專利名稱：低頻無極燈鎮(zhèn)流器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電子鎮(zhèn)流器，具體為一種低頻無極燈鎮(zhèn)流器。
背景技術(shù)：
低頻無極燈是一種長壽命、高光效、高顯色指數(shù)、無光閃、節(jié)能環(huán)保、可做大功率輸出的新型光源?，F(xiàn)有低頻無極燈主要由鎮(zhèn)流器、耦合器、燈管三部分組成。如圖I所示，鎮(zhèn)流器包括EMC濾波電路、橋式整流電路、直流升壓電路、MOS管驅(qū)動(dòng)電路、MOS管功率輸出電路、第三晶體三極管BG3、15V第三穩(wěn)壓管DW3及第五電容C5。EMC 濾波電路由第一跨線電容Cl、第一共模電感器LI、第二跨線電容C2、第二共模電感器L2及第三跨線電容C3依次連接組成。橋式整流電路由四個(gè)整流二極管D1、D2、D3、D4連接組成。直流升壓電路是包括L6561D芯片Ul、第三高頻變壓器T3、第一 MOS管Ql、第六晶體二極管D6、第九晶體二極管D9的400V升壓典型應(yīng)用電路，其中，第三高頻變壓器T3的初級繞組一端與第六晶體二極管D6的陽極端連接，第六晶體二極管D6的陰極端是直流升壓電路輸出端A (啟動(dòng)后輸出直流電壓400V);第三高頻變壓器T3的次級繞組一端接地、其另一端與第九晶體二極管D9的陽極端連接，第九晶體二級管D9的陰極端是高頻變壓器次級繞組輸出端B (啟動(dòng)后輸出直流電壓25伏)，第九晶體二極管D9的陰極端經(jīng)第四電容C4接地。MOS管驅(qū)動(dòng)電路包括FM2822芯片U2。MOS管功率輸出電路包括第二 MOS管Q2、第三MOS管Q3、第四高頻變壓器T4，其中，第二 MOS管Q2的源極S和第三MOS管Q3的漏極D的公共端為MOS管功率輸出電路的輸出端，即鎮(zhèn)流器的輸出端?，F(xiàn)有低頻無極燈的鎮(zhèn)流器連接結(jié)構(gòu)如下EMC濾波電路的第一、二輸出端分別與橋式整流電路的第一、二輸入端連接，橋式整流電路的第一輸出端接地、其第二輸出端與直流升壓電路的輸入端連接，高頻變壓器次級繞組輸出端B與第三晶體三極管BG3的集電極連接，第三晶體三極管BG3的基極經(jīng)15V第三穩(wěn)壓管DW3接地，且第三晶體三極管BG3的基極和集電極之間并聯(lián)第一零五電阻R105，15V第三穩(wěn)壓管DW3兩端并聯(lián)第五電容C5 ;第三晶體三極管BG3的發(fā)射極與MOS管驅(qū)動(dòng)電路中的FM2822芯片U2的第十二引腳連接，且第三晶體三極管BG3的發(fā)射極經(jīng)第八晶體二極管D8與直流升壓電路中的L6561D芯片Ul的第八引腳連接；直流升壓電路的輸出端A與MOS管功率輸出電路中的第二 MOS管Q2的漏極D連接，MOS管驅(qū)動(dòng)電路中FM2822芯片U2的第九、i^一引腳分別與MOS管功率輸出電路連接，MOS管功率輸出電路的輸出端即為現(xiàn)有鎮(zhèn)流器的輸出端?，F(xiàn)有低頻無極燈的工作原理是220V交流電經(jīng)EMC濾波電路、橋式整流電路、直流升壓電路后，由直流升壓電路輸出端A輸出400V電壓對MOS管功率輸出電路供電，同時(shí)，直流升壓電路中的高頻變壓器次級繞組輸出端B輸出25V電壓，觸發(fā)第三晶體三極管BG3導(dǎo)通，向MOS管驅(qū)動(dòng)電路輸入13. 5V電壓，進(jìn)而MOS管驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)MOS管功率輸出電路輸出射頻電流至耦合器，使耦合器產(chǎn)生一個(gè)交變磁場，該交變磁場感應(yīng)到無極燈V的燈管內(nèi)，使無極燈V的燈管內(nèi)的氣體發(fā)生電離，從而激發(fā)熒光粉發(fā)出可見光。[0007]現(xiàn)有低頻無極燈鎮(zhèn)流器存在如下缺點(diǎn)鎮(zhèn)流器中，MOS管驅(qū)動(dòng)電路由13. 5V電壓驅(qū)動(dòng)供電，13. 5V電壓由直流升壓電路中高頻變壓器的一組繞組獲得，通過第三晶體三極管BG3輸出13. 5V電壓，然而穩(wěn)定的13. 5V電壓需等到無極燈啟輝以后，即400V直流電壓有了負(fù)載以后才能獲得，所以，在無極燈首次啟動(dòng)時(shí)，經(jīng)多次測試，第三晶體三極管BG3輸出電壓均低于10V，是一個(gè)逐漸增大到13. 5V電壓的過程。同樣，首次啟動(dòng)時(shí)，400V直流電壓也不足，這是因?yàn)?3. 5V電壓與400V直流電壓都接有濾波電容，充滿電需要一定的時(shí)間。所以，無極燈首次啟動(dòng)時(shí)，第三晶體三極管BG3多次輸出電壓均達(dá)不到設(shè)計(jì)值13. 5V，就很容易造成MOS管的驅(qū)動(dòng)電壓不足，使其不能徹底導(dǎo)通，同時(shí)，直流升壓電路輸出端A輸出的直流電壓小于400V，造成鎮(zhèn)流器對耦合器輸出的電流偏小，又給無極燈啟輝帶來一定的困難，如此不良循環(huán)，MOS管驅(qū)動(dòng)電路由于導(dǎo)通不夠，極易擊穿，造成鎮(zhèn)流器燒毀。因此，有必要對現(xiàn)有的鎮(zhèn)流器做一些改進(jìn)，提高低頻無極燈的啟動(dòng)性能。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型為了解決在低頻無極燈首次啟動(dòng)時(shí)，鎮(zhèn)流器中的MOS管驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)電壓不足，不能獲得穩(wěn)定的13. 5V供電電壓的問題，提供了一種新型的低頻無極燈鎮(zhèn)流器。本實(shí)用新型是采用如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的一種低頻無極燈鎮(zhèn)流器，包括EMC濾波電路，橋式整流電路，直流升壓電路，包含F(xiàn)M2822芯片U2的MOS管驅(qū)動(dòng)電路，MOS管功率輸出電路，第三晶體三極管BG3，15V第三穩(wěn)壓管DW3，第五電容C5，第八晶體二極管D8和第一零五電阻R105。所述直流升壓電路包含L6561D芯片Ul、第三高頻變壓器T3、第一 MOS管Q1、第六晶體二極管D6、第九晶體二極管D9 ;其中，第三高頻變壓器T3的初級繞組一端與第六晶體二極管D6的陽極端連接，第六晶體二極管D6的陰極端是直流升壓電路的輸出端A ;第三高頻變壓器T3的次級繞組一端接地、其另一端與第九晶體二極管D9的陽極端連接，第九晶體二級管D9的陰極端是高頻變壓器次級繞組輸出端B。所述EMC濾波電路連接橋式整流電路，橋式整流電路連接直流升壓電路，直流升壓電路輸出端A與MOS管功率輸出電路的輸入端連接，直流升壓電路中高頻變壓器次級繞組輸出端B與第三晶體三極管BG3的集電極連接，第三晶體三極管BG3的發(fā)射極與MOS管驅(qū)動(dòng)電路輸入端連接且通過第八晶體二極管D8與直流升壓電路中L6561D芯片Ul的第八引腳連接，第三晶體三極管BG3的基極通過15V第三穩(wěn)壓管DW3接地，15V第三穩(wěn)壓管DW3兩端并聯(lián)第五電容C5，MOS管驅(qū)動(dòng)電路連接MOS管功率輸出電路。還包括第二復(fù)合晶體三極管BG2及13. 5V控制電路。所述第二復(fù)合晶體三極管BG2用于直接替換第三晶體三極管BG3。所述13. 5V控制電路包括由第一零一電阻RlOl和第一零二電阻R102串聯(lián)構(gòu)成的第一電壓米樣電路、第一晶體三極管BGl及光電稱合器ICl。第一電壓采樣電路的一端與直流升壓電路輸出端A連接、其另一端接地，且當(dāng)直流升壓電路輸出端A輸出電壓為400V時(shí)，第一零一電阻RlOl和第一零二電阻R102的中間節(jié)點(diǎn)的電壓為20V。第一晶體三極管BGl的基極經(jīng)第一零三電阻R103和18V第二穩(wěn)壓管DW2與第一零一電阻RlOl和第一零二電阻R102的中間節(jié)點(diǎn)連接，第一晶體三極管BGl的集電極與光電耦合器ICl中的發(fā)光二極管DlOl的陰極連接，第一晶體三極管BGl的發(fā)射極接地，第一晶體三極管BGl的基極與發(fā)射極之間并聯(lián)第一零二電容C102。光電耦合器ICl中發(fā)光二極管DlOl的陽極端經(jīng)第一零四電阻R104和18V第一穩(wěn)壓管DWl與高頻變壓器次級繞組輸出端B連接，且發(fā)光二極管DlOl的陽極端與地之間并聯(lián)有第一零一電容C101。光電耦合器ICl中光敏三極管BG4的集電極與第二復(fù)合晶體三極管BG2的集電極連接，且其發(fā)射極經(jīng)第一零五電阻R105與第二復(fù)合晶體三極管BG2的基極連接。工作時(shí)，無極燈首次啟動(dòng)時(shí)，在13. 5V控制電路作用下，第二復(fù)合晶體三極管BG2可以直接輸出穩(wěn)定的13. 5V電壓，不存在逐漸增大到13. 5V電壓的過程，MOS管驅(qū)動(dòng)電路就可以直接驅(qū)動(dòng)MOS管功率輸出電路向耦合器輸出功率，點(diǎn)亮無極燈，這樣，大大提高了無極燈的啟動(dòng)性能。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單、設(shè)計(jì)合理、成本低廉，有效解決了現(xiàn)有無極燈鎮(zhèn)流器首次啟 動(dòng)時(shí)，首次啟動(dòng)脈沖電壓達(dá)不到預(yù)定值，無極燈啟動(dòng)困難的問題。

圖I是現(xiàn)有低頻無極燈鎮(zhèn)流器的電路結(jié)構(gòu)原理圖。圖2是本實(shí)用新型所述的低頻無極燈鎮(zhèn)流器的電路結(jié)構(gòu)原理圖。圖中，LI-第一共模電感器，L2-第二共模電感器，BG1、BG3-第一、三晶體三極管，BG2-第二復(fù)合晶體三極管，BG4-光敏三極管，Q1、Q2、Q3-第一、二、三MOS管，T3、T4_第三、四高頻變壓器，ICl-光電耦合器，U1-L6561D芯片，U2-FM2822芯片，V-無極燈。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合圖I及圖2對本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說明。一種低頻無極燈鎮(zhèn)流器，包括EMC濾波電路，橋式整流電路，直流升壓電路，包含F(xiàn)M2822芯片U2的MOS管驅(qū)動(dòng)電路，MOS管功率輸出電路，第三晶體三極管BG3，15V第三穩(wěn)壓管DW3,第五電容C5,第八晶體二極管D8和第一零五電阻R105。所述直流升壓電路包含L6561D芯片Ul、第三高頻變壓器T3、第一 MOS管Q1、第六晶體二極管D6、第九晶體二極管D9 ;其中，第三高頻變壓器T3的初級繞組一端與第六晶體二極管D6的陽極端連接，第六晶體二極管D6的陰極端是直流升壓電路的輸出端A ;第三高頻變壓器T3的次級繞組一端接地、其另一端與第九晶體二極管D9的陽極端連接，第九晶體二級管D9的陰極端是高頻變壓器次級繞組輸出端B。所述EMC濾波電路連接橋式整流電路，橋式整流電路連接直流升壓電路，直流升壓電路輸出端A與MOS管功率輸出電路的輸入端連接，直流升壓電路中高頻變壓器次級繞組輸出端B與第三晶體三極管BG3的集電極連接，第三晶體三極管BG3的發(fā)射極與MOS管驅(qū)動(dòng)電路輸入端連接且通過第八晶體二極管D8與直流升壓電路中L6561D芯片Ul的第八引腳連接，第三晶體三極管BG3的基極通過15V第三穩(wěn)壓管DW3接地，15V第三穩(wěn)壓管DW3兩端并聯(lián)第五電容C5，MOS管驅(qū)動(dòng)電路連接MOS管功率輸出電路。還包括第二復(fù)合晶體三極管BG2及13. 5V控制電路。所述第二復(fù)合晶體三極管BG2用于直接替換第三晶體三極管BG3。[0031]所述13. 5V控制電路包括由第一零一電阻RlOl和第一零二電阻R102串聯(lián)構(gòu)成的第一電壓米樣電路、第一晶體三極管BGl及光電稱合器ICl。第一電壓采樣電路的一端與直流升壓電路輸出端A連接、其另一端接地，且當(dāng)直流升壓電路輸出端A輸出電壓為400V時(shí)，第一零一電阻RlOl和第一零二電阻R102的中間節(jié)點(diǎn)的電壓為20V(設(shè)定為20V的目的是當(dāng)直流升壓電路輸出端A輸出400V電壓時(shí)，足以使第一晶體三極管BGl導(dǎo)通)。第一晶體三極管BGl的基極經(jīng)第一零三電阻R103和18V第二穩(wěn)壓管DW2與第一零一電阻RlOl和第一零二電阻R102的中間節(jié)點(diǎn)連接，第一晶體三極管BGl的集電極與光電耦合器ICl中的發(fā)光二極管DlOl的陰極連接，第一晶體三極管BGl的發(fā)射極接地，第一晶體三極管BGl的基極與發(fā)射極之間并聯(lián)第一零二電容C102。光電耦合器ICl中發(fā)光二極管DlOl的陽極端經(jīng)第一零四電阻R104和18V第一穩(wěn)壓管DWl與高頻變壓器次級繞組輸出端B連接，且發(fā)光二極管DlOl的陽極端與地之間并聯(lián) 有第一零一電容C101。光電耦合器ICl中光敏三極管BG4的集電極與第二復(fù)合晶體三極管BG2的集電極連接，且其發(fā)射極經(jīng)第一零五電阻R105與第二復(fù)合晶體三極管BG2的基極連接。具體工作時(shí)，如圖2所不,光電稱合器ICl中發(fā)光二極管DlOl的陽極端I施加一合適電壓時(shí)，發(fā)光二極管DlOl才能導(dǎo)通；同理,第一晶體三極管BGl的基極端2施加一合適電壓時(shí)，第一晶體三極管BGl才能導(dǎo)通。低頻無極燈首次啟動(dòng)時(shí)，220V交流電經(jīng)EMC濾波電路、橋式整流電路、直流升壓電路后，當(dāng)直流升壓電路輸出端A的輸出電壓使得第一晶體三極管BGl的基極端2的電壓達(dá)到合適值時(shí)，第一晶體三極管BGl導(dǎo)通；同時(shí)，當(dāng)直流升壓電路中高頻變壓器次級繞組輸出端B的輸出電壓使得發(fā)光二極管DlOl的陽極端I的電壓達(dá)到合適值時(shí)，發(fā)光二極管DlOl導(dǎo)通，此時(shí)，光電耦合器ICl中的光敏三極管BG4導(dǎo)通，高頻變壓器次級繞組輸出端B通過光敏三極管BG4、第一零五電阻R105和15V第三穩(wěn)壓管DW3向第二復(fù)合晶體三極管BG2提供偏置電壓，然而，15V第三穩(wěn)壓管DW3對第二復(fù)合晶體三極管BG2偏置電壓穩(wěn)壓，即對第二復(fù)合晶體三極管BG2提供穩(wěn)定的15V偏置電壓，這樣，第二復(fù)合晶體三極管BG2導(dǎo)通，直接向MOS管驅(qū)動(dòng)電路輸出穩(wěn)定的13. 5V電壓，進(jìn)而MOS管驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)MOS管功率輸出電路輸出功率至耦合器，使耦合器產(chǎn)生一個(gè)交變磁場，該交變磁場感應(yīng)到無極燈V的燈管內(nèi)，使無極燈V的燈管內(nèi)的氣體發(fā)生電離，從而激發(fā)熒光粉發(fā)出可見光。基于上述過程，第二復(fù)合晶體三極管BG2輸出13. 5V電壓是由發(fā)光二極管DlOl的陽極端I和第一晶體三極管BGl的基極端2的電壓共同控制的，即只有當(dāng)發(fā)光二極管DlOl的陽極端I和第一晶體三極管BGl的基極端2的電壓同時(shí)都達(dá)到合適值后，第二復(fù)合晶體三極管BG2才能導(dǎo)通并穩(wěn)定輸出13. 5V電壓，這樣就不存在逐漸升高到13. 5V電壓的過程，解決了在現(xiàn)有鎮(zhèn)流器中，首次啟動(dòng)時(shí)，400V直流電壓不足和第三晶體三極管BG3輸出電壓總是低于13. 5V的問題。因此，低頻無極燈首次啟動(dòng)時(shí)，鎮(zhèn)流器中的首次啟動(dòng)MOS管柵極脈沖電壓即達(dá)到設(shè)計(jì)值13. 5V，使鎮(zhèn)流器MOS管徹底導(dǎo)通，輸出功率到耦合器，點(diǎn)亮無極燈，避免了鎮(zhèn)流器被燒壞，使得無極燈的啟動(dòng)性能得到了很大的提高，尤其在冬季嚴(yán)寒地帶，效果更為明顯。
權(quán)利要求1.一種低頻無極燈鎮(zhèn)流器，包括EMC濾波電路，橋式整流電路，直流升壓電路，包含F(xiàn)M2822芯片(U2)的MOS管驅(qū)動(dòng)電路，MOS管功率輸出電路，第三晶體三極管(BG3)，15V第三穩(wěn)壓管(DW3),第五電容(C5),第八晶體二極管(D8)和第一零五電阻(R105)； 所述直流升壓電路包含L6561D芯片(U1)、第三高頻變壓器(T3)、第一 MOS管(Q1)、第六晶體二極管(D6)、第九晶體二極管(D9);其中，第三高頻變壓器(T3)的初級繞組一端與第六晶體二極管(D6)的陽極端連接，第六晶體二極管(D6)的陰極端是直流升壓電路的輸出端A ;第三高頻變壓器(T3)的次級繞組一端接地、其另一端與第九晶體二極管(D9)的陽極端連接，第九晶體二級管(D9)的陰極端是高頻變壓器次級繞組輸出端B ; 所述EMC濾波電路連接橋式整流電路，橋式整流電路連接直流升壓電路，直流升壓電路輸出端A與MOS管功率輸出電路的輸入端連接，直流升壓電路中高頻變壓器次級繞組輸出端B與第三晶體三極管(BG3)的集電極連接，第三晶體三極管(BG3)的發(fā)射極與MOS管驅(qū)動(dòng)電路輸入端連接且通過第八晶體二極管(D8)與直流升壓電路中L6561D芯片(Ul)的第八引腳連接，第三晶體三極管(BG3)的基極通過15V第三穩(wěn)壓管(DW3)接地，15V第三穩(wěn)壓管(DW3)兩端并聯(lián)第五電容(C5)，MOS管驅(qū)動(dòng)電路連接MOS管功率輸出電路； 其特征在于還包括第二復(fù)合晶體三極管(BG2)及13. 5V控制電路； 所述第二復(fù)合晶體三極管(BG2)用于直接替換第三晶體三極管(BG3)； 所述13. 5V控制電路包括由第一零一電阻(RlOl)和第一零二電阻(R102)串聯(lián)構(gòu)成的第一電壓采樣電路、第一晶體三極管(BGl)及光電耦合器(ICl); 第一電壓采樣電路的一端與直流升壓電路輸出端A連接、其另一端接地，且當(dāng)直流升壓電路輸出端A輸出電壓為400V時(shí)，第一零一電阻(RlOl)和第一零二電阻(R102)的中間節(jié)點(diǎn)的電壓為20V ； 第一晶體三極管(BGI)的基極經(jīng)第一零三電阻(Rl03 )和18V第二穩(wěn)壓管(DW2 )與第一零一電阻(R101)和第一零二電阻(R102)的中間節(jié)點(diǎn)連接，第一晶體三極管(BGl)的集電極與光電耦合器(ICl)中的發(fā)光二極管(DlOl)的陰極連接，第一晶體三極管(BGl)的發(fā)射極接地，第一晶體三極管(BGl)的基極與發(fā)射極之間并聯(lián)第一零二電容(C102)； 光電耦合器(ICl)中發(fā)光二極管(DlOl)的陽極端經(jīng)第一零四電阻(R104)和18V第一穩(wěn)壓管(DWl)與高頻變壓器次級繞組輸出端B連接，且發(fā)光二極管(DlOl)的陽極端與地之間并聯(lián)有第一零一電容(ClOl)； 光電耦合器(ICl)中光敏三極管(BG4)的集電極與第二復(fù)合晶體三極管(BG2)的集電極連接，且其發(fā)射極經(jīng)第一零五電阻(R105)與第二復(fù)合晶體三極管(BG2)的基極連接。
專利摘要本實(shí)用新型涉及電子鎮(zhèn)流器，具體為一種低頻無極燈鎮(zhèn)流器，解決了在低頻無極燈首次啟動(dòng)時(shí)，鎮(zhèn)流器中的MOS管驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)電壓不足，不能獲得穩(wěn)定的13.5V供電電壓的問題。一種低頻無極燈鎮(zhèn)流器，包括EMC濾波電路，橋式整流電路，直流升壓電路，包含F(xiàn)M2822芯片(U2)的MOS管驅(qū)動(dòng)電路，MOS管功率輸出電路，第三晶體三極管(BG3)，15V第三穩(wěn)壓管(DW3)，第五電容(C5)，第八晶體二極管(D8)和第一零五電阻(R105)；還包括第二復(fù)合晶體三極管(BG2)及13.5V控制電路。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單、設(shè)計(jì)合理、成本低廉，大大提高了無極燈的啟動(dòng)性能。
文檔編號H05B41/282GK202514149SQ20122013519
公開日2012年10月31日 申請日期2012年4月1日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月1日
發(fā)明者張?zhí)忑? 洪路 申請人:張?zhí)忑? 洪路