多層電路板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種多層電路板的制作方法，其包括下列步驟。首先，提供基材。基材具有相對兩表面及連通兩表面的通孔。接著，以通孔為對位標(biāo)靶分別形成圖案化線路層于兩表面上。圖案化線路層包括環(huán)繞通孔的同心圓圖案。接著，分別形成第一堆疊層于兩表面上。接著形成第一貫孔，其貫穿同心圓圖案由中心向外第一個同心圓的內(nèi)徑正投影至第一堆疊層以及基材的區(qū)域。接著，分別形成第二堆疊層于第一堆疊層上。之后，形成第二貫孔，其貫穿同心圓圖案由中心向外第二個同心圓的內(nèi)徑正投影至第一至第二堆疊層及基材的區(qū)域。
【專利說明】多層電路板的制作方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種電路板的制作方法，且特別是涉及一種多層電路板的制作方法。

【背景技術(shù)】
[0002]由于電子產(chǎn)品的集成度(integrat1n)越來越高,應(yīng)用于高集成度的電子產(chǎn)品的電路板，其線路層也由單層、2層而變?yōu)?層、8層，甚至到10層以上，以使電子元件能夠更密集的裝設(shè)于印刷電路板上。一般而言，最常見的電路板制作工藝為疊層法(laminat1nprocess)，當(dāng)利用疊層法來制作電路板時，各個線路層及絕緣層之間的對位精度必須獲得良好的控制。因此，在電路板制作工藝中，通常是在前一疊層通過光刻制作工藝形成多個對位標(biāo)靶，并再增層之后，通過X光找到前一疊層的對位標(biāo)靶并進(jìn)行銑靶制作工藝以形成后續(xù)制作工藝的另一對位標(biāo)靶。
[0003]然而，由于前一疊層的對位標(biāo)靶是通過光刻制作工藝所形成，其本身已存在有制作工藝誤差，而使用X光進(jìn)行銑靶時，也會產(chǎn)生銑靶制作工藝上的誤差。如此，各層的對位標(biāo)靶所產(chǎn)生的對位誤差將不斷地累積。若電路板的線路層數(shù)目增加，則這些對位標(biāo)靶所累積的誤差也會增加，造成層間對準(zhǔn)度偏移過大且導(dǎo)通孔與底層接墊的設(shè)計無法微型化。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種多層電路板的制作方法，其可提升多層電路板的層間對位精準(zhǔn)度，提升線路層的布線密度與能力，且導(dǎo)通孔與底層接墊的設(shè)計可趨向微型化，更可制作單邊對準(zhǔn)度小于50 μ m的圖案設(shè)計。
[0005]為達(dá)上述目的，本發(fā)明的一種多層電路板的制作方法包括下列步驟:首先，提供基材，其包括相對兩表面及連通兩表面的第一通孔。接著，以第一通孔為對位標(biāo)靶各形成第一圖案化線路層于兩表面上。各第一圖案化線路層包括環(huán)繞第一通孔的第一同心圓圖案。接著，各形成第一堆疊層于兩表面上，其包括第一介電層以及覆蓋第一介電層的第一線路層。接著，形成第一貫孔，其貫穿第一同心圓圖案由中心向外第一個同心圓的內(nèi)徑正投影至第一堆疊層以及基材的區(qū)域。接著，各形成第二堆疊層于第一堆疊層上。各第二堆疊層包括第二介電層以及覆蓋第二介電層的第二線路層。之后，形成第二貫孔，其貫穿第一同心圓圖案由中心向外第二個同心圓的內(nèi)徑正投影至第二堆疊層、第一堆疊層及基材的區(qū)域。
[0006]基于上述，本發(fā)明的多層電路板制作方法是先于最內(nèi)層的基材表面形成同心圓圖案，而之后的各層堆疊層皆是以此同心圓圖案做對位標(biāo)靶來形成對應(yīng)的對位貫孔，再以各層的對位貫孔分別進(jìn)行對應(yīng)的堆疊層的后續(xù)制作工藝，例如以對位貫孔為對位基準(zhǔn)形成各層的圖案化線路層及導(dǎo)通孔等。因此，本發(fā)明的制作方法可減少現(xiàn)有中各層間對位誤差的累積，更可減少多層電路板有層偏的問題產(chǎn)生。因此，本發(fā)明確實能提高多層電路板的對位精準(zhǔn)度，提升線路層的布線密度與能力，且導(dǎo)通孔與底層接墊的設(shè)計可趨向微型化，還可制作單邊對準(zhǔn)度小于50 μ m的圖案設(shè)計。
[0007]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附附圖作詳細(xì)說明如下。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1A至圖1G是依照本發(fā)明的一實施例的一種多層電路板的制作方法的流程示意圖；
[0009]圖2是依照本發(fā)明的一實施例的基材及第一圖案化線路層的俯視示意圖；
[0010]圖3是圖1E的第一同心圓圖案的俯視示意圖；
[0011]圖4是圖1G的第一同心圓圖案的俯視示意圖；
[0012]圖5是依照本發(fā)明的另一實施例的基材及第一圖案化線路層的俯視示意圖；
[0013]圖6A至圖6D是依照本發(fā)明的另一實施例的一種多層電路板的制作方法的部分流程不意圖。
[0014]符號說明
[0015]110:基材
[0016]112U14:表面
[0017]116:第一通孔
[0018]120:第一圖案化線路層
[0019]122:第一同心圓圖案
[0020]122a、124a:第一個同心圓
[0021]122b、124b:第二個同心圓
[0022]124:第二同心圓圖案
[0023]130:第一堆疊層
[0024]132:第一介電層
[0025]134:第一線路層
[0026]134a:第一開口
[0027]140:第一貫孔
[0028]150:第二堆疊層
[0029]152:第二介電層
[0030]154:第二線路層
[0031]154a:第二開口
[0032]160:第二貫孔
[0033]170:第六堆疊層
[0034]172:第六介電層
[0035]174:第六線路層
[0036]174a、194a:開口
[0037]180:第六貫孔
[0038]190:第七堆疊層
[0039]192:第七介電層
[0040]194:第七線路層
[0041]195:第七貫孔
[0042]Dl:通孔外徑
[0043]D2:同心圓圖案外徑
[0044]Gl:間距

【具體實施方式】
[0045]圖1A至圖1G是依照本發(fā)明的一實施例的一種多層電路板的制作方法的流程示意圖。圖2是依照本發(fā)明的一實施例的基材及第一圖案化線路層的俯視示意圖。在本實施例中，多層電路板的制作方法包括下列步驟:首先，如圖1A所示，提供基材110，其包括相對兩表面112、114及連通兩表面112、114的第一通孔116。接著，請同時參照圖1B及圖2，以第一通孔116為對位標(biāo)靶分別形成第一圖案化線路層120于兩表面112、114上。在本實施例中，如圖2所示，第一通孔116的外徑Dl實質(zhì)上介于0.5毫米(mm)至0.8毫米之間。在此需說明的是，圖1A至圖1G所繪示的制作流程為圖2中區(qū)域A的制作流程的剖視圖。第一圖案化線路層120如圖2所示具有環(huán)繞第一通孔116的第一同心圓圖案122。第一同心圓圖案122包括多個同心圓，而同心圓彼此間的間距Gl實質(zhì)上介于50微米(μ m)至100微米之間，當(dāng)然，本發(fā)明并不以此為限，本領(lǐng)域具通常知識者當(dāng)可依實際產(chǎn)品的設(shè)計及布局需求自行做調(diào)整。
[0046]接著，如圖1C所示，分別形成第一堆疊層130于兩表面112、114上，其中，第一堆疊層130包括第一介電層132以及第一線路層134，且第一線路層134覆蓋第一介電層132。之后，請同時參照圖1D及圖1E，利用例如二氧化碳激光(CO2Iaser)鉆孔的方式形成第一貫孔140。第一貫孔140如圖1E所不貫穿第一同心圓圖案122由中心向外第一個同心圓122a的內(nèi)徑正投影至第一堆疊層130以及基材110的區(qū)域。圖3即繪示了被第一貫孔140貫穿后的第一同心圓圖案122的俯視圖。
[0047]在本實施例中，第一圖案化線路層120及第一線路層134的材料為銅，由于銅只對紫外光區(qū)(< 0.3ym)以下的短波長區(qū)吸收率較高，而二氧化碳激光的光波長較長(約為10微米以上)，屬于紅外光區(qū)，因此較不會被銅所吸收而將銅燒蝕成孔。因此，銅材質(zhì)的同心圓圖案122可視為二氧化碳激光的一個銅掩模，用以限制二氧化碳激光對第一堆疊層130以及基材110切割的范圍。也就是說，利用二氧化碳激光由中心向外鉆孔，則會以第一個同心圓122a的內(nèi)徑為邊界來鉆孔形成的第一貫孔140。需注意的是，若是使用二氧化碳激光來形成第一貫孔140，需先對圖1C的第一線路層134進(jìn)行圖案化以形成如圖1D所示的第一開口 134a，使第一開口 134a暴露出第一同心圓圖案122正投影至第一介電層132的區(qū)域，再進(jìn)行后續(xù)的鉆孔程序。
[0048]當(dāng)然，本發(fā)明并不局限于此。在本發(fā)明的其他實施例中，也可利用直接激光鉆孔(Direct Laser Drill, DLD)的方式形成第一貫孔140。若是使用直接激光鉆孔的方式形成第一貫孔140，則無須形成如圖1D所示的開口 134a，而可在形成圖1C所示的第一線路層134后即進(jìn)行直接激光鉆孔以形成第一貫孔140。在本實施例中，第一貫孔140的形成可例如分別由位于基材110兩側(cè)的第一堆疊層130的外表面同時往基材110的方向鉆孔。
[0049]之后，即可以第一貫孔140為對位標(biāo)靶對第一堆疊層130進(jìn)行后續(xù)制作工藝，例如以第一貫孔140做為光刻制作工藝的對位標(biāo)靶，對第一線路層134進(jìn)行圖案化，以形成多層電路板的第二圖案化線路層，或是以第一貫孔140為對位標(biāo)靶形成第一導(dǎo)通孔于第一堆疊層130上。
[0050]之后，再如圖1F所示，分別形成第二堆疊層150于對應(yīng)的第一堆疊層130上。各第二堆疊層150包括第二介電層152以及第二線路層154，且第二線路層154覆蓋第二介電層152。之后，再如圖1G所示形成第二貫孔160，且第二貫孔160貫穿第一同心圓圖案120由中心向外第二個同心圓122b的內(nèi)徑正投影至第二堆疊層150、第一堆疊層130及基材110的區(qū)域。圖4即繪示了被第二貫孔160貫穿后的第一同心圓圖案122的俯視圖。
[0051]如同第一貫孔的形成方法所述，第二貫孔160也可利用二氧化碳激光鉆孔的方式而形成。也就是說，利用二氧化碳激光由中心向外鉆孔，燒蝕掉如圖3所示的第一個同心圓122a以及第二個同心圓122b間的基材110后，第一個同心圓122a即可自同心圓圖案120剝離，而形成如圖4所示的第二貫孔160。同樣的，若使用二氧化碳激光來形成第二貫孔160，需先形成如圖1F所示的第二開口 154a，使第二開口 154a暴露出第一同心圓圖案122正投影至第二介電層152的區(qū)域，再進(jìn)行后續(xù)的鉆孔程序。
[0052]當(dāng)然，在本發(fā)明的其他實施例中，也可利用直接激光鉆孔(Direct LaserDrill1DLD)的方式形成第二貫孔160，如此則無須形成如圖1F所示的第二開口 154a，而可立即進(jìn)行直接激光鉆孔以形成第二貫孔160。在本實施例中，形成第二貫孔160的方法可分別由位于基材I1兩側(cè)的第二堆疊層150的外表面同時往基材110的方向鉆孔。
[0053]之后，即可以第二貫孔160為對位標(biāo)靶對第二堆疊層150進(jìn)行后續(xù)制作工藝，例如以第二貫孔160做為光刻制作工藝的對位標(biāo)靶，對第二線路層154進(jìn)行圖案化，以形成多層電路板的第三圖案化線路層，或是以第二貫孔160為對位標(biāo)靶形成第二導(dǎo)通孔于第二堆疊層150上，其中，第二導(dǎo)通孔連接第一堆疊層130上的第一導(dǎo)通孔。
[0054]本實施例僅舉例說明于基材的雙面分別形成兩層疊構(gòu)的制作流程，當(dāng)然，本發(fā)明并不限制堆疊層、線路層的層數(shù)以及同心圓圖案的同心圓個數(shù)。本領(lǐng)域具通常知識者可自行依前述的制作方法于第二堆疊層上繼續(xù)堆疊其他堆疊層，并以同心圓圖案122為對位標(biāo)靶形成各層的對位貫孔，再以各層的對位貫孔分別進(jìn)行后續(xù)的對位制作工藝，以形成各層的圖案化線路層及/或?qū)住Ｒ虼?，若欲形成的多層電路板的圖案化線路層的總層數(shù)為N，則第一同心圓圖案122的同心圓個數(shù)應(yīng)為(N-2)/2。
[0055]如此，多層電路板的各層堆疊層皆是以最內(nèi)層的基材110表面的同心圓圖案122來形成對應(yīng)的對位貫孔，因而可減少現(xiàn)有中各層間對位誤差的累積，還可減少多層電路板有層偏的問題產(chǎn)生。此外，還可依此方法形成連通各層的導(dǎo)通孔。由于各層的導(dǎo)通孔皆是以同一光刻制作工藝所形成的同心圓圖案122來當(dāng)作對位標(biāo)靶而形成，因此可減少導(dǎo)通孔因?qū)ξ徽`差累積而造成各層導(dǎo)通孔無法對準(zhǔn)的情形，提升線路層的布線密度與能力，且導(dǎo)通孔與底層接墊的設(shè)計可走向微型化，還可制作單邊對準(zhǔn)度小于50 μ m的圖案設(shè)計。
[0056]此外，若多層電路板所需線路層的層數(shù)較多，則需進(jìn)行增層的次數(shù)也隨的提高，第一同心圓圖案122的同心圓個數(shù)因而隨之增加。也就是說，第一同心圓圖案122的最大外徑D2會與多層電路板的增層次數(shù)成正比。然而,基于生產(chǎn)設(shè)備的影像感應(yīng)器(Charge-CoupledDevice, (XD)的影像擷取視窗可讀取的最大尺寸限制,第一同心圓圖案122的最大外徑D2實質(zhì)上應(yīng)小于或等于3.175毫米(mm)。因此，若多層電路板的增層次數(shù)大于一個預(yù)定值(例如等于或大于5次)，而使第一同心圓圖案122的最大外徑D2趨近于3.175毫米時，在此之后形成的堆疊層則需通過另一同心圓圖案做對位標(biāo)靶來進(jìn)行對位制作工藝。
[0057]圖5是依照本發(fā)明的另一實施例的基材及第一圖案化線路層的俯視示意圖。圖6A至圖6D是依照本發(fā)明的另一實施例的一種多層電路板的制作方法的部分流程示意圖。請參照圖5，如前所述，當(dāng)多層電路板欲進(jìn)行的增層次數(shù)大于一個預(yù)定值時，則需設(shè)計兩個同心圓圖案。也就是說，在本實施例中，多層電路板的增層次數(shù)大于預(yù)定值(例如大于M次，M為大于2的正整數(shù))，而基材110除了具有前述的第一通孔116外，更可具有第二通孔118，其連通如圖1A所示的兩表面112、114。接著，再分別以第一通孔116與第二通孔118為對位標(biāo)靶形成第一圖案化線路層120于兩表面112、114上。各第一圖案化線路層120除了包括環(huán)繞第一通孔116的第一同心圓圖案122，更包括環(huán)繞第二通孔118的第二同心圓圖案124。由于第一同心圓圖案122及第二同心圓圖案124是通過同一圖案化制作工藝所形成的，因此可避免多道圖案化制作工藝的對位誤差累積。如此，從第M層開始的堆疊層皆以第二同心圓圖案124做對位標(biāo)靶來進(jìn)行后續(xù)的對位制作工藝，其制作流程大致與圖1A至IG的制作流程相同。
[0058]詳細(xì)而言，請同時參照圖5及圖6A，在形成第二同心圓圖案124之后，可分別形成第M堆疊層于第二堆疊層150的上方，在本實施例中，M例如為6，也就是說，多層電路板已利用第一同心圓圖案122做對位標(biāo)靶依序形成了第一至第五堆疊層，而第六堆疊層170(也就是第M堆疊層)對應(yīng)包括第六介電層172以及覆蓋第六介電層172的第六線路層174。接著，如圖5及6B所示，形成第六貫孔180，其貫穿第二同心圓圖案124由中心向外第一個同心圓124a的內(nèi)徑正投影至第一至第六堆疊層以及基材110的區(qū)域。
[0059]之后，即可以第六貫孔180為對位標(biāo)靶對第六堆疊層150進(jìn)行后續(xù)制作工藝，例如以第六貫孔180做為光刻制作工藝的對位標(biāo)靶，對第六線路層174進(jìn)行圖案化，以形成多層電路板的圖案化線路層，或是以第六貫孔180為對位標(biāo)靶形成第六導(dǎo)通孔于第六堆疊層170 上。
[0060]請接續(xù)參照圖6C，分別形成第七堆疊層190 (也就是第M+1堆疊層)于第六堆疊層170上，各第七堆疊層190包括第七介電層192以及覆蓋第七介電層192的第七線路層194。之后，再如圖5及圖6D所不，形成第七貫孔195,其貫穿第二同心圓圖案124由中心向外第二個同心圓124b的內(nèi)徑正投影至第一至第七堆疊層及基材110的區(qū)域。
[0061]之后，即可以第七貫孔195為對位標(biāo)靶對第七堆疊層190進(jìn)行后續(xù)制作工藝，例如以第七貫孔195做為光刻制作工藝的對位標(biāo)靶，對第七線路層194進(jìn)行圖案化，以形成多層電路板的圖案化線路層，或是以第七貫孔195為對位標(biāo)靶形成第七導(dǎo)通孔于第七堆疊層190上，其中，第七導(dǎo)通孔連接第六堆疊層170上的第一導(dǎo)通孔，且各層的導(dǎo)通孔皆彼此連接。
[0062]如前所述，第六貫孔180及第七貫孔195也可利用二氧化碳激光鉆孔或是直接激光鉆孔的方式而形成。同樣的，若使用二氧化碳激光來形成第六貫孔180及第七貫孔195，需先形成如圖6A及圖6C所示的開口 174a、194a，以分別暴露出第二同心圓圖案124正投影至第六介電層172及第二介電層192的區(qū)域，再進(jìn)行鉆孔程序。若是利用直接激光鉆孔的方式，則無須形成開口 174a、194a，而可立即進(jìn)行直接激光鉆孔。
[0063]綜上所述，本發(fā)明的多層電路板制作方法是先于最內(nèi)層的基材表面形成同心圓圖案，而之后的各層堆疊層皆是以此同心圓圖案做對位標(biāo)靶來形成對應(yīng)的對位貫孔，再以各層的對位貫孔分別進(jìn)行對應(yīng)的堆疊層的后續(xù)制作工藝，例如以對位貫孔為對位基準(zhǔn)形成各層的圖案化線路層及導(dǎo)通孔等。因此，本發(fā)明的制作方法可減少現(xiàn)有中各層間對位誤差的累積，更可減少多層電路板有層偏的問題產(chǎn)生。此外，由于各層的導(dǎo)通孔皆是以同一光刻制作工藝所形成的同心圓圖案來當(dāng)作對位標(biāo)靶而形成，可減少導(dǎo)通孔因各層間的對位誤差累積而造成導(dǎo)通孔偏移的情形。因此，本發(fā)明確實能提高多層電路板的對位精準(zhǔn)度，提升線路層的布線密度與能力，且導(dǎo)通孔與接墊的設(shè)計可走向微型化，更可制作單邊對準(zhǔn)度小于50 μ m的圖案設(shè)計。
[0064]雖然已結(jié)合以上實施例公開了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中熟悉此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動與潤飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以附上的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種多層電路板的制作方法,其特征在于包括: 提供基材，包括相對兩表面及連通該兩表面的第一通孔； 以該第一通孔為對位標(biāo)靶各形成第一圖案化線路層于該兩表面上，各該第一圖案化線路層包括環(huán)繞該第一通孔的第一同心圓圖案； 各形成第一堆疊層于該兩表面上，其包括第一介電層以及覆蓋該第一介電層的第一線路層； 形成第一貫孔，該第一貫孔貫穿該第一同心圓圖案由中心向外第一個同心圓的內(nèi)徑正投影至該些第一堆疊層以及該基材的區(qū)域； 各形成第二堆疊層于該些第一堆疊層上，各該第二堆疊層包括第二介電層以及覆蓋該第二介電層的第二線路層；以及 形成第二貫孔，該第二貫孔貫穿該第一同心圓圖案由中心向外第二個同心圓的內(nèi)徑正投影至該些第二堆疊層、該些第一堆疊層及該基材的區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的多層電路板的制作方法，還包括: 形成該第一貫孔后，以該第一貫孔為對位標(biāo)靶圖案化該些第一線路層；以及 形成該第二貫孔后，以該第二貫孔為對位標(biāo)靶圖案化該些第二線路層。
3.如權(quán)利要求2所述的多層電路板的制作方法，其中該些圖案化線路層的總層數(shù)為N，則該第一同心圓圖案的同心圓個數(shù)為(N-2)/2。
4.如權(quán)利要求1所述的多層電路板的制作方法，還包括: 形成該第一貫孔后，以該第一貫孔為對位標(biāo)靶各形成第一導(dǎo)通孔于該些第一堆疊層上；以及 形成該第二貫孔后，以該第二貫孔為對位標(biāo)靶各形成第二導(dǎo)通孔于該些第二堆疊層上，該些第二導(dǎo)通孔分別連接對應(yīng)的第一導(dǎo)通孔。
5.如權(quán)利要求1所述的多層電路板的制作方法，其中形成該第一貫孔以及該第二貫孔的方法包括二氧化碳激光鉆孔。
6.如權(quán)利要求5所述的多層電路板的制作方法，還包括: 在形成該第一貫孔之前，形成第一開口于該第一線路層上，該第一開口暴露出該第一同心圓圖案正投影至該第一介電層的區(qū)域；以及 在形成該第二貫孔之前，形成第二開口于該第二線路層上，該第一開口暴露出該第一同心圓圖案正投影至該第二介電層的區(qū)域。
7.如權(quán)利要求5所述的多層電路板的制作方法，其中形成該第一貫孔的方法包括由該些第一堆疊層的外表面同時往該基材的方向鉆孔，形成該第二貫孔的方法包括由該些第二堆疊層的外表面同時往該基材的方向鉆孔。
8.如權(quán)利要求1所述的多層電路板的制作方法，其中形成該第一貫孔以及該第二貫孔的方法包括直接激光鉆孔。
9.如權(quán)利要求8所述的多層電路板的制作方法，其中形成該第一貫孔的方法包括由該些第一堆疊層的外表面同時往該基材的方向鉆孔，形成該第二貫孔的方法包括由該些第二堆疊層的外表面同時往該基材的方向鉆孔。
10.如權(quán)利要求1所述的多層電路板的制作方法，其中該基材還包括連通該兩表面的第二通孔，各該第一圖案化線路層還包括環(huán)繞該第二通孔的第二同心圓圖案，所述的多層電路板的制作方法還包括: 各形成第M堆疊層于該第二堆疊層上方，其包括第M介電層以及覆蓋該第M介電層的第M線路層，其中M為大于2的正整數(shù)； 形成第M貫孔，該第M貫孔貫穿該第二同心圓圖案由中心向外第一個同心圓的內(nèi)徑正投影至該些第一至第M堆疊層以及該基材的區(qū)域； 各形成第M+1堆疊層于該些第M堆疊層上，各該第M+1堆疊層包括第M+1介電層以及覆蓋該第M+1介電層的第M+1線路層；以及 形成第M+1貫孔，該第M+1貫孔貫穿該第二同心圓圖案由中心向外第二個同心圓的內(nèi)徑正投影至該些第一至第M+1堆疊層及該基材的區(qū)域。
11.如權(quán)利要求10所述的多層電路板的制作方法，還包括: 形成該第M貫孔后，以該第M貫孔為對位標(biāo)靶圖案化該些第M線路層以形成兩第M+1圖案化線路層；以及 形成該第M+1貫孔后，以該第M+1貫孔為對位標(biāo)靶圖案化該些第M+1線路層以形成兩第M+2圖案化線路層。
12.如權(quán)利要求10所述的多層電路板的制作方法，還包括: 形成該第M貫孔后，以該第M貫孔為對位標(biāo)靶各形成第M導(dǎo)通孔于該些第M堆疊層上；以及 形成該第M+1貫孔后，以該第M+1貫孔為對位標(biāo)靶各形成第M+1導(dǎo)通孔于該些第M+1堆疊層上，該些第M+1導(dǎo)通孔分別連接對應(yīng)的第M導(dǎo)通孔。
13.如權(quán)利要求10所述的多層電路板的制作方法，其中M實質(zhì)上等于或大于5。
14.如權(quán)利要求10所述的多層電路板的制作方法，其中形成該第M貫孔以及該第M+1貫孔的方法包括二氧化碳激光鉆孔或直接激光鉆孔。
【文檔編號】H05K3/46GK104427792SQ201310403661
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年9月6日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月6日
【發(fā)明者】黃培彰, 余丞博, 黃瀚霈 申請人:欣興電子股份有限公司