(lián)有限流電阻。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一權(quán)利要求所述介質(zhì)阻擋增強(qiáng)型多電極輝光放電低溫等離子體刷陣列發(fā)生裝置，其特征在于所述介質(zhì)阻擋放電平板電極和輝光放電電極之間的距離在0.01mm?IOcm之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一權(quán)利要求所述介質(zhì)阻擋增強(qiáng)型多電極輝光放電低溫等離子體刷陣列發(fā)生裝置，其特征在于所述氣體放電腔室的形狀自工作氣體進(jìn)口至等離子體出口方向逐漸趨于扁平，或者整個(gè)氣體放電腔室為窄縫結(jié)構(gòu)腔體，所述等離子體出口的寬度與高度之比為5?200:1。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述介質(zhì)阻擋增強(qiáng)型多電極輝光放電低溫等離子體刷陣列發(fā)生裝置，其特征在于所述氣體放電腔室整體為長(zhǎng)方體形的窄縫結(jié)構(gòu)腔體，介質(zhì)阻擋放電平板電極緊貼窄縫結(jié)構(gòu)腔體的上下兩外側(cè)壁，且與等離子體出口的寬邊平行，窄縫結(jié)構(gòu)腔體壁作為所述介質(zhì)阻擋平板電極的放電端面的絕緣介質(zhì)。
【文檔編號(hào)】H05H1/24GK203407057SQ201320397627
【公開日】2014年1月22日 申請(qǐng)日期:2013年7月5日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月5日
【發(fā)明者】段憶翔, 李雪梅 申請(qǐng)人:四川大學(xué)